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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展
    作者： 刘彩池 张帷 郝秋艳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  93-96
    摘要： Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一,具有宽禁带、高温下物理、化学性质稳定等特点,在光电子、微电子等领域有广泛的应用.降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和...
  • 2. 高k栅介质材料的研究进展
    作者： 符春林 蔡苇 陈刚
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  97-100
    摘要： 综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展.提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题.
  • 3. GaN体单晶生长技术研究现状
    作者： 徐永宽
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  101-105
    摘要： 回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状.主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法,以及HNPSG、助溶剂法、氨热法、提拉法等熔体生长方法.针对每种生长方法,阐述了其生长原理、...
  • 4. Φ200 mm太阳能用直拉硅单晶生长速率研究
    作者： 任丙彦 李彦林 羊建坤
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  106-108,120
    摘要： 介绍了Φ200 mm的太阳能用直拉硅(CZ Si)单晶生长中,采用热屏、复合式导流系统及双加热器改造直拉炉的热系统,进行不同热系统下的拉晶试验,平均拉速从0.6 mm/min提高到0.9 m...
  • 5. 纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响
    作者： 严继康 孙加林 张小文 甘国友 陈海芳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  109-112
    摘要： 采用实验方法研究了纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响.采用扫描电镜测试了样品的显微结构.基于热电子发射理论和样品的电学性能计算了TiO2压敏陶瓷的势垒结构.在室温至320 ℃范围内...
  • 6. 大功率半导体激光器二维阵列光纤耦合技术
    作者： 刘秀玲 徐会武 王聚波 花吉珍 赵润 陈国鹰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  113-116
    摘要： 介绍了大功率半导体激光器二维阵列的光纤耦合技术,其中有整形耦合法、偏振合束法和波长合束法.用光线追迹法进行了二维阵列的光纤耦合模拟,对结果进行了分析,提出了改进办法,为进一步开展二维阵列的光...
  • 7. 一种高线性度CMOS混频器的设计
    作者： 叶水驰 吴明明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  117-120
    摘要： 采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度.采用TSMC 0.18 μm RF CMOS模型进行了电路仿真.仿真结果:在电源电压为1.8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10.3 dBm,...
  • 8. 基于FDTD的薄膜体声波谐振器的数值分析
    作者： 吕苗 杨瑞霞 池志鹏 赵正平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  121-124
    摘要： 提出了基于时域有限差分方法对薄膜体声波谐振器进行数值分析的新方法.利用时域有限差分法理论对压电材料的控制方程和牛顿方程在空间和时间上进行了离散化,通过得到的差分方程直接得出了声场传播的时域数...
  • 9. 光分叉复用器技术及其应用
    作者： 郭政华 陈根祥
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  125-128,141
    摘要： 介绍了目前几种常见的光分叉复用器(OADM)的结构和原理,对OADM在长途干线网、城域网以及自动交换光网络(ASON)的应用进行了阐述,给出了OADM的一些最新研究进展及发展方向.
  • 10. 超宽带微波光纤延迟线
    作者： 马玉培
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  129-132
    摘要： 介绍了宽带微波光纤延迟线的基本原理、系统组成.叙述了超宽带微波光纤延迟线的研制过程,包括:光发射模块的研制、光接收模块的研制、低噪声前置放大器的研制及整个系统链路的设计、链接、调试等.最后给...
  • 11. 微电子制造中Ti的湿法蚀刻
    作者： 任忠平 沈卓身 陈丹
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  133-137
    摘要： 综述了微电子制造工艺中Ti的湿法蚀刻的发展过程,指出了传统Ti蚀刻液的缺点;介绍了最新研究改良后的多种Ti蚀刻液配方和化学药品、废气、废液对人员环境的影响.
  • 12. 磁控溅射Cu膜的表面形貌演化研究
    作者： 雒向东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  138-141
    摘要： 采用磁控溅射工艺在单晶Si<111>衬底上制备300 nm厚的Cu膜,用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,研究工艺参数对Cu膜表面形貌的影响.结果表明:随着沉积温度、溅射功率及偏压的变...
