GaN基侧向外延生长技术与特性研究

• 作者: 刘伟 彭晓雷 战瑛 李晓云 牛萍娟 田海涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 侧向外延 金属有机化学气相沉积 X射线 透射电子显微镜
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 1011-1015
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3717字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.11.019

摘要

为解决目前外延生长技术存在的弊端,总结了新的侧向外延方法以减少GaN中的位错密度,提高晶体质量.主要研究了在蓝宝石图形衬底上侧向外延生长GaN的技术.用MOCVD侧向外延技术的方法获得了很少位错的生长在掩膜层上的GaN薄膜,晶体的质量得到了改善.X射线和TEM测试出掩膜层能够阻挡其下GaN层中的穿透位错继续向上传播,用这种方法能够有效地降低位错密度,但同时也引出了一些新的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学信息与通信工程学院	123	617	13.0	17.0
2	李晓云	天津工业大学信息与通信工程学院	21	75	4.0	8.0
3	刘伟	天津工业大学信息与通信工程学院	14	51	4.0	6.0
4	田海涛	天津工业大学信息与通信工程学院	12	54	4.0	7.0
5	彭晓雷	天津工业大学信息与通信工程学院	1	1	1.0	1.0
6	战瑛	天津工业大学信息与通信工程学院	2	11	1.0	2.0