论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 工业技术期刊 \
- 无线电电子学与电信技术期刊 \
- 半导体技术期刊 >
半导体技术2011年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
分享
投稿
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
分享
文章浏览
目录
-
181. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年9期页码:摘要：
-
182. 甚短距离光互连模块技术的发展动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 甚短距离光互连技术作为一种突破铜线互连传输瓶颈有效方法,受到了广泛关注.半导体光学器件技术、高速化集成电路技术和光电模块封装技术作为实现光互连的关键技术发展较为迅速.首先阐述了垂直腔面发射激...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点.通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 采用金属有机物化学气相沉积( MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD) ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量2...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比.实验发现白光LED的电致发...
-
186. X波段反馈式介质振荡器研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 针对X波段串联和并联两种结构的反馈式介质振荡器(DRO)进行了较深入的研究,并介绍了一种通用的介质振荡器设计方法,设计、实现了这两种反馈式介质振荡器,实验表明该设计方法简单可行.首先运用电磁...
-
187. 蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 低温下,在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN( LT-GaN)缓冲层,并对其表面形貌进行了细致的观察,发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象.基于不同...
-
188. Bi2Te3热电材料研究现状刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： Bi2Te3热电材料是半导体材料,室温下具有良好的热电特性,能够实现热能和电能的相互转化,应用前景十分广阔.Bi2Te3热电材料的转换效率低是影响其应用的瓶颈之一,目前世界范围内的研究热点主...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点.增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的...
-
190. 氧化锌纳米线晶体管的电学特性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 成功制作了氧化锌纳米线沟道场效应晶体管器件,所制作器件的电学性能通过I-V测试进行了分析.使用了水浴法生长了单晶性完整的氧化锌纳米线,该纳米线被用作背栅场效应晶体管的沟道,采用光刻方式制备的...
-
191. 初始埚位对单晶少子寿命的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 在KX260晶体生长系统上装备24英寸(1英寸=2.54 cm)热场,装料量为120 kg.采用5种不同的初始埚位(-50,- 60,- 70,- 80,-90 mm),其他工艺参数相同的晶...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 设计了一款用于中国60 GHz标准频段的射频接收前端电路.该射频接收前端采用直接变频结构,将59 ～ 64 GHz的微波信号下变频至5～10 GHz的中频信号.射频前端包括一个四级低噪声放大...
-
193. 低压差双电容补偿高瞬态响应线性稳压器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 为适应现代电子产品对电源性能的较高要求,基于教学中应用的Spectre平台,采用源随器补偿方法设计了一种无片外电容的LDO稳压器.小补偿电容和大驱动能力的两级运放误差放大器,加快了电路的响应...
-
194. 一种用于白光LED驱动的电荷泵的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 提出了一种可用于白光LED驱动芯片的电路设计,主要从低噪声、高效率两方面进行设计.采用线性模式控制方法,最大限度减小电荷泵电源电流纹波,从而降低噪声,同时应用多增益工作模式提高不同输入电源电...
-
195. 电路板级互连焊点故障监测和预警刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 针对互连焊点在长期应力作用下的蠕变失效,探讨了焊点阻值退化的一般性趋势,在此基础上提出了一种基于电阻电桥原理的焊点故障监测和预警电路设计方案,并基于电子产品可靠性保障工程应用,讨论了电路板级...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 提出了一种利用键合线提高ESD保护电路射频性能的新型片外ESD保护电路结构.该新型结构在不降低ESD保护电路抗静电能力前提下,提高了ESD保护电路射频性能.针对一款达林顿结构ESD保护电路,...
-
197. 激光钻孔GaN基LED可靠性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要： 对GaN基大功率LED工作的可靠性进行了分析,进而提出采用激光钻孔技术,利用高能激光束将蓝宝石基板打出孔洞,并在孔洞内壁蒸镀金属层薄膜.利用金属良好的导热性能,将芯片表面热能传导至基板,并利...
-
198. 飞思卡尔中国技术论坛在深圳开幕刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年10期页码:摘要：
-
199. 宽带隙半导体材料光电性能的测试刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年11期页码:摘要： 主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱( InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与...
-
200. GaN薄膜的椭偏光谱研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年11期页码:摘要： 采用椭圆偏振光谱法,在1.50 ～6.50 eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质.建立GaN表...
-
201. 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年11期页码:摘要： 随着半导体技术的发展,芯片特征尺寸缩小到深亚微米和纳米时,铜互连技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,从而对高纯铜靶材的要求越来越高.从靶材制造的角度利用材料学的知识对铜靶材的晶体结构、...
-
202. GaAs同质外延生长过程的RHEED分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年11期页码:摘要： 采用激光分子束外延方法( L-MBE),在GaAs (001)衬底上同质外延GaAs薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级条纹及其强度的变化,进而得出GaAs薄...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年11期页码:摘要： 随着集成电路特征尺寸的减小、低κ介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键.采用法国Alpsitec公司的E460E抛光...
-
204. 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年11期页码:摘要： 沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与p型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在p型体区中做出阻挡源区注入的胶块,然后再进行源区注入.提出几种其他的制...
-
205. 一种用于角度传感器中的仪表放大器刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年11期页码:摘要： 主要设计了一种用于角度传感器系统中的仪表放大器.为了满足角度传感器系统中对信号频率的要求,需要仪表放大器的带宽足够宽能够达到3.3 MHz.该电路采用标准三运算放大器结构电路,以折叠共源共栅...
-
206. FPGA芯片内数字时钟管理器的设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年11期页码:摘要： 在FPGA芯片内,数字时钟管理器(DCM)不可或缺,DCM主要完成去时钟偏移、频率综合和相位调整的功能,其分别由延迟锁相环(DLL)、数字频率合成器(DFS)以及数字相移器(DPS)三个模块...
-
207. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年11期页码:摘要：
-
208. 一种高功率馈线合成器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年11期页码:摘要： 讨论了一种应用宽边耦合线技术设计和制造的功率合成器,介绍了其基本应用原理和工作模式.以一种L波段的高功率合成器为例,应用计算机CAD技术进行模拟仿真,并将仿真结果与实测结果进行了对比,结果表...
-
209. 一种宽带OFDM信号接收电路的设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年11期页码:摘要： 针对无线局域网( WLAN)系统中的宽带OFDM信号接收,提出了一种OFDM信号接收电路设计.设计的接收电路主要包括正交下变频电路和全直流耦合驱动电路两个部分,电路采用差分结构,能够有效抑制...
-
210. 2～18GHz宽带ALC放大器刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年11期页码:摘要： 介绍了自动电平控制( ALC)放大器的工作原理,研究了组成ALC系统的放大器、衰减器及检波器的特性.采用宽带理论和微波仿真软件,设计了一种2～ 18 GHz宽带ALC放大器,并给出了测试结果...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
半导体技术统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
- 期刊分类
- 最新期刊
- 期刊推荐
- 相关期刊
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
半导体光电
半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
电信建设
北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