  • 13. 无铅转移与过渡技术
    作者： 周斌 潘开林 韦荔莆 颜毅林
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  142-146
    摘要： 阐述了在无铅转移过程中涉及的可制造性与可靠性问题,包括无铅转移对元器件、印制电路板与焊点的影响以及它们相互之间的兼容问题.重点论述了前向兼容与后向兼容、锡须、空洞与微空洞、可焊性涂层以及如何...
  • 14. 一种高阶1 bit插入式∑-△调制器的设计
    作者： 周浩 曹先国 李家会
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  147-149,166
    摘要： 介绍了插入式∑-△ A/DC调制器的设计过程,并给出了调制器行为级SIMULINK模型,通过对调制器系统级仿真可以确定调制器的信噪比、增益因子等参数,为其电路设计提供依据.设计了一个4阶调制...
  • 15. 外部型数字电路进化设计研究
    作者： 刘尚合 原亮 吴会丛 宋学军 赵强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  150-153
    摘要： 提出了一种在恶劣环境下实现电路系统高可靠运行的新方法.简要介绍了EHW的基本概念和工作原理,以四选一多路选择器为例阐述了电路的进化设计过程,证明了演化算法的收敛性和演化硬件理论的可行性,为最...
  • 16. 集成电感设计优化方法
    作者： 李争 李哲英
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  154-157
    摘要： 分析了已有电感结构,提出了一种独特的高性能的优化方案,使得螺旋电感的品质因数和差分特性都有了显著的提高.该优化设计尤其适合高性能全差分压控振荡器对高性能螺旋电感的需要.选取典型的单层正方形螺...
  • 17. LDMOS微波功率放大器分析与设计
    作者： 冯辉 李德昌 郝跃 韩红波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  158-161
    摘要： 在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,根据负载牵引得到的晶体管的输入输出阻抗运用共轭匹配,成功设计出2级LDMOS微波功率放大器,P-1大于45 dBm,在1580～1650 MHz功率增益30...
  • 18. 流水线ADC低功耗结构研究
    作者： 李博 李哲英
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  162-166
    摘要： 介绍了一种50 MHz,10位,5V流水线模数转换器的设计.为实现低功耗设计目标,将比较器和OTA作为主要优化对象,采用改进的动态比较结构和套筒式余量放大器(OTA)分别实现上述功能.本设计...
  • 19. 功率载荷下叠层芯片封装的热应力分析和优化
    作者： 刘晓为 吕光军 杜兵 殷景华 王树起
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  167-169,181
    摘要： 应用有限元分析软件ANSYS,模拟功率载荷下叠层芯片封装中芯片温度和应力分布情况,得出芯片的温度、应力与材料厚度、热膨胀系数之间的关系,根据分析,对模型进行了优化.优化后的模型最高温度下降了...
  • 20. 数字下变频器HSP50216原理及测试模式的使用
    作者： 罗亚松 高俊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  170-173
    摘要： 通过对数字下变频器HSP50216内部结构、工作原理及性能特点的介绍,给出了其在下变频处理中的应用.另外,该芯片配有一个测试模式,它通常用来进行芯片检测.给出了利用测试模式来使HSP5021...
  • 21. 通过TRL校准提取管芯S参数的技术
    作者： 冯彬 刘英坤 孙艳玲 董四华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  174-177
    摘要： 介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法.该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到管芯S参数.此方法...
  • 22. 快速热退火对SPV法测试氧化硅片中铁的影响
    作者： 杨富宝
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  178-181
    摘要： 研究了快速热退火(RTA)对表面光电压SPV法测试氧化硅片中铁的影响.结果表明,氧化硅片在1100℃的条件下RTA 3min后,SPV测出的铁含量大幅度地减小.由于RTA的均匀化作用,氧化硅...
  • 23. 新闻点评
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  182
    摘要：
  • 24. 综合新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  183-184
    摘要：
  • 25. 业界动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  183
    摘要：
  • 26. 投稿论文格式
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  后插1
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
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