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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
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  • 31. 大功率白光LED封装结构和封装基板
    作者： 傅仁利 方军 花刚 赵维维 钱凤娇 钱斐 顾席光
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年2期
    页码:  140-147
    摘要： 随着LED在照明领域的不断发展,功率和亮度不断提高,尤其是大功率白光LED的出现,热问题成为制约LED进一步发展的关键问题.介绍了大功率白光LED引脚式封装、表面贴装式(SMT)、板上芯片直...
  • 32. LBGA336P封装材料对其热性能的影响
    作者： 徐冬梅 谌世广
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年2期
    页码:  148-152
    摘要： 随着科技的不断发展,电子设备变得更加高效、稳定、集成度更高,热性能对封装电子产品的可靠性影响越来越大.据统计,约55％的电子设备的失效是由高温引起的,器件的工作温度平均每提高10℃,设备失效...
  • 33. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年2期
    页码:  152,159
    摘要：
  • 34. 45nm双大马士革Cu互连逆流电迁移双峰现象及改善
    作者： 唐建新 王晓艳 程秀兰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年2期
    页码:  153-158
    摘要： 集成电路中金属连线的逆流电迁移(EM)的双峰失效现象在45 nm双大马士革低k材料铜布线工艺中变得尤为突出,介绍了由于空洞存在于连接电路导致电迁移的早期失效,总结出两个早期失效的主要原理:分...
  • 35. SiC新一代电力电子器件的进展(续)
    作者： 赵正平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  161-167
    摘要：
  • 36. 一款应用于电能计量芯片中的∑-△调制器设计
    作者： 万培元 林平分 郎伟 陆游
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  168-172
    摘要： 提出了一款低功耗、大动态范围输入的sigma-delta(∑-△)调制器设计.调制器采用前馈结构与一比特量化器,前馈结构降低了系统对积分器内运算放大器线性度以及转换速率的需求.积分内的运算放...
  • 37. 对数域滤波器的设计与仿真研究
    作者： 程红丽 葛文祖
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  173-177,188
    摘要： 对数域滤波器可用以扩大有源滤波器的输入动态范围,减小输入输出信号间的相移.设计了一种对数域二阶低通滤波器,采用基于二阶低通LC滤波器的信号流图设计方法,并利用元件替代法获取二阶对数域低通滤波...
  • 38. 用于医疗探测超低功耗417 MHz OOK RF收发机芯片
    作者： 李琛 赵宇航
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  178-183
    摘要： 介绍了一种应用于医疗探测的工作在417 MHz频段的二进制开关键控调制(OOK)射频收发机芯片.基于平方求和的模拟解调方法,该射频收发机采用了低中频的系统架构,减低了振荡器的精度要求从而节省...
  • 39. 一种正电控制大衰减量的6 bit单片数控衰减器
    作者： 刘金 王凯 王清源 甄建宇 赵瑞华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  184-188
    摘要： 分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器.并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平...
  • 40. 顶发射有机发光器件的研制
    作者： 王加贤 郭荣新 陈燕
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  189-193
    摘要： 由于具有较高的器件效率、开口率及分辨率,顶发射有机发光器件受到了越来越多的重视.不同于底发射器件,顶发射器件存在较为明显的微腔效应.由于微腔的作用,顶发射有机发光器件存在着发光峰随观察角度增...
  • 41. 短漂移区静电感应晶体管的特性研究
    作者： 刘亚虎 张琳娇 朱延超 杨建红
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  194-198
    摘要： 为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600 ～ 800 MHz、通态电流I≈2 A、栅源...
  • 42. 屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制
    作者： 刘英坤 孙艳玲 李飞 胡顺欣 邓建国
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  199-202
    摘要： 在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间...
  • 43. 40 nm狗骨结构对n-MOSFET的性能影响
    作者： 周建伟 王磊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  203-206
    摘要： 设计了一组测试结构用来探讨狗骨(dogbone)结构有源区对n-MOSFET性能的影响因素.测试结构和测量数据基于40 nm工艺技术,通过改变狗骨结构有源区的通孔区域到栅极之间的长度(S)来...
  • 44. 基于GaN-HEMT L波段高线性度功率放大器
    作者： 吴景峰 孙志宇 林朋 王旭东 王立发
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  207-211
    摘要： 介绍了一种基于GaN-HEMT的L波段线性功率放大器,GaN功率HEMT具备高电压、高功率密度和高温工作等特点,对提升功率放大器线性输出功率、工作效率和增益等性能起到重要作用.在GaN功率H...
  • 45. 新颖半导体二硫化钼
    作者： 袁明文
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  212-215
    摘要： 描述了一种新颖的、单层厚度0.65 nm并具有直接带隙约为1.8 eV的半导体材料——二硫化钼(MoS2)的研究现状.过渡金属二硫化物半导体MoS2具有电气、光学和催化剂性质以及重要的干润滑...
  • 46. 常用封装材料的激光封焊工艺研究
    作者： 吴洪江 李娜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  216-221
    摘要： 介绍了激光封焊工艺的优越性及其主要工艺参数对封焊效果产生的影响,对铝合金、铜和可伐等几种常用封装材料进行了封焊研究,比较了不同表面处理对封焊效果产生的影响.实验表明,表面镀镍金可以减少镜面反...
