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半导体学报(英文版)2008年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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31. RF MEMS开关吸合电压的分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 吸合电压是MEMS静电执行器的重要参数,针对RF MEMS开关,详细分析了开关在不同执行方式下的吸合电压.对于执行电压是脉冲方式而言,开关梁受迫振动,不同于准静态方式,此时使开关发生吸合的执...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 用电镀法制备了尺寸小于100μm的面阵列Sn-3.0Ag凸点.芯片内凸点的高度一致性约1.42%,Φ100mm硅圆片内的高度一致性约3.57%,Ag元素在凸点中分布均匀.研究了不同回流次数下...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 采用Cu-Ni/Solder/Ni-Cu互连结构,在加载的电流密度为0.4×104 A/cm2的条件下,得到了界面阴极处金属原子的电迁移.数值模拟揭示了其原因是由于凸点互连结构的特殊性,电子...
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34. 硅/玻璃紫外固化中间层键合刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 利用玻璃的透光特性和紫外固化的成熟技术,研究了一种使用紫外固化胶作为中间层的玻璃/硅室温键合工艺.通过选择一定波段的紫外固化胶,旋涂紫外胶后使用365nm光刻机作为紫外光源控制紫外固化,从而...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 探讨了Metropolis蒙特卡罗方法模拟硅微加工各向异性湿法腐蚀仿真算法.在台阶流动(step flow)模型上引入了腐蚀概率方程,确定了蒙特卡罗转移概率.通过对不同相位晶面(vicina...
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36. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那篇文章里,两维晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 基于龙格-库塔算法求解薛定谔方程,并对获得的数值结果进行分析得出精确的量子隧穿几率.通过适当的处理,该方法适用于任意势垒的情形.利用该方法计算了多种结构的隧穿几率,如抛物线型势垒及双势垒,获...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 研究了钒掺杂生长半绝缘6H-SiC的补偿机理.二次离子质谱分析结果表明,非故意掺杂生长的6H-SiC中,氮是主要的剩余浅施主杂质.通过较深的钒受主能级对氮施主的补偿作用,得到了具有半绝缘特性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用磁控溅射技术先在Si衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在950"C下流动的氨气中进行氨化反应制备GaN纳米棒.应用X射线衍射、扫描电镜、傅里叶红外吸收光谱、选区电子衍射和高分辨透射电子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 实验测试结果揭示高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下,导通电阻的衰退结果不同,半导体器件专业软件MEDICI模拟结果表明Si/SiO2表面的陷阱产生以及热电子的注入和俘获导致了高压pLE...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 设计了一个新型的结构完全对称的双向MEMS电容式惯性传感器.该传感器主要由可动质量块、栅形条、支撑梁、连接梁、阻尼调整梳齿组成.设计的结构采用变电容面积的检测方式,在降低空气阻尼的同时也降低...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种多模分频器.该多模分频器由一个除4或5的预分频器和一个除128～255多模分频器在同一芯片上连接而成;在电路设计中,分析了预分频器功耗和速度之间...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 基于规范化分段线性模型技术,建立了高压DMOS器件的SPICE宏模型用于功率集成电路的仿真.从等效电路模型出发,利用Powell算法找到规范化分段线性模型的最佳系数,从而利用节点电压可以直接...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 结合变分法与自洽计算方法研究了流体静压力下应变闪锌矿(111)取向GaN/AlχGa1-χN量子阱中受电子-空穴气体屏蔽的激子结合能.计算中,考虑了沿(111)取向生长多层结构时存在压电极化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺人的钒在4H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和1.02eVt处,其电子俘获截面分别为7.0 × 10-...
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47. SEU加固存储单元中的多节点翻转刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转(multiple node upset,MNU)问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对比了MNU和不同存储单元之间的MB...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 设计了一种应用于MB-OFDM UWB射频频率综合器的工作于4.224GHz的正交压控振荡器(QVCO),并采用0.18μm RF-CMOS工艺进行了设计实现.该Qvco通过改进结构能够得到...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度∑△调制器.该调制器采用3阶单环单比特的结构,电路使用全差分开关电容结构实现,并在0.6μm 2P2M CMOS 工艺下...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用CSMC 0.6μm 2P2M CMOS工艺设计并实现了0.5mV高灵敏度,72dB超宽动态范围的200Mbps CMOS限幅放大器.该电路详细分析和设计了一种新型的有源直流漂移消除环路...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出了一种应用于流水线型模数转换器(ADC)的增益提高型套筒式全差分跨导放大器(OTA)的设计与分析方法.通过ADC的性能要求推导出OTA的设计指标.该设计中OTA的架构由主运放、增益辅助运...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出了一种新型的适用于DC-DC变换器的混合式数字脉宽调制器.该脉宽调制器基于混合环路振荡器/计数器的结构.与已有的延迟线/计数器结构相比,由于该数字脉宽调制器采用了温度/工艺补偿技术和一种...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 为了防止亚谐波振荡以及提高系统的稳定性和带载能力,设计了一种伞区间分段线性斜坡补偿电路.与传统的设计方法相比,该电路在-40～85℃下提供的补偿信号在不同的占空比区间内具有不同的斜率,对三个...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出了一种对环振型ADC进行温度补偿的新型技术.该技术采用一种基于固定数的计数算法以及CTAT电流偏置技术来补偿温度对输出的影响,不需要任何额外的校准机制.模拟结果证明,通过采用这种技术,在...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 介绍了一种为无源UHF RFID设计的高效高灵敏度电源产生电路.该电路基于0.18μm工艺,其中包含了两个电荷泵,一个参考电流源和一组偏置电路.由于其偏置电路消除了传统电路中的阈值损失和体效...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 针对n变量逻辑函数在不同极性下所对应REED-MULLER(RM)电路功耗和面积不问的特点,对信号几率传递算法、多输入XOR/AND(异或/与)门的低功耗分解算法和多成份极性转换算法进行了深...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 考虑工艺参数扰动对互连电路传输性能的影响,建立了基于工艺扰动的互连线随机模型.通过改进的去耦算法对随机互连线元进行去耦,结合随机伽辽金方法(SGM)和多项式混沌展开(PCE)进行互连分析,进...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AIAs多量子阱中受主对重窄穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AIAs多量子阱,量子阱宽度从3nm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2 H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 用化学沉淀法制备了SnO2纳米材料,利用XRD和SEM对合成产物进行了表征.采用旁热式结构制成了以SnO2为基体材料,掺杂Sm2O3的气体传感器.通过元件对C2H2气敏特性的测试表明:Sm2...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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