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半导体技术2013年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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151. 两电平调制Doherty功率放大器刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 提出了一种改进型的Doherty功率放大器.根据输入功率的大小不同,Doherty功率放大器的主功率放大器漏极采用两个不同的电压来供电,进而来提高Doherty功率放大器的效率.实现方法是在...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC-IGBT)制造难度高的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将点注入局部窄台面(PNM)槽栅结构应用于IGBT中,提出一种600 V新型槽栅内透明...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 阻挡层的平坦化直接决定了多层铜布线化学机械平坦化结果的好坏和器件的成品率,而阻挡层抛光液作为阻挡层平坦化的重要组成部分,其作用至关重要,研发了一种高性能的碱性阻挡层抛光液.采用在300 mm...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜.为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 阻变式随机存储器(RRAM)是目前新型存储器领域的研究热点.基于ZrO2材料,选取Al和Ag作为杂质元素.采用第一性原理方法计算了掺杂条件下ZrO2中氧空位的形成能、氧空位之间的作用能等重要...
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156. Zn掺杂TiO2纳米管的制备与光催化活性刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 采用浸渍法制备了Zn掺杂的TiO2纳米管,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射图谱(XRD)和紫外-可见光谱(UV-Vis)等对TiO2纳米管薄膜的结构与性能进行了表征,研究了Zn2浓度...
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157. TSV结构的几种SPICE模型仿真刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素.基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总...
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158. 提高集成电路ESD防护能力的仿真方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 为解决集成电路的全芯片静电防护设计中寄生电阻导致的防护空间压缩问题,提出了一种实用的能够在版图设计过程中提高集成电路静电放电(ESD)防护能力的仿真方法,用于评估和控制ESD电流通路上的寄生...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 6T静态随机存储器(SRAM)在新的集成电路技术节点被广泛用于制造工艺的研发.随着集成电路制造工艺技术节点微缩进入100 nm线宽以下,SRAM存储单元的主流设计使用了新的布局以降低光刻制造...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常现象定位,通过剥层技术查找发生在金属化系统及器件层的各种缺...
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161. 超声波检测在半导体工艺中的应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 基于具体案例分析,介绍了超声波无损检测技术在半导体工艺中的应用.采用回声法和穿透法检测了封装体件内部塑封界面的裂纹、封装体底部填充胶的孔洞以及硅通孔的成型质量.通过声波成像原理和实例分析的比...
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162. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要：
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163. 高效率晶体硅太阳电池研究及产业化进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 高效率晶体硅太阳电池研究及产业化已成为世界各国光伏技术研究的重点和大力发展的战略性新兴产业.2012年晶体硅太阳电池占全球光伏市场约90％的份额,已经成为光伏行业的主流技术,单晶硅太阳电池实...
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164. 一款超宽带GaAs单片数字移相器刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 分析了单片数字移相器的移相原理,详细介绍了每一个基本移相位的设计方法及结构,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺技术设计并制作了一款超宽带6 bit数字移相器.采用ADS M...
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165. 多段LC VCO的自适应频段选择技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 研究了一款单片CMOS LC压控振荡器(VCO).除可变电容和开关电容阵列外,设计中还应用了二叉树的原理.多频段VCO自适应选择最优工作频段,将压控电压置于预先设定的范围内,谐振频率放在该频...
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166. 一种用于非接触式智能卡的高速ASK解调器刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 采用0.18 μm CMOS工艺设计了一种符合ISO/IEC 14443 Type B协议标准的非接触式智能卡ASK解调器.电路工作在电压模式,通过具有相同直流通路的低通滤波电路提取射频信号...
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167. 适用于光电式烟雾探测器的LED驱动电路刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 针对光电式烟雾探测器的特殊性,设计了一种LED的驱动电路,该驱动电路能为光电式烟雾探测器的光源提供所需要的驱动电压,且驱动电压基本与电源无关.基于负载的特殊要求,电路需要具有较强的驱动能力....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 设计了一种无线无源电容压力传感器.传感器采用MEMS工艺由硅-玻璃浆料-硅键合而成,独特的三层结构设计用以实现高温环境下的测量.应用有限元分析软件对传感器结构进行了仿真分析,并详细介绍了其加...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 对具有不同的栅极场板结构的p-GaN栅高迁移率晶体管(HEMT)器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了仿真.仿真结果表明,具有p-GaN栅...
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170. 温度对GaN基LED光学性能的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 选择两个不同厂家生产的1WGaN基LED芯片分为两组,一组为未经处理的蓝光芯片,另一组实验样品为涂敷相同荧光粉的白光芯片,两组实验样品均使用透明硅胶封装.对LED进行5～75℃范围内变温光学...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了＜100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响.采用平放肩工艺进行了3～4英寸(1英寸=2.54 cm...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 基于第一性原理对双Ti掺杂下相邻位置氧空位形成能以及整体缺陷结合能进行计算,阐述不同相对位置双Ti掺杂对氧空位形成以及整体缺陷稳定性的影响.另外通过配置双Ti之间氧空位数量及其价态来研究电子...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 通过两步法在普通载玻片上成功制备了具有六角纤锌矿结构且沿(002)衍射峰c轴择优取向生长的铕掺杂氧化锌(ZnO∶ Eu3+)薄膜.首先利用CS-300直流磁控溅射镀膜机在载玻片上制备ZnO种...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 系统研究了HCl的载气、NH3的载气、总N2载气流量以及镓源反应温度和外延生长温度对氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长的GaN膜晶体质量的影响,并利用高分辨X射线衍射技术,喇曼光谱和光致发...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,以H2O和二乙基锌(Zn(CH2)2)为反应源,硼烷(B2H6,氢气稀释为1％)为掺杂气体,在面积为23 cm×23 cm的普通玻璃衬底上生...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 由于发光二极管(LED)属于半导体器件,其参数退化服从对数正态分布.基于对数正态分布的数值分析法,研究了LED的光通维持寿命,通过以温度为应力的恒定压力加速寿命试验,并以LED器件的光通维持...
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177. 整流二极管瞬态HTIR测试刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要： 整流器件在高温下的漏电流(HTIR)对其工作中的可靠性有重要影响.目前对整流二极管HTIR的测试只限于稳态测试.由于其测试效率低下,不适于制造过程中的快速筛选.利用电流脉冲对整流二极管的pn...
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178. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年11期页码:摘要：
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179. N极性GaN基HEMT研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年12期页码:摘要： N极性GaN材料借助与传统Ga极性GaN极性相反这一特征,以低接触电阻、高2DEG限阈性,在高频、大功率微波晶体管、增强型器件及传感器等应用方面显示出了极大的优势.首先分析了N极性GaN材料...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年12期页码:摘要： 采用标准0.18 μm CMOS工艺,设计了一种连续速率时钟与数据恢复(CDR)电路.该CDR电路主要由半速率鉴频鉴相器、多频带环形压控振荡器、电荷泵和判决电路等模块组成.其中,半速率鉴频鉴...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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