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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. GaN基不同电极形状的LED性能比较
    作者： 张俊兵 曾祥华 林岳明 王书昶 董雅娟 金豫浙
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  177-181,193
    摘要： 对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析...
  • 2. Ti02-SnO2紫外光照下对醇类气体气敏性能的研究
    作者： 付萍 张宏 林志东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  182-186
    摘要： 采用溶胶-凝胶法制备了不同配比的TiO2-SnO2纳米复合材料,以其作为气敏材料制备成旁热式气敏元件,研究了气敏元件在紫外光照下的气敏特性.结果表明,复合材料平均晶粒尺寸为19nm,Sn02...
  • 3. 基本周期对一维复周期光子晶体禁带的影响
    作者： 程阳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  187-189
    摘要： 利用由传输矩阵法得到的一维光子晶体的反射率计算公式,针对具体的一维复周期全息光子晶体的周期结构,计算了光学厚度的改变以及折射率调制周期的改变对光子禁带结构的影响.结果表明,随着光学厚度对比的...
  • 4. 14.5～15GHz11W内匹配功率器件
    作者： 吴洪江 吴阿慧 康建磊 杨克武
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  190-193
    摘要： 介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件.为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制作了总栅宽19.2mm的大功率管芯.采用频带较宽...
  • 5. 多晶硅薄膜晶体管RPI模型的直流参数提取
    作者： 邓婉玲
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  194-198,209
    摘要： 多晶硅薄膜晶体管(TFT)在有源液晶显示器中的应用充分显示了它的性能优点.对多晶硅TFT进行模型分析和参数提取是理解多晶硅TFT工作原理和指导制备的有效途径.归纳并讨论了多晶硅薄膜晶体管RP...
  • 6. 光刻过程RtR控制方法研究进展分析
    作者： 王亮 胡静涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  199-205
    摘要： 首先对光刻过程和RtR (Run-to-Run)控制技术的产生背景进行了介绍,对统计过程控制的不足进行了分析并给出了RtR控制器的一般结构.然后从过程建模和控制算法两个角度对三种主要的光刻过...
  • 7. 垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术
    作者： 伊晓燕 刘志强 李晋闽 王军喜 王良臣 黄亚军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  206-209
    摘要： 为了提升垂直结构LED提取效率,针对器件侧壁出光的研究越发引起研究人员的关注.由于GaN的高折射率,大部分有源区发出的光线将被限制在GaN层内横向传输.对不同刻蚀倾角侧面的光提取效率进行分析...
  • 8. CdTe纳米线/纳米管薄膜电沉积法制备研究
    作者： 吴敏 张世超 林若虚
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  210-214
    摘要： 使用电沉积方法,在碱性体系中Ni箔表面制得直径约为100nm的CdTe纳米线/纳米管薄膜,并系统研究了电位、镀液浓度及热处理对于该材料微观形貌的影响.XRD结果证明,未经退火处理的薄膜由Cd...
  • 9. 微型色谱的信号采集系统对瓦斯的检测研究
    作者： 孙建海 崔大付 张璐璐 李辉 蔡浩原 陈兴
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  215-217,233
    摘要： 介绍了以ARM芯片为核心器件,研制出低噪声、高分辨率的信号采集系统.该系统的噪声RMS值少于0.2mV,显示出良好的抑制噪声的能力,而且系统分辨率达到10-4mV数量级.随后,利用设计的信号...
  • 10. UWB LNA的增益平坦化及稳定性的反馈技术
    作者： 丁春宝 张万荣 张东晖 谢红云 赵昕 金冬月
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  218-222
    摘要： 从异质结晶体管(HBT)的小信号模型着手,得到了几种不同反馈形式下HBT的S参数解析表达式.通过对比不同反馈形式的仿真结果,分析了各种反馈形式对S参数的影响,并着重研究了反馈技术对电路稳定性...
  • 11. 由C++到Verilog实现数字逻辑设计的方法
    作者： 吕楠 吴春瑜 孟祥鹤 梁洁 王绩伟 韩路
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  223-228,241
    摘要： 通过介绍C++语言配合Verilog HDL来进行数字逻辑设计的模式,提出了一种由C++到Verilog来实现逻辑设计的崭新方法.此方法从系统设计(虚拟机)入手,用C++来搭建所需要的系统模...
  • 12. 高性能CMOS带隙基准电压源及电流源的设计
    作者： 刘强 徐星 袁红辉 陈世军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  229-233
    摘要： 介绍了一种高性能CMOS带隙基准电压源及电流源电路,基准电压源使用两个二极管串联结构来减小运放失调影响结果的系数,同时采用大尺寸器件减小运放的失调;采用共源共栅电流镜提供偏置电流来减小沟道长...
  • 13. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  233,241,254-256
    摘要：
  • 14. 吸收型准高斯带通滤波器的研制
    作者： 刘超 李丽 李明武 杨亮
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  234-237
    摘要： 在数字及高速率信号传输系统中,经常采用Bessel或Gaussian函数滤波器,该类滤波器只有在中心频率(带通滤波器)或DC处(低通滤波器)才有良好的匹配特性,在其他频点都有很大的反射,在微...
  • 15. 宽带pin二极管单刀双掷开关的设计与实现
    作者： 吴景峰 杨瑞霞 王立发 贾英茜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  238-241
    摘要： 采用两个pin二极管设计、仿真,制作了一个8～20GHz并联结构的高功率容量的单刀双掷开关.首先通过采用一个新的电路结构,该电路结构除了传统的并联pin单刀双掷开关结构外,还有微带线匹配电路...
  • 16. LED典型失效机理
    作者： 彭泽亚 李少平 肖诗满
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  242-246
    摘要： 鉴于LED芯片尺寸较小,散热和成本的压力,LED封装难度很大,暴露出来的可靠性问题也最多.LED失效后,往往能够通过电参数测试、内部形貌分析、剖面检查、SEM检查等方法暴露失效现象、分析出失...
  • 17. 微波组件生产中多余物的来源与预防措施
    作者： 凌学民 杜银波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  247-251
    摘要： 对生产、使用中出现的多起因多余物导致的质量问题的原因进行了分析,探讨了如何控制多余物和提高产品的可靠性.原材料、生产环境、工艺控制、检验手段和人员水平是控制多余物产生的主要因素.在实际生产中...
  • 18. 飞思卡尔DSP系列为下一代无线基站部署提供更高的性能支持
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  252-253
    摘要：
  • 19. 飞思卡尔推出业界首个多模无线基站处理器系列,满足对小型蜂窝到大型蜂窝的全面支持
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  253
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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