硫钝化GaAs MESFET的机理研究

• 作者: 刘立浩 李效白 邢东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硫钝化 GaA s MESFET 击穿电压 负电电荷表面态
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.07.018

摘要

研究了硫钝化对GaAs MESFET直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘立浩		4	8	2.0	2.0
2	邢东		2	2	1.0	1.0
3	李效白		1	2	1.0	1.0