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半导体学报(英文版)2008年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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271. 超高频RFID读写器调制解调模块的设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 分析了超高频RFID读写器的系统结构,设计了用于读写器射频收发机中调制和解调的模块,并在0.18μm CMOS工艺下进行了流片验证.测试结果表明,调制器输入ldB压缩点可达14dBm,插入损...
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272. 温度对数字电路中单粒子瞬态脉冲的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 利用三维TCAD混合模拟研究了温度对0.18μm工艺下反相器链中DSET脉冲宽度的影响.结果发现,温度对 DSET的影响要比温度对SEU的影响严重得多.在LET为60MeV·cm2/mg的条...
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273. 低功耗、高性能多米诺电路电荷自补偿技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 提出了一种电荷自补偿技术来降低多米诺电路的功耗,并提高了电路的性能.采用电荷自补偿技术设计了具有不同下拉网络(PDN)和上拉网络(PUN)的多米诺电路,并分别基于65,45和32nm BSI...
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274. 基于DVI的时钟数据恢复电路设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 设计了一种实现DVI(digital visual interface)数字视频信号接收器的新型时钟数据恢复电路.通过在过采样电路和数字锁相环之间增加弹性缓冲电路,在实现10bit数据恢复的...
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275. 基于光刻模型的动态自适应切分OPC刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 光学邻近校正(OPC)技术已经成为纳米级半导体工艺技术中的一个关键.目前在OPC中多边形的切分算法均基于配方(recipe),但随着特征线宽减小及版图越来越复杂,用于切分的配方难以覆盖所有的...
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276. 搞稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年7期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.9多层量子阱结构作为有源层,Na作为P型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 研究了基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备方法,不同于其他人采用的MBE或MOCVD生长的方法,用离子注入的方法进行材料制备,能够与现有的集成电路工艺相兼容,用这种方法所...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 介绍了一款应用于3GHz通信的基于改进增益平坦度的功率放大器设计,其由商用InGaP/GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺制作.为了以简单方式改善增益平坦度,除了耦合旁路电容以及射频扼流...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 设计了工作在8GHz的基于AIGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 首次提出一种自适应节能方法用于设计4/5高速双模预分频器,它的特点是工作在除4模式时,其中一个D类触发器处于休眠状态.使用台积电混合信号0.25μm CMOS工艺,采用这一自适应节能的设计方...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 介绍了一种微机械叉指静电驱动折叠悬臂梁谐振器的设计和制作方法.将Rayleigh分析法和有限元分析法结合起来分析调整器件尺寸和材料参数对器件性能的影响.制作了三种不同悬臂梁宽度的微机械横向谐...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 报道了一种基于商用0.15um赝配高电子迁移率晶体管工艺的单片低噪声放大器,工作频率范围为23~36GHz.它采用自偏置结构.对晶体管栅宽进行了优化设计减小栅极电阻,以得到低的噪声系数.采用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 针对高耦合系数层叠结构的片上变压器提出了一个新型2-Ⅱ集总元件等效电路模型.主要基于解析公式提取了该模型的元件参数.由于该模型中伞部元件取值均与工作频率无关,因此该模型完全可以用于射频集成电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 使用热丝化学气相沉积技术制备微晶硅薄膜(沉积速度为1.2nm/s),通过原子力显微镜研究了薄膜前期生长的粗糙化过程.按照标度理论获得微晶硅薄膜的生长因子为β≈O.67,粗糙度因子为α≈O.8...
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286. SnO2纳米线的低温生长及光致发光研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 在550℃下,通过Au-Ag合金助催热蒸发氧化亚锡,制备了25nm的Sn02纳米线.测试了Sn02纳米线的室温光致发光谱,其四个发光峰中,418nm的峰足新发现的峰,它是孪晶纳米线的面缺陷造...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 通过优化Mg流晕增强了MoCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明卒穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到极大值后开始降低;迁移率始终随Mg流量的升高而降低....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 通过计算电子到达阴极面时的能量分布和求解电子隧穿表面势垒的薛定谔方程得到了透射式NEA GaAs光阴极发射电子能量分布的计算公式.利用该公式仿真研究了阴极表面势垒形状对电子能量分布的影响,发...
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289. 非晶碳和碳纳米管混合薄膜的场发射性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 利用微波等离子体化学气相沉积法在不锈钢衬底上直接合成非晶碳和碳纳米管混合薄膜.采用氢气和甲烷作为反应气体,流量分别为100和16sccm.沉积室内的压强为5.0kPa.利用场发射扫描电镜(S...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 针对InGaP/AlGaAs/lnGaAs PHEMT器件,进行了Ti/Pt/Au和Pt/Ti/Pt/Au两种栅金属结构的退火实验,通过实验研究比较,得到了更适用于增强型器件的退火工艺,利用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 研究了npn型SiGe HBT集电结附近的异质结位置对器件性能的影响.采用Taurus-Medici 2D器件模拟软件,在渐变集电结SiGe HBT的杂质分布不变的情况下,模拟了各种异质结位...
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292. 16×16光开关微镜阵列刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 设计、制造和测试了一种实现16×16 MEMS光开关的高反射率、大角度静电扭转制动型微镜阵列.该阵列的微镜可进行90扭转并保持稳定的扭转状态以对入射光进行导向.针对微镜的扭转驱动特性,提出了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 设计了基于绝缘层上硅(SOI)平坦化阵列波导光栅单纤三向器.三向器三个波长(1310,1490和1550nm)工作在阵列波导光栅的三个不同的衍射级数,并在阵列波导光栅的输入波导末端引入多模干...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出了一种面向片上系统、不依赖片外电容的CMOS低压差稳压器.通过采用片上极点分离技术和片上零极点抵消技术,保证了没有片外电容情况下低压差稳压器的稳定性.芯片通过华润上华0.5/μm CMO...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 用90nmCMOS数字工艺设计实现了一个低抖动的时钟锁相环.锁相环不需要"模拟"的电阻和电容,采用金属间的寄生电容作为环路滤波器的电容.测试结果显示,锁相环锁定在1.989GHz时的均方抖动...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出一种输出低于1V的、无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源(BGR).该电路适用于片上电源转换器.用HJTC0.18μm CMOS工艺设计并流片实现了该带隙基准源,芯片面积(不包括pad...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 介绍了一种基于亚阈区VGs和△Vos的CMOS基准电压源电路,电路不采用二极管和三极管.电路采用正负温度系数电流叠加的原理,可以产生多个基准电压值的输出,适用于同时需要多个基准的电路系统中....
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298. 一种宽电源电压带隙基准源的设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出一种可在宽电源电压范围下工作的带隙基准源设计.由于采用了一些新的结构,使得其电源抑制比和温度稳定性有明显提高.为支持电源管理芯片的休眠工作模式以降低待机功耗,电路中专门设置了一个辅助的微...
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299. 纤锌矿氮化物半导体束缚极化子及压力效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 考虑到纤锌矿结构的氮化物半导体材料的单轴异性,采用变分法研究了两支异常光学声子LO-like和TO-like对杂质态结合能的影响,即极化子效应.计及电子有效质量,材料介电常数及晶格振动频率随...
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300. 铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 研究了In掺杂n型zno体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、x射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行r分析.掺In后容易获得浓度为1018...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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