半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 吕苗 杨瑞霞 池志鹏 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  121-124
    摘要: 提出了基于时域有限差分方法对薄膜体声波谐振器进行数值分析的新方法.利用时域有限差分法理论对压电材料的控制方程和牛顿方程在空间和时间上进行了离散化,通过得到的差分方程直接得出了声场传播的时域数...
  • 作者: 郭政华 陈根祥
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  125-128,141
    摘要: 介绍了目前几种常见的光分叉复用器(OADM)的结构和原理,对OADM在长途干线网、城域网以及自动交换光网络(ASON)的应用进行了阐述,给出了OADM的一些最新研究进展及发展方向.
  • 作者: 马玉培
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  129-132
    摘要: 介绍了宽带微波光纤延迟线的基本原理、系统组成.叙述了超宽带微波光纤延迟线的研制过程,包括:光发射模块的研制、光接收模块的研制、低噪声前置放大器的研制及整个系统链路的设计、链接、调试等.最后给...
  • 作者: 任忠平 沈卓身 陈丹
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  133-137
    摘要: 综述了微电子制造工艺中Ti的湿法蚀刻的发展过程,指出了传统Ti蚀刻液的缺点;介绍了最新研究改良后的多种Ti蚀刻液配方和化学药品、废气、废液对人员环境的影响.
  • 作者: 雒向东
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  138-141
    摘要: 采用磁控溅射工艺在单晶Si<111>衬底上制备300 nm厚的Cu膜,用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,研究工艺参数对Cu膜表面形貌的影响.结果表明:随着沉积温度、溅射功率及偏压的变...
  • 作者: 周斌 潘开林 韦荔莆 颜毅林
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  142-146
    摘要: 阐述了在无铅转移过程中涉及的可制造性与可靠性问题,包括无铅转移对元器件、印制电路板与焊点的影响以及它们相互之间的兼容问题.重点论述了前向兼容与后向兼容、锡须、空洞与微空洞、可焊性涂层以及如何...
  • 作者: 周浩 曹先国 李家会
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  147-149,166
    摘要: 介绍了插入式∑-△ A/DC调制器的设计过程,并给出了调制器行为级SIMULINK模型,通过对调制器系统级仿真可以确定调制器的信噪比、增益因子等参数,为其电路设计提供依据.设计了一个4阶调制...
  • 作者: 刘尚合 原亮 吴会丛 宋学军 赵强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  150-153
    摘要: 提出了一种在恶劣环境下实现电路系统高可靠运行的新方法.简要介绍了EHW的基本概念和工作原理,以四选一多路选择器为例阐述了电路的进化设计过程,证明了演化算法的收敛性和演化硬件理论的可行性,为最...
  • 作者: 李争 李哲英
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  154-157
    摘要: 分析了已有电感结构,提出了一种独特的高性能的优化方案,使得螺旋电感的品质因数和差分特性都有了显著的提高.该优化设计尤其适合高性能全差分压控振荡器对高性能螺旋电感的需要.选取典型的单层正方形螺...
  • 作者: 冯辉 李德昌 郝跃 韩红波
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  158-161
    摘要: 在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,根据负载牵引得到的晶体管的输入输出阻抗运用共轭匹配,成功设计出2级LDMOS微波功率放大器,P-1大于45 dBm,在1580~1650 MHz功率增益30...
  • 作者: 李博 李哲英
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  162-166
    摘要: 介绍了一种50 MHz,10位,5V流水线模数转换器的设计.为实现低功耗设计目标,将比较器和OTA作为主要优化对象,采用改进的动态比较结构和套筒式余量放大器(OTA)分别实现上述功能.本设计...
  • 作者: 刘晓为 吕光军 杜兵 殷景华 王树起
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  167-169,181
    摘要: 应用有限元分析软件ANSYS,模拟功率载荷下叠层芯片封装中芯片温度和应力分布情况,得出芯片的温度、应力与材料厚度、热膨胀系数之间的关系,根据分析,对模型进行了优化.优化后的模型最高温度下降了...
  • 作者: 罗亚松 高俊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  170-173
    摘要: 通过对数字下变频器HSP50216内部结构、工作原理及性能特点的介绍,给出了其在下变频处理中的应用.另外,该芯片配有一个测试模式,它通常用来进行芯片检测.给出了利用测试模式来使HSP5021...
  • 作者: 冯彬 刘英坤 孙艳玲 董四华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  174-177
    摘要: 介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法.该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到管芯S参数.此方法...