  • 47. 不同发射区周长面积比双极晶体管的电离辐照效应
    作者： 吕曼 吕长志 孙江超 张小玲 张彦秀 王鹏鹏 谢雪松
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  222-226
    摘要： 对制作工艺相同但发射区周长面积比不同的npn和pnp两种类型双极晶体管进行了辐照实验,研究了双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效应,分析了影响双极晶体管电离总剂量辐射特性的关键因素.实...
  • 48. 小子样正态寿命型IC的可靠性评估
    作者： 姚若河 邹心遥
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  227-230
    摘要： 面对集成电路(IC)在寿命试验中难以得到大量失效数据的小子样情形,提出了基于最小二乘支持向量机(LSSVM)的小子样正态寿命型IC可靠性评估方法.该方法的主要思想是基于寿命试验数据建立最小二...
  • 49. 通用鉴相式瞬时测频模块设计
    作者： 王志强 范海玲 赵鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  231-234
    摘要： 介绍了一种通用瞬时测频模块,并阐述了其工作原理以及硬件与软件实现.该模块利用鉴相器AD8302与大规模数字逻辑器件现场可编程门阵列(FPGA)实现了对输入射频信号高精度、高速、准确测频.该模...
  • 50. ICP设备的使用与维护
    作者： 吴海
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  235-238
    摘要： 介绍了电感耦合等离子(ICP)刻蚀系统的刻蚀原理,分析了电感耦合等离子刻蚀系统在刻蚀晶圆的过程中遇到的刻蚀速率和刻蚀均匀性等方面的问题,具体分析了刻蚀速率和刻蚀均匀性的影响因素.同时,描述了...
  • 51. 高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究
    作者： 单智发 张永 林志伟 王向武 蔡建九 陈凯轩
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  241-247
    摘要： 在综述高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的研究现状与发展趋势的基础上,对高倍聚光太阳电池的关键技术、性能提升方法和可靠性进行了研究.指出提高隧穿电流和降低串联电阻是高倍聚光三...
  • 52. 场序彩色硅基液晶微显示驱动电路设计
    作者： 杜寰 林斌 罗家俊 赵博华 韩郑生 马飞 黄苒
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  248-253,267
    摘要： 基于0.35 μm二层多晶硅四层金属(2P4M) 3.3 V/5 V双电源电压CMOS混合信号工艺,设计了能应用到投影显示的一种分辨率为800×600硅基液晶(LCoS)微显示驱动电路芯片....
  • 53. 2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片
    作者： 刘志军 吴洪江 崔玉兴 陈凤霞 高学邦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  254-258
    摘要： 在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成.数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点.2～12 GHz6 ...
  • 54. SiGe HBT高增益宽带低噪声放大器设计
    作者： 徐永祥 李国军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  259-262,296
    摘要： 基于锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)工艺设计了一款单片集成高增益宽带低噪声放大器(LNA).该放大器采用复合型电阻负反馈结构,通过调整不同的反馈电阻,同时实现了良好的端口匹配、低噪声...
  • 55. 低相噪抗振动温补晶振的研制
    作者： 孙敏 王占奎 陈中平 黎敏强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  263-267
    摘要： 为满足通信系统对振动环境下相位噪声提出的更为严格的要求,提出了一种低相噪、抗振动温补晶振的设计方法.分析了影响温补晶振静态相位噪声的因素,通过ADS仿真对电路参数进行优化,实现了低的静态相位...
  • 56. 单材料双功函数栅MOSFET的电容模型
    作者： 代月花 周茂秀 张伟 徐太龙 赵强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  268-272
    摘要： 基于表面势理论和电荷平衡方程,建立了一种单材料双功函数栅(single materialdouble workfunction gate,SMDWG) MOSFET的电容模型,分别给出了SM...
  • 57. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  272,305,317-320,前插1-前插2
    摘要：
  • 58. 两象限零电压开关DC-DC的设计与实现
    作者： 刘迎迎 吴建忠 张创
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  273-278,282
    摘要： 传统的DC-DC转换器由电感、电容构成,通常电感和电容的面积很大,而且在开关导通和关断时的损耗严重.文章分析了两象限零电压开关准谐振(ZVS-QRC) DC-DC转换器的原理,使用罗氏谐振器...
  • 59. 阳极端点支撑空气桥结构太赫兹GaAs二极管
    作者： 冯志红 宋旭波 张士祖 张立森 梁士雄 王俊龙 蔡树军 邢东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  279-282
    摘要： 研发了具有阳极端点支撑悬浮空气桥结构的太赫兹GaAs肖特基二极管工艺制作技术.该制作技术可以大幅降低GaAs肖特基二极管的寄生电容.利用此项技术,制作出了具有极小寄生电容和串联电阻的太赫兹G...
  • 60. Si衬底LED薄膜芯片Ni/Ag反射镜保护技术
    作者： 刘军林 江风益 熊传兵 王光绪 王立
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  283-287
    摘要： Ag基反射镜提高了薄膜型LED芯片的出光效率,但其易受破坏,通常选择抗腐蚀金属作为其保护材料,同时需要研究保护金属与p-GaN的接触性能,避免在p-GaN上同时形成两种欧姆接触引入的电流分流...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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