SnO2透明导电薄膜掺杂改性的研究进展

• 作者: 刘咏梅 刘雪花 赵灵智
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2薄膜 制备 掺杂改性
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 综 述
• 页码范围: 315-318
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3709字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2015.06.002

摘要

SnO2薄膜是一种宽禁带半导体材料（3.6 eV），且在平板显示器、太阳能电池和光电子器件等领域有着广阔的应用前景，引起了国内外极大的关注。目前，所制备的本征SnO2薄膜的载流子浓度为8.52×1020 cm-3；经过n型化后SnO2薄膜的载流子浓度可达1021 cm-3。所制备的本征SnO2薄膜的带隙为3.6 eV，经过p型化后SnO2薄膜的带隙可达3.8 eV。鉴于SnO2导电薄膜光电性质的重要性，就SnO2薄膜的制备方法、n型化和p型化掺杂改性进行了综述。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵灵智	华南师范大学光电子材料与技术研究所	38	573	11.0	23.0
2	刘雪花	广州大学华软软件学院	8	6	2.0	2.0
3	刘咏梅	广州大学华软软件学院	6	3	1.0	1.0