基于GaAs pHEMT的1.0～2.4 GHz放大衰减多功能芯片

• 作者: 韩思扬 张坤 周平 蒋冬冬
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs赝高电子迁移率晶体管(pHEMT) 共源共栅结构 放大衰减多功能芯片
• 年，卷（期）: 2022,（2）
• 所属期刊栏目: 微组装技术SMT PCB|MICRO-ASSEMBLY SMT PCB
• 页码范围: 90-93,108
• 页数: 5页
• 分类号: TN40
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2022.02.008

摘要

基于0.25μm GaAs赝高电子迁移晶体管(pHEMT)工艺,研制了一种1.0～2.4 GHz的放大衰减多功能芯片,该芯片具有低噪声、高线性度和增益可数控调节等特点.电路由第一级低噪声放大器、4位数控衰减器、第二级低噪声放大器依次级联构成,同时在片上集成了TTL驱动电路.为获得较大的增益和良好的线性度,两级低噪声放大器均采用共源共栅结构(Cascode).测试结果表明,在1.0～2.4 GHz频带范围内,该芯片基态小信号增益约为36 dB,噪声系数小于1.8 dB,输出1 dB压缩点功率大于16 dBm,增益调节范围为15 dB,调节步进1 dB,衰减RMS误差小于0.3 dB,输入输出电压驻波比小于1.5.其中放大器采用单电源+5 V供电,静态电流小于110 mA,TTL驱动电路采用-5 V供电,静态功耗小于3 mA.整个芯片的尺寸为3.5 mm×1.5 mm×0.1 mm.