漏源间距对AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响

• 作者: 吕元杰 宋旭波 王丽 谭鑫 郭红雨 顾国栋 马灵
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 漏源间距 T型栅 射频特性 击穿电压
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 19-23
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.01.004

摘要

采用相同的欧姆接触,栅长为100 nm的T型栅以及50 nm的氮化硅(SiN)表面钝化等器件工艺,制备了漏源间距分别为2和3μm的AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT).研究发现,当漏源间距从2μm增加至3μm后,器件的直流特性略有下降,如在Vgs为1V下的饱和电流密度从1.4 A/mm下降至1.3 A/mm.此外,器件的射频特性也略有下降,电流增益截止频率(fT)从121 GHz降至116 GHz,最大振荡频率(fmax)从201 GHz下降至189 GHz.然而,器件的击穿特性却有显著提升,击穿电压从44 V提升至87 V.在实际器件设计制备过程中可考虑适当增加漏源间距,在保持直流和射频特性的前提下,提升器件的击穿特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马灵	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	3	1.0	1.0
2	吕元杰		12	11	2.0	2.0
3	王丽		4	4	2.0	2.0
4	宋旭波		3	7	2.0	2.0
5	顾国栋		3	4	2.0	2.0
6	谭鑫		2	4	2.0	2.0
7	郭红雨		1	2	1.0	1.0