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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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24788

半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 半导体锗硅薄膜材料及相关工艺技术
    作者： 王光伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  881-886,891
    摘要： 综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和各自的优缺点,分析了锗硅薄膜与钴等过渡金属固相反应的特点及在集成电路...
  • 2. 射频微波晶体管的发展现状及分析
    作者： 刘元安 南敬昌 唐碧华 黎淑兰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  887-891
    摘要： 对当前各种类型射频微波晶体管的结构特点、性能和应用情况进行了分析和综述.对晶体管的发展历史进行了全面而细致的回顾,指明了今后射频微波晶体管的发展特点和发展趋势,得出了射频微波晶体管的选型原则...
  • 3. 基于数据挖掘的半导体制造质量异常研究
    作者： 任建华 钮轶君 钱省三
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  892-895,899
    摘要： 半导体制造工艺复杂,具有重入特性,而生产所用的设备、所生产的产品类型都会影响晶圆生产的良率,进而影响企业的生产率和利润.因此,将数据挖掘技术引入半导体制造管理,通过对质量异常情况的分析,找出...
  • 4. 用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术
    作者： 刘兵武 刘理天 张兆华 林惠旺 谭智敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  896-899
    摘要： 分析了金硅共晶键合的基本原理,讨论了键合实验的基本工艺,给出了键合的测试结果.这种键合方法键合温度低,键合工艺简单,与器件制造工艺兼容,对工艺环境要求不高,可以得到满意的键合强度,而且成本低...
  • 5. MEMS器件的封装材料与封装工艺
    作者： 严雪萍 刘德林 张慧 徐志春 成立 李俊 韩庆福
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  900-903,919
    摘要： 随着各种MEMS新产品的不断问世,先进的MEMS器件的封装技术正在研发之中.本研究综述了MEMS的封装材料,包括陶瓷、塑料、金属材料和金属基复合材料等.阐述了MEMS的主要封装工艺和技术,包...
  • 6. 循环经济助推中国半导体产业高速环保发展
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  904-905,911
    摘要：
  • 7. 安森美对LED的看法!
    作者： 胡平生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  906-907
    摘要：
  • 8. IBM研究院院士对"摩尔定率"提出新观点——谈半导体技术未来的发展方向
    作者： 胡平生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  908-911
    摘要：
  • 9. InSb半导体材料的抛光液研究
    作者： 刘承霖 刘玉岭 张伟 武晓玲 贾英茜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  912-914
    摘要： InSb薄膜被广泛应用于光电元件、磁阻元件、霍尔元件以及晶体管结构器件之中.研究了一种应用于的抛光液,在一定压力、温度、转速下,以有机碱替代无机碱,通过添加螯合剂、活性剂降低产品表面粗糙度,...
  • 10. 基于实验方法揭示竞争冒险的成因奥秘
    作者： 傅和平 宁敏东 张栓记 李天超 熊中朝
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  915-919
    摘要： 在10 Hz～1 MHz TTL信号下,提出竞争冒险的产生与信号频率无关.时间延迟大则干扰脉冲幅度大,时间延迟与干扰脉冲宽度大致相等,不同期的干扰脉冲幅度不等、状态不同.时间延迟、过渡时间、...
  • 11. 用在可制造性设计中的光刻规则检查
    作者： 梁强 毛智彪 金晓亮 陆梅君
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  920-923
    摘要： 可制造性设计(DFM)已经发展成为优化通晓制造技术设计中的有效工具,它包含从理论、规则到工具的整体应用来提升从设计到硅片的流程.基于制程模型的光刻规则检查(LRC),可查出没被设计规则检查(...
  • 12. 检查是对质量高速验证的崭新方法
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  924-925,934
    摘要：
  • 13. 含存储器数字电路板的TPS开发研究
    作者： 成本茂 杨士元 王红 鞠艳秋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  926-929,934
    摘要： 提出了含存储器数字电路板的两种测试矢量集(TPS)开发方案.对含少量存储器芯片的电路板采用结构化的测试方案,即将RAM等效成时序电路模型,利用时序电路ATPG软件进行测试生成.对以RAM为主...
  • 14. 铂扩散快恢复二极管特性的研究
    作者： 冯亚宁 孙树梅 曾祥斌 肖敏 蒋陆金 袁德成
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  930-934
    摘要： 描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的.通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TR...
  • 15. 用于SRAM的低功耗位线结构
    作者： 于宗光 侯卫华 施亮 高宁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  935-937,950
    摘要： 提出了一种用于SRAM的低功耗位线结构,通过两种途径来实现低位线电压.在写操作时,利用单边驱动结构来抑制位线上充电电压的过大摆动;在读写操作时,改进预充结构来使位线电压保持较低.仿真表明,该...
  • 16. 基于MCF5249+μClinux的可视化多媒体集控系统
    作者： 吕利昌 郭向勇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  938-943
    摘要： 针对远程控制可视化多媒体网络中央控制系统的技术发展,提出基于32位微处理器MCF5249+μClinux可视化多媒体集控系统构架的实现方法.着重阐述系统架构相关的关键技术、安全性设计和系统检...
  • 17. 半绝缘GaAs光电导开关散射机制的比较
    作者： 侯军燕 戴慧莹 施卫 董秋霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  944-947
    摘要： 从量子力学的微扰理论入手,总结并比较了半绝缘GaAs光电导开关中主要的散射机制的散射率表达式和散射终态,给出了所选择的散射机制下的模拟结果及其分析.
  • 18. 集成电路群"芯"闪耀张江各路精英妙论产业发展
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  955-956
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
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