重掺杂P型Si1-xGex层中少数载流子浓度的低温特性

• 作者: 孙英华 张万荣 李志国 沈光地 程尧海 陈建新
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 SiGe合金 低温特性 掺杂
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 311-313
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1203字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.1999.05.002

摘要

考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应,建立起少数载流子室温和低温模型,并进行了定量的计算.研究发现,p-Si1-xGex中的少子浓度(电子)随x的增加而增加.在重掺杂条件下,常温时,少子浓度随杂质浓度的上升而下降;而低温时,少子浓度却随杂质浓度的上升而上升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电子工程系	57	418	12.0	18.0
2	沈光地	北京工业大学电子工程系	192	1444	18.0	29.0
3	陈建新	北京工业大学电子工程系	65	441	11.0	17.0
4	张万荣	北京工业大学电子工程系	105	390	8.0	12.0
5	孙英华	北京工业大学电子工程系	8	27	3.0	5.0
6	程尧海	北京工业大学电子工程系	17	154	6.0	12.0