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摘要:
深入探讨了标准晶片级电迁移加速试验方法(SWEAT试验方法)的试验原理、试验系统的建立、试验步骤及试验结果的分析等,并将在实践中总结出的试验经验和技巧介绍给大家。同时将该方法应用到生产实际,为工艺可靠性监测、研究电迁移失效机理与关键工艺的相关关系提供了有效手段。
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文献信息
篇名 VLSI金属化互连可靠性的快速评价技术
来源期刊 固体电子学研究与进展 学科 工学
关键词 晶片级 电迁移 标准晶片级加速寿命试验 参数确定
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 75-81
页数 7页 分类号 TN406
字数 4638字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 焦慧芳 16 86 6.0 8.0
2 孔学东 16 184 6.0 13.0
3 孙青 1 5 1.0 1.0
4 吴文章 4 25 3.0 4.0
5 扬文 中国华晶集团公司中央研究所 1 5 1.0 1.0
6 徐征 中国华晶集团公司中央研究所 2 5 1.0 2.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
晶片级
电迁移
标准晶片级加速寿命试验
参数确定
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
固体电子学研究与进展
双月刊
1000-3819
32-1110/TN
大16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
1981
chi
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851
论文1v1指导