基于低压高精度运放的带隙基准电压源设计

• 作者: 唐路 施敏 陈庆 黄静
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 运算放大器 输入失调 低压 温度系数 电源电压抑制比
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 760-763
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.10.004

摘要

基于传统带隙基准源的电路结构,采用电平移位的折叠共源共栅输入级和甲乙类互补推挽共源输出级改进了其运算放大器的性能,并结合一阶温度补偿、电流负反馈技术设计了一款低温度系数、高电源电压抑制比(PSRR)的低压基准电压源.利用华润上华公司的CSMC 0.35 μm标准CMOS工艺对电路进行了Hspice仿真,该带隙基准源电路的电源工作范围为1.5～2.3 V,输出基准电压为(600±0.2) mV;工作温度为10 ～130 ℃,输出电压仅变化8μV,温度系数为1.86×10-6/℃,低频时PSRR为- 72 dB.实际流片进行测试,结果表明达到了预期结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施敏	南通大学电子信息学院	34	78	5.0	7.0
2	黄静	南通大学电子信息学院	32	90	4.0	8.0
3	陈庆	东南大学信息科学与工程学院	9	11	2.0	3.0
4	唐路	东南大学信息科学与工程学院	21	63	5.0	6.0