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半导体技术2013年第8期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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总被引数（次）
24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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1. 隧穿晶体管研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 随着晶体管尺寸不断缩小,CMOS电路的功耗问题变得日益严重.隧穿晶体管是一种基于载流子的隧道效应工作的器件,可以在室温下实现小于60 mV/dec的亚阈值摆幅,具有很好的低功耗应用前景.但常...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 针对ISO/IEC 18000-6C协议的应用要求,设计了一款应用于手持超高频无线射频识别(UHF RFID)读写器输出端的两级SiGe功率放大器.在设计中采用了一种新型的晶体管面积推算方法...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 采用0.15 μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中.电路采用分布式放大器结构,单节...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 设计了一款工作频率为DC～35 GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器.通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构.采用先进的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路.在GaAs pin二极营建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型；在电路设计阶段采用GaAs pi...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 介绍了一款采用四级级联结构的高增益宽带Ku波段中功率放大器单片集成电路,依据电路原理和放大器性能指标设计了电路原理图,利用ADS软件对电路图进行了电学参数优化、电磁场仿真和版图绘制.针对放大...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件.使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 由于新型高压场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-CIGBT)器件结构与普通IGBT器件结构相比,增加了一层p阱及n阱的结构,因此会产生电势的自钳位效应,保护器件正面结构,防止出现高压失效现象,提...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： LED封装行业中主要在常温下测试,并对产品进行产品的分选以保证集中度及一致性,但在LED正常使用时会发出热量,工作温度升高,一些场合,其工作温度会达到50℃以上的高温,且工作温度是随机的,造...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 基于金属锇有可能成为大规模集成电路铜互连扩散阻挡层新材料,利用自制的甲酸(HCOOH)体系抛光液对金属锇进行了化学机械抛光研究,利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后锇的表面形貌.采用电化学分...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 采用自制的不含常用的腐蚀抑制剂(BTA)碱性铜精抛液对铜和钽进行了化学机械抛光.研究了高稀释倍数(50倍)的精抛液对铜膜的静态腐蚀速率和抛光速率以及钽抛光速率的影响,并对65 nm技术节点的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 采用超声雾化热解法在石英基底上制备了掺锑二氧化锡透明导电薄膜.采用X射线衍射检测薄膜的晶体结构,扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,研究了不同基底温度和Sb掺杂量下薄膜的晶体优势生长面、晶粒形...
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14. 镀钯铜线键合中FAB表面的钯覆盖刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 铜引线键合由于低廉的成本和优良的材料综合性能而受到越来越多的重视,而镀钯铜线较纯铜线的应用更为广泛.其中,自由空气球(FAB)上钯的覆盖情况是需要进行研究的问题之一.由于烧球工艺为瞬态过程,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究.采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程...
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16. 砷化镓晶体生长设备的发展回顾刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 作为第二代半导体材料的代表,化合物半导体材料GaAs具有许多不同于Si、Ge材料的特性,能够广泛应用于发光器件(激光器,发光二极管)、光探测器(光探测器)以及高频器件等领域.为了充分利用其固...
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17. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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