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半导体学报(英文版)2008年第4期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 本文报告用双极场引晶体管(BiFET)电化电流解析理论计算的内禀结构直流特性,晶体管有两块等同MOS栅,纳米厚度纯硅基,没有产生复合和俘获.用交叉双路或Z形单路递归循环算法,很快得到三个势变...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 随着集成电路(IC)T艺进入深亚微米水平,以及射频(Radi0.Frequency,RF)IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进,片上防静电泄放(ESD)保护设计越来越成为RF IC设计的挑战.产...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在P型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P+离子注入及扩散进行掺杂,得到的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 使用ArF准分子激光脉冲对UHV/CVD条件下生长的Ge量子点进行退火处理,获得了底宽为20～25nm的光致量子点(LIQD),远小于退火前的量子点大小.LIQD的密度约为6×1010cm-...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 研究了具有OTS/SiO2双绝缘层结构及MoO3/Al电极结构的有机薄膜晶体管.器件是以热生长的Si02作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的.OTS/SiO2双绝缘层的结构提高了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS的整数N频率综合器.通过采用不同工艺来实现不同模块,实现了一个具有良好的杂散和相噪性能的高纯度频率综合器.除环路滤波器外所有的部件均采用差分...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 介绍一种全新高性能的AC-DC电荷泵.它采用全pMOS的结构和阈值电压消除技术,使得其效率和输出电压都大幅度的改善.测试结果表明在13.56MHz和lV的输入条件下,相对于传统的MOS二管结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 以正向电压为自变量,以正向电流的对数为应变量,以温度为参数得到的p-n结的I-V-(T)特性曲线在第一象限中近似汇聚于一点.汇聚点对应的电压近似等于半导体材料的禁带宽度.汇聚点可以用来获取任...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/T...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成P+n-结、基区和n-n+结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 基于国际上Liang Y C提出的侧氧调制思想,提出了一种具有阶梯槽型氧化边VDMOS新结构.新结构通过阶梯侧氧调制了VDMOS高阻漂移区的电场分布,并增强了电荷补偿效应.在低于300V击穿...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 介绍了一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计.该运放可为ISFET提供恒定电流、电压偏置,从而便于构建读出电路并于微传感器单片集成.通过运用连续时间自调零技术,大大降低了运放的失调...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 提出了一种新颖的单电子随机数发生器(RNG).该随机数发生器由多个单电子隧穿结(MTJ)以及单电子晶体管(SET)/MOS管混合输出电路组成.MTJ被用于实现一个高频率的振荡器.它利用了电子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 提出了应用于TFT-LCD单片集成驱动芯片的Top-down设计技术,并成功开发了一款26万色、176RGB×220分辨率的TFT-LCD驱动芯片.该芯片是典型的混合信号超大规模集成电路芯片...
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15. FDP FPGA芯片的设计实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 研究了新型的FDP FPGA电路结构及其设计实现.新颖的基于3输入查找表的可编程单元结构,与传统的基于4输入查找表相比,可以提高约11%的逻辑利用率;独特的层次化的分段可编程互联结构以及高效...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 设计了一种符合NCITS 256协议的无源超高频射频识别标签.标签携带2kbit的标准商用EEPROM.在读卡器发射功率为915MHz 4W EIRP的情况下,芯片的读距离为1.5m,写距离...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 在深亚微米设计中,降低能耗和传播延迟是片上全局总线所面对的两个最主要设计目标.本文提出了一种用于片上全局总线的时空编码方案,它既提高了性能又降低了峰值能耗和平均能耗.该编码方案利用空间总线倒...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(α-HgCdTe,α-MCT)薄膜的低温生长.采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态H...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移.扩散理论,在表面势模型的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 提出了一种新型全方位反射A1GalnP LED结构和制作工艺.GaAs外延片与含导电孔的SiO2,Au形成全方位反射镜后,银浆键合在Si支架上,去除GaAs衬底,制作薄AuGeNi电极,粗化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 采用具有电子加速能力的Si02代替传统夹层结构中的绝缘层,利用电子束蒸发的方法制备了结构为ITO/SiO2/ZnSe/SiO2/Al的电致发光器件,观察到了传统夹层结构所没有的ZnSe层电致...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注人...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容.电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 为研究感应耦合等离子体(IcP)刻蚀机工艺腔室结构对流场特性的影响,采用回归正交设计方法对腔室半径、腔室高度、进气口半径以及进气流量4个设计参数进行试验设计,利用商业软件CFD-AcE+建立...
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26. 热电式微波功率传感器的优化设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 提出了一种热电式微波功率传感器的二维热分布解析模型,通过分析传感器的各种结构参数对热分布的影响,给出了热电式微波功率传感器的优化设计.为了获得高灵敏度,给出了设计膜的厚度、匹配电阻与热电堆热...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 提出一种基于"时间借用"方法的相位切换型多模高速分频器,新型的相位切换控制策略有效地减少相位切换控制环路的延时,使得多模分频器在较低的电源电压下仍能在较高的输入频率下工作,同时获得最大可分频...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 设计了基于正交频分复用(OFDM)超宽带(UWB)系统的下变频混频器(Mixer),并采用0.18μm RF CMOS工艺,通过一种不同于传统Gilbert结构的新颖的双平衡结构来实现,以降...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 在自主研发国内BCD高压工艺的同时,设计并实现了一款用于42"数字电视PDP平板显示屏的扫描驱动芯片.该芯片及其制作工艺不仅实现了Bipolar,CMOS和高压功率DMOS器件的良好兼容(B...
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30. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要：
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
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| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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