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半导体技术2011年第8期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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总被引数（次）
24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 设计并制作了一种新型的基于Si塑性变形的二维驱动器,驱动器由外围垂直驱动和内部水平驱动两部分组成.驱动器的制作采用普通Si片Si-Si键合技术,首先在结构片正面制作出绝缘填充槽,以实现垂直驱...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 在分析碱性Cu化学机械抛光液作用机理的基础上,考察了抛光液对铜晶圆电化学、表面形态、化学机械抛光去除速率等性能.结果发现:选用新研制的络合剂R(NH2)n,将Cu的氧化物、氢氧化物转化为可溶...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 使用发射波长为395～400 nm的近紫外LED芯片来激发发射峰值波长分别在615,505和445 nm的红绿蓝三基色荧光粉,建立三基色荧光粉混光理论模型,制作不同色温下高显色指数白光发光二...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： STATZ模型是表征GaAs MESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点.通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模...
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5. 脉冲压缩开关DBD研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 延迟击穿器件(DBD)是一种新型的半导体导通式开关,它具有重复工作频率高、体积小、重量轻、稳定性好等优点.利用此种开关对基于半导体断路开关( semiconductoropening swi...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 提出了一种“开路-直通”的级联结构的二端口网络的晶体管高频噪声去嵌结构以及与此相关的基于噪声相关性矩阵的去嵌方法.和传统的需要配备两个“直通”结构的方法相比较,该结构及方法在版图配合的基础上...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 随着半导体工艺的不断发展,器件的特征尺寸在不断缩小,栅氧化层也越来越薄,使得器件受到静电放电破坏的概率大大增加.为此,设计了一种用于保护功率器件栅氧化层的多晶硅背靠背齐纳二极管ESD防护结构...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 为了研究不同压力和不同模板对InAlN薄膜外延生长的影响,分别选取以GaN为模板时生长压力为4.00、6.67和13.33 kPa,压力为4.00 kPa时模板为GaN和A1N这两组条件进行...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 对比观察了不同工艺条件下金刚石线锯和砂浆线锯切割晶体Si片的表面微观形貌；分析了其切割机理及去除模式；对比分析了三种不同化学方法钝化Si片的效果和稳定性；采用逐层腐蚀去除Si片的损伤层,使用...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 基于GaAs pHEMT工艺,设计了一个6～ 18 GHz宽带有源倍频器MMIC,最终实现了较高的转换增益和谐波抑制特性.芯片内部集成了输入匹配、有源巴伦、对管倍频器和输出功率放大器等电路....
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11. 高共模输入电平的迟滞比较器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 提出了一种新颖的基于双极工艺的迟滞比较器,该电路在保持了传统电路的高共模输入电平和低功耗的优点的同时,在电路结构上比传统的电路节省了一级射随器.此外,为了保证该迟滞比较器中两级运算放大器的稳...
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12. 高隔离度Ka波段平面魔T的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 提出了一种适合于毫米波微波集成电路(MIC)的高隔离度平面魔T结构,该结构属于一种新型的180°平面型混合网络.基于传统的微带混合环原理,引入了微带-槽线过渡的结构,两个端口之间的180°相...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 设计了一款甚高频(VHF)波段功率放大器电路.该功率放大器使用MOS管BLF244的推挽式结构,采用集电极负反馈偏置技术和集总元件、传输线变压器混合匹配电路进行实现.使用集电极负反馈技术确保...
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14. 微波晶体管测试夹具技术的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 微波晶体管是无线通信、雷达等电子系统中的关键部分.由于其高频特性以及一般非50 Ω特性阻抗,准确评估其性能有较大的难度.晶体管大都为不同形式的表面贴装或表面安装器件,而目前微波测试系统基本上...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 温度应力的加速寿命试验结果与所用夹具的耐温性及壳温的精确测量与控制直接相关.通过大量研究,发现一体式夹具在试验壳温提高到某一值时性能迅速劣化,因此设计符合高温下使用的分离式夹具是加速寿命试验...
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16. X射线照相发现的管壳缺陷分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 现在对半导体器件的可靠性要求越来越高,因此对器件的质量检测提出了严格的要求,为了能准确检测器件质量是否合格,使用X射线检测技术对器件进行无损检测.X射线对缺陷损伤做快速精确探测分析具有方便、...
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17. 高功率半导体激光器测试系统刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要： 利用SGI40 - 125AAA型程控直流电源、PCI - GPIB卡、电压表、功率计表以及光谱仪等建立高功率半导体激光器测试系统,并在LabVIEW环境下开发了测试软件,通过软件控制直流电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要：
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19. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年8期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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