由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析

• 作者: 刘大鹏 刘楠 张辉 祝伟明
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 栅氧损伤 闩锁效应 可控硅(SCR) 微光显微镜(EMMI)技术 激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 468-472
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.013

摘要

随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一.闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效.对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析.通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证.最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祝伟明		5	8	2.0	2.0
2	张辉		5	12	2.0	3.0
3	刘大鹏		2	6	1.0	2.0
4	刘楠		2	6	1.0	2.0