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半导体技术2019年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制.研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 利用传统电荷泵技术对三维立体器件界面缺陷特性进行了研究.通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了三维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似“U”型分布.通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿...
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93. m面AlN单晶自发成核生长表征刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 采用金属系统物理气相传输(PVT)法自发成核方式,生长获得长宽均大于1 cm、厚度为毫米量级的m面AlN单晶块体.通过对不同m面AlN单晶生长宏观形貌、微观表面的测试分析,初步可判定其生长存...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 研究了不同沉积温度下借助牺牲层Ni合成石墨烯的质量.在氧化铟锡(ITO)玻璃表面先后蒸镀了厚度分别为120 nm的Ta2O5和50 nm的图形化Ni,采用低温(500,600和700℃)下的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 基于Al/Al2O3/Si金属氧化物半导体(MOS)电容结构研究了30 MeV Si离子辐照前后Al2O3栅介质的泄漏电流输运机制.研究结果表明,相较于辐照前,Si离子辐照在栅介质层引起的正...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 采用高温存储(HTS)试验、高温高湿存储试验(UHAST)、高温高湿加电(THB)试验、微观组织分析和电路分析等方法,研究了Au-Al-Si系统在热应力、湿度、热电应力作用下的金属间化合物(...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 采用平行及垂直配置下的偏振散射装置,对物理气相传输(PVT)法同质籽晶生长的六方AlN晶体进行偏振喇曼研究,测量了激发光偏振方向与光轴成不同角度时各个振动模的偏振喇曼光谱,得到不同振动模式的...
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98. 氮化铝粉体制备技术的研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 氮化铝(AlN)因具备优良的理化性能,目前已被广泛应用于微电子及半导体器件的基板和封装领域中,同时在功率器件、深紫外LED及半导体衬底方面也具有广阔发展前景.AlN粉体作为AlN产品的主要原...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 设计了一种输出电流范围在0～2 mA,用于驱动垂直腔面发射激光器(VCSEL)的恒流源电路.电路设计采用负反馈原理,可输出一个稳定的电压,该电压经过电压电流转化为恒定电流.为使输出电流更加稳...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 为满足宽带系统中低噪声放大器(LNA)宽带的要求,采用0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了两款1 MHz～40 GHz的超宽带LNA,分别采用均匀分布式放...
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101. 低延迟低电压电流比较器刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 设计了一种基于改进共源共栅电流镜的CMOS电流比较器,该比较器在1V电压且电压误差±10℃的状态下都正常工作,同时改进后的结构能够在低电压下取得较低的比较延迟.电路的输入级将输入的电流信号转...
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102. 一种抗电离干扰的高速串行驱动器刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 针对工业界高速串行接口(SerDes)发射级的驱动器在电离干扰条件下受到单粒子效应(SEE)干扰导致传输出错的问题,分析了经典高速SerDes驱动器结构受SEE干扰的机理,提出了一种采用密勒...
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103. 一种带电流源校准的16bit高性能DAC刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 设计了一种带电流源校准电路的16 bit高速、高分辨率分段电流舵型数模转换器(DAC).针对电流舵DAC中传统差分开关的缺点,提出了一种优化的四相开关结构.系统分析了输出电流、积分非线性和无...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC).该衰减器采用T型...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 在平片蓝宝石衬底上,通过引入AlN缓冲层,优化成核层与粗糙层的生长条件,生长出了表面平整的GaN薄膜,晶体质量得到显著提升.通过引入AlN缓冲层,将X射线衍射(XRD)下样品(002)面的半...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响.通过研究p+带嵌入方式、p+图形形状、p+分布...
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107. 单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC (4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP).结果 ...
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108. 碳化硅衬底外延石墨烯刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 通过高温热解法和化学气相沉积(CVD)法在SiC (0001)衬底外延石墨烯.采用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜、喇曼光谱、X射线光电子能谱和霍尔测试系统对样品进行表征,并对比了两...
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109. 界面粗糙度对硅通孔结构界面分层的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 硅通孔(TSV)结构是三维互连封装的核心,针对其热可靠性问题,基于ANSYS有限元分析软件分别构建光滑和粗糙两种界面形貌的TSV结构分析模型,模拟计算了两种界面下TSV结构的热应力和界面分层...
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110. 铜丝键合在实际应用中的失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 研究并总结了铜丝键合塑封器件在实际应用环境中工作时发生的几种不同失效模式和失效机理,包括常见封装类型电路的失效,这些封装类型占据绝大部分铜丝键合的市场比例.和传统的实验室可靠性测试相比,实际...
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111. 一种用于大信号测试的矢量校准快速修正方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 大信号测试系统是评估GaN功率器件的非线性特性的重要手段,而精准的矢量校准是获得稳定可信测试数据的第一步.为了解决毫米波频段矢量校准易随时间增加而失效的难题,对不同的校准方法进行了讨论,并以...
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112. 一种LED驱动芯片开路检测电路设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年8期页码:摘要： 小间距发光二极管(LED)显示屏凭借其画面清晰细腻、色彩自然真实、流畅无闪烁等优点,得到广泛应用.为解决小间距LED显示屏因寄生电容影响而产生的开路十字架问题,采用在模拟电路部分判断开路状态...
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113. 用于相控阵雷达的简化功率放大器调制驱动器刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 传统的功率放大器调制驱动器采用电荷泵式结构,使电路输出的脉冲宽度受到限制,同时,外围元器件连接也较为复杂.提出了一种新型调制驱动器架构解决以上问题.采用高侧驱动p型MOSFET的应用架构,从...
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114. 交叉结构高增益两级运算跨导放大器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 提出了一种交叉结构高增益的两级运算跨导放大器(OTA)电路,第一级采用PMOS差分输入方式,降低电路的噪声和功耗,第二级为采用推挽结构的共源增益级,提供增益并降低静态电流.为进一步提高电路的...
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115. W波段四通道接收前端MMIC的设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC).该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路.低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通...
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116. K波段平衡式矢量调制器MMIC刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 基于0.15 μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs PHEMT)工艺,设计并实现了一款K波段的平衡式矢量调制器微波单片集成电路(MMIC)芯片.该矢量调制器集成了Lange耦合器、双相...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 与传统光源相比,基于GaN材料的发光二极管(LED)具有量子效率高、寿命长等优势,在通用照明、显示、医疗等领域中的应用份额稳步提升.然而受制于其材料特性与器件结构,GaN基LED在内量子效率...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求.利用减速场能量分析仪对...
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119. 蓝光发射钙钛矿薄膜的制备与光学特性刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 有机-无机钙钛矿薄膜作为有机发光二极管中的发光层,其本身的薄膜质量与热稳定性是影响其发光特性的主要因素.采用一步溶液法制备了蓝光发射MAPbClxBr3-x薄膜,并通过光学显微镜、吸收光谱、...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 通过两步水热法在氟掺杂SnO2 (FTO)玻璃衬底上制备出了不同退火温度的TiO2/ZnO复合纳米棒,分别利用X射线衍射、扫描电子显微镜、喇曼光谱和光致发光谱等手段对不同退火温度下的TiO2...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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