碱性Cu化学机械抛光液性能研究

• 作者: 何彦刚 刘玉岭 李伟娟 王家喜 甘小伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 抛光液 铜 化学机械抛光 去除速率 表面形态
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 582-585
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3155字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.08.002

摘要

在分析碱性Cu化学机械抛光液作用机理的基础上,考察了抛光液对铜晶圆电化学、表面形态、化学机械抛光去除速率等性能.结果发现:选用新研制的络合剂R(NH2)n,将Cu的氧化物、氢氧化物转化为可溶性络合Cu,实现了碱性抛光液中Cu的去除.同时发现,随着碱性抛光液质量分数的增加,淀积Cu层不仅易被腐蚀,腐蚀速率也有所增加,并且当抛光液质量分数达到63.7％(Cu3),会对Cu的腐蚀起到抑制作用.抛光后表面形态分析说明此碱性化学机械抛光液能有效改善晶圆表面粗糙度,且对Cu层平均去除速率是酸性商用抛光液的4～5倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子技术研究所	263	1540	17.0	22.0
2	何彦刚	河北工业大学化工学院	21	142	6.0	11.0
3	王家喜	河北工业大学化工学院	77	226	7.0	10.0
4	甘小伟	河北工业大学微电子技术研究所	6	16	3.0	3.0
5	李伟娟	河北工业大学微电子技术研究所	3	5	1.0	2.0