LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计

• 作者: 冯永生 刘元安
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 温度特性 功率放大器 偏置电路
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: SMT/PCB
• 页码范围: 333-335
• 页数: 3页
• 分类号: TN7
• 字数: 722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3474.2006.06.006

摘要

LDMOS功率放大器的热效应会导致放大器的性能恶化,在LDMOS场效应管自热效应模型的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应的偏置电路设计.实验结果验证了偏置电路的仿真设计方法的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘元安		192	1285	17.0	26.0
2	冯永生		7	39	3.0	6.0