硼硅对BST薄膜结构和性能的影响

• 作者: 丁士华 姚熹 张良莹 杨晓静
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 BSTS薄膜 sol-gel法 硼硅掺杂 介电常数 介质损耗
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TN384
• 字数: 2176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.12.011

摘要

用sol-gel法制备0.5 mol/L钛酸锶钡(Ba0.7Sr0.3TiO3)前驱溶液,并在其中加入硼、硅成功地制备了室温下具有优良铁电性质的BSTS薄膜.XRD及DSC分析显示,BSTS薄膜呈现钙钛矿结构.测试结果表明,随着硼、硅的加入量增加,其εr和tgδ明显降低.当硼、硅的加入量小于10 mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的低,当硼、硅的加入量大于15 mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚熹	同济大学功能材料研究所	123	956	16.0	21.0
2	丁士华	同济大学功能材料研究所	15	66	5.0	7.0
3	张良莹	同济大学功能材料研究所	81	658	13.0	19.0
4	杨晓静	同济大学功能材料研究所	3	31	2.0	3.0