Au/Zn/Au/p-In P欧姆接触的界面研究

• 作者: 刘诗嘉 庄春泉 张燕 李萍 陈江峰 黄杨程 龚海梅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 俄歇电子能谱 X射线光电子能谱 欧姆接触 界面
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进工艺技术)
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.93
• 字数: 1630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.10.004

摘要

研究了离子束溅射制备的Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面特性.在480℃退火15s比接触电阻达到最小,为1.4×1 0-5 Ω·cm 2.利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触界面的冶金性质.实验结果表明,在室温下InP中的In就可以扩散到接触的表面,退火后可与Au形成合金.退火后,Zn的扩散可以在p-InP表面形成重掺杂层,从而降低接触势垒高度,减小势垒宽度,有助于欧姆接触的形成;在接触与p-InP的界面产生一个P聚集区,同时Au与InP反应生成Au2P3,其P的2p3/2电子的结合能约为129.2 eV.