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半导体技术2014年第11期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 提出了900 MHz频段下射频识别(RFID)读写器芯片射频前端接收器混频器模块,给出了读写器芯片的前端混频电路结构.采用单平衡无源混频器的特殊结构,降低了载波泄漏的干扰,后级接跨阻放大器,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计了一款18～100 GHz的超宽带无源漏极混频器,混频器采用了均匀分布式结构,通过牺牲延迟来获得超宽带带宽.同时,提出了一种栅极电压优化技术,通过优...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 近年来,局域耦合效应在光电转换器件中的应用受到广泛关注,在发光二极管以及硅基太阳电池中的基础与应用研究成为本领域的研究热点.然而局域耦合效应在宽禁带材料体系太阳电池中的应用仍未见系统报道.研...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能.通过仿...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管.器件的正向电压为1.7V时,电流达到10.3A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.7...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 设计和制造了一种高效高功率的220 GHz倍频器,倍频器的有源器件是一只反向串联二极管芯片,它是由四个平面GaAs肖特基二极管通过线性阵列方式集成到一块芯片上.使用ADS和HFSS软件相结合...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一.为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL.在出光孔径为16 μm时,同时...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 应用脉冲激光沉积(PLD)技术在氮化处理后的蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜.研究了氮化处理时间对AlN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用原位反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过程进行实时...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 采用自主配制的碱性抛光液对TiO2薄膜进行了化学机械抛光(CMP),研究了在TiO2薄膜CMP加工过程中,碱性抛光液中的SiO2磨料、螯合剂、表面活性剂的体积分数和抛光液pH值对TiO2薄膜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 针对传统n-GaAs的Au/AuGe/Ni欧姆接触合金系统的缺点,提出了添加Pt扩散阻挡层的新型欧姆接触合金系统.扫描电子显微镜(SEM)和微束分析(EDS)测试显示,添加Pt扩散阻挡层的合...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 使用二次离子质谱(SIMS)和电学特性参数测量深入研究了在40 nm低功耗工艺中,激光脉冲退火(LSA)对超浅结(USJ)以及其对pMOS器件有源区和多晶硅栅方块电阻、阈值电压卷曲曲线和本征...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 小角晶界是重掺硼直拉<111>单晶硅生产制造过程中出现的严重缺陷,生产中需要避免.主要研究掺杂浓度对小角晶界的影响,通过实验发现当前工艺下小角晶界产生的临界掺杂浓度为9.05×1019 cm...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： X射线直接成像的CMOS图像传感器由于工作在X射线辐射下,其内部器件会因为辐射效应引起性能恶化,因此需要对器件进行抗辐射加固并研究辐射对器件参数的影响.辐射导致的氧化物陷阱电荷及界面陷阱电荷...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 光致发光谱是发光材料在特定光源照射下发出的不同波长光的强度分布,可广泛应用于材料的光学及掺杂特性研究领域,是一种非破坏性的测试技术.利用水热法生长了ZnO微米线,用闭管热扩散方法进行了掺As...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 发光二极管(LED)作为第四代照明光源,其发光性能不但和电学特性相关,还受pn结结温的影响.LED的发光效率随着结温的升高而降低,LED的使用寿命也会随之减小.因此对LED结温进行准确检测具...
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16. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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