图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长

• 作者: 孙玉润 张瑞英 张震 戚永乐 朱健 王岩岩 王庶民 董建荣 赵勇明
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 图形化衬底 GaAs/InP异质外延 表面形貌 粗糙度 应力
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 448-454
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.009

摘要

使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究.实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生长条件相关.与渐变缓冲层生长相比,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关.AFM测试结果表明,提高Ⅴ/Ⅲ比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度降至纳米量级.微区喇曼光谱测试表明,在适当条件生长下可获得InP成核层的二维生长方式.该研究为进一步基于ART机理在二维图案化GaAs衬底开展InP异质外延研究奠定基础.