  • 作者: 杨富宝
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  178-181
    摘要: 研究了快速热退火(RTA)对表面光电压SPV法测试氧化硅片中铁的影响.结果表明,氧化硅片在1100℃的条件下RTA 3min后,SPV测出的铁含量大幅度地减小.由于RTA的均匀化作用,氧化硅...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  182
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  183-184
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  183
    摘要:
  • 作者: 吾玉珍 翁加林 陈学峰 陈建明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年3期
    页码:  185-187
    摘要: 方形扁平无引线(QFN)封装是方形扁平封装(QFP)和球栅阵列(BGA)封装相结合发展起来的先进封装形式,是SMT技术中产品体积进一步小型化的换代产品.讨论了QFN技术的改进及工艺自动化发展...
  • 作者: 乔学光 张晶 王宏亮 王瑜 贾振安 马超
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年3期
    页码:  188-192,207
    摘要: 光纤光栅传感以其强大的优越性受到了社会的广泛关注,波长编码信号解调是实现光纤光栅多参量、多点分布式传感网络的关键技术.综述了光纤光栅传感信号解调技术的研究进展,对几种较成熟的解调方法的工作机...
  • 作者: 侯国付 俞远高 杨瑞霞 薛俊明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年3期
    页码:  193-196
    摘要: 微晶硅NIP太阳电池具有许多优点,如用于制备柔性太阳电池可极大地扩展太阳电池的应用空间,保护窗口层免受等离子轰击以保持其性能,以及扩大窗口层的光学带隙提高太阳电池的开路电压和短路电流等.综合...
  • 作者: 夏立诚 王文骐 祝远渊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年3期
    页码:  197-201
    摘要: 随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟,设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可能.简述了毫米波CMOS技术的发展现状,介绍了毫米波CMOS集成电路的关键技术,即晶体管建模和传输线建模...
  • 作者: 何永基 徐震 易理告 王晓初
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年3期
    页码:  202-204
    摘要: Socket接口是TCP/IP的API,TCP/IP网络中的应用程序,是通过Socket实现的.WinSock是一套开放的、支持多种协议的Windows下的网络编程接口.介绍了利用WinSo...
  • 作者: 姚刚
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年3期
    页码:  205-207
    摘要: 介绍了故障树分析法的原理.以反应离子刻蚀(RIE)设备的典型故障为例,建立故障树,通过求解最小实际故障来进行定性分析.尝试扩展故障树在故障判断和改进真空系统可靠性方面的应用,得出几个有针对性...
  • 作者: 彭佳 钱省三
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年3期
    页码:  208-212
    摘要: 看板是实现拉式派工的有效工具,它可以用于晶圆制造厂清洗区和炉管区之间的动态派工.用Extend仿真建模软件建立了有"重入特性"的晶圆厂仿真模型.通过晶圆厂仿真模型进行模拟,结果显示看板可以解...
  • 作者: 杜鹏搏 蔡克理 蔡树军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年3期
    页码:  213-216
    摘要: 利用光刻胶形成保护侧墙,用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿.这种方法工艺简单,不需要额外的绝缘介质作为掩膜,也不需要双层腐蚀终止层.研发出了带发射极钝化边沿的GalnP/GaAs单异质结双极型晶...
  • 作者: 周鹏举 曹艳荣 郝跃 马晓华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年3期
    页码:  217-219
    摘要: 采用恒定电压应力对90 nm NMOS器件进行了TDDB击穿的评价实验,深入研究了90 nm情况下TDDB的击穿机理,并对器件寿命进行预测和分析.结果表明,随着栅厚的不断减薄,E和1/E寿命...
  • 作者: 张晓
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年3期
    页码:  220-222
    摘要: 常规的GaAs体效应二极管的阴极结构多采用欧姆阴极,在毫米波频段(W 波段),器件的转换效率小于1%.介绍了一种新型的双区阴极结构在W 波段体效应二极管中的实现,并研制出了样品器件.采用此种...
  • 作者: 李旭辉 汤炜 魏爱新
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年3期
    页码:  223-225,229
    摘要: 介绍了掺铒光纤光源的工作原理以及在小体积情况下制作EDFS时,铒纤长度的优化,提高输出光谱的平坦度,提高平均波长稳定度的方法.最后给出了实验样品的测试结果.
  • 作者: 严地 卢盛辉 周伟 杨谟华 罗大为 罗谦 靳翀
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年3期
    页码:  226-229
    摘要: 通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响.研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减.当Vg=0 V,Vd=60 ...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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