AlGaN/AlN/GaN HEMT结构2DEG的光致发光谱

• 作者: 唐健 王晓亮 肖红领
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 高迁移率晶体管(HEMT) 光致发光 二维电子气(2DEG) 能级分裂
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 703-706
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.014

摘要

AlGaN/GaN HEMT结构材料主要用于研制微电子器件,对其发光性质的研究相对较少.通过对AlGaN/GaN HEMT结构材料的光致发光谱(PL)研究,观测到了AlGaN势垒层中Al组分为40％的AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气(2DEG)光致发光及其能级分裂现象.在4.5K低温下,其2DEG发光峰在GaN带边峰能量以下30和40 meV处分裂成两个峰位,直至温度持续升高至40 K后消失.根据GaN价带顶部在单轴晶格场和自旋-轨道耦合共同作用下的能级分裂理论,因自旋-轨道耦合引起的2DEG发光峰两个分裂能级差约为10 meV,与实验测得的结果一致,因此实验观测到的2DEG发光峰的分裂现象是由于氮化镓价带能级的自旋-轨道耦合而形成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	38	212	9.0	12.0
2	唐健	盐城师范学院物理科学与电子技术学院	7	4	1.0	1.0
3	肖红领	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	7	26	3.0	5.0