Cl2/BCl3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究

• 作者: 刘训春 夏洋 李超波 杨威风 汪明刚
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 干法刻蚀 氯气/氯化硼 感应耦合等离子体 侧壁形貌
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 367-370
• 分类号: TN405
• 字数: 1621字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.05.009

摘要

基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究.扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌.进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程；低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因.刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上.这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	67	325	9.0	14.0
2	刘训春	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	43	222	9.0	11.0
3	汪明刚	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	8	31	3.0	5.0
4	杨威风	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	5	14	2.0	3.0
5	李超波	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	31	120	7.0	9.0