ULSI硅衬底的化学机械抛光技术

• 作者: 刘玉岭 司田华 狄卫国
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 抛光液 ULSI 硅片
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 5377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.07.007

摘要

介绍了特大规模集成电路(ULSI)硅衬底的化学机械抛光工艺.对抛光机理、影响抛光速率和抛光质量的因素、抛光液中的成份特别是精抛液中的有机碱和活性剂的选择作了讨论分析,另外对抛光中出现的一些问题及解决方法进行了分析研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭		263	1540	17.0	22.0
2	狄卫国		2	39	2.0	2.0
3	司田华		1	32	1.0	1.0