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半导体技术2020年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 研究了在甘氨酸和H2O2体系下加入新型抑制剂2,2'-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇(TT-LYK)对Cu/Co电偶腐蚀的影响.由化学机械抛光(CMP)实验结果可知...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 采用超声波精细雾化施液对铌酸锂晶片进行了化学机械抛光(CMP)实验,研究抛光液复配参数(二氧化硅磨料含量、氧化剂含量、络合剂含量、表面活性剂含量和pH值)对抛光效果的影响,以材料去除速率和表...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 制作InGaP/GaAs台面时,若使用湿法刻蚀需分多步进行,且易发生钻蚀问题,使得台面上的金属覆盖层易断裂.为改善InGaP/GaAs的台面形貌,以N2/Cl2混合气体为刻蚀剂,采用电感耦合...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 随着半导体封装器件的不断发展,工作电流不断增加,对陶瓷封装的电性能提出了更高要求,而导通电阻是衡量其电性能最重要的参数之一,会影响电路的稳定性和功耗波动.提出了一种陶瓷封装中导通电阻仿真求解...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 为解决面向扫描电子显微镜(SEM)的原位原子力显微镜(AFM)工作时SEM的聚焦电子束引起原位AFM自感应压阻式微悬臂梁(PRC)力传感器读数持续漂移的难题,首先建立原位AFM自感应PRC力...
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36. 微芯片焊点快速识别与定位方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 提出了一种快速、准确识别和定位高速焊线机微芯片图像焊点的新方法.首先使用聚类算法对自制微芯片图像训练集中标注的边界框进行分析,得到锚框尺寸;然后使用卷积神经网络对输入的微芯片图像数据集进行特...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 随着集成电路芯片关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束诱导电阻变化等,由于分辨率的限制不能精确地定位故障点.电压衬度分析方法虽然在一些开路、短路失效分析中能...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 介绍了一种基于电容共享结构的两级两阶级联型(MASH 2-2)一位量化、离散时间、低通∑-Δ调制器.∑-Δ调制器采用对寄生电容不敏感的开关电容积分器结构,根据采样电容和反馈电容的大小关系,灵...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 基于异构集成技术,研制了一款各通道中心频率分别为1.5,1.8,1.9和2.0 GHz的四通道高性能开关滤波器组芯片.使用了金锡凸点焊接的组装工艺,与键合线工艺相比,其互连强度更高,寄生参数...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 设计了一款低相位噪声的锁相环(PLL),该PLL主要由可编程分频器、鉴相器和锁定指示电路等组成,通过外接参考时钟、有源环路滤波器和压控振荡器(VCO)构成完整的PLL频率源.研究了PLL频率...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 超薄体和隐埋氧化层(UTBB)全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)(UTBB FDSOI简称为UTBB)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道硅膜厚度小于体硅最大耗尽层宽度,基于传统三角...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 利用射频磁控溅射法结合退火工艺制备了多层结构的MoS2薄膜.优化溅射功率和工作气压条件,在溅射功率为30 W、工作气压为1.0Pa条件下制备了致密度良好的MoS2薄膜,X射线衍射测量结果表明...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶材料是目前制备微波毫米波单片集成电路等的主流材料,随着5G技术应用的普及,该材料的应用前景将更加广阔.但是由于采用常规垂直梯度凝固(VGF)...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 针对电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀后,AlGaN/GaN台面区域存在隔离电流高的问题,研究了不同退火氛围、时间、温度对台面隔离电流的影响.利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(X...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 化学机械平坦化(CMP)过程中极易在铜表面产生碟形坑、腐蚀坑等缺陷.为了解决这些问题,提出了将苯并异噻唑啉酮(BIT)作为CMP抛光液中的表面抑制剂,研究不同质量分数的BIT在Cu CMP过...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 采用化学液相沉积(CLD)法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃和硅基板表面制备了大面积的氧化铝(Al2O3)薄膜,并以非腐蚀的方式在硅片表面使用CLD法直接生长图案化Al2O3薄膜.Al2O3薄膜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 基于钝化发射极和背面接触(PERC)太阳电池工艺,对选择性发射极晶体硅双面PERC太阳电池背面效率及双面率优化进行了研究.采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,制备了背面为AlOx...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 高k介质金属栅工艺器件的热载流子注入(HCI)效应已经表现出与成熟工艺不同的退化现象和失效机理.对不同栅电压下n型和p型金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的饱和漏电流退化情况,以及器件的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 集成电路特征尺寸的逐渐缩小带来了日益严峻的Cu互连线电迁移可靠性问题.为了改善40 nm和55 nm制程下Cu互连线的抗电迁移能力,基于加速寿命试验与失效分析的方法,研究了蓄水池结构对Cu互...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年5期页码:摘要： 集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作.失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程.根据IC的结构特...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年5期页码:摘要： 设计了一种高动态性能电流舵数模转换器(DAC),其满摆幅输出电流为20 mA.采用三段分段结合低位R-2R网络的混合分段结构,整个DAC仅使用了两种不同尺寸的电流源单元.采用模拟前台校准技术...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年5期页码:摘要： 为提高电子产品供电性能,设计了一款具有高电源抑制比(PSRR)、超低静态电流、宽输入电压范围的低压差(LDO)线性稳压器.该电路采用预调节和噪声抵消技术,利用Cadence工具SMIC 0....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年5期页码:摘要： 近年来基于SiC和GaN的宽禁带半导体器件开始逐渐替代传统的Si IGBT器件,而面对高的开关速度所带来的问题,宽禁带半导体器件的开关特性分析以及驱动电路的设计在系统可靠运行方面显得尤为重要...
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55. 石墨烯光电探测器的热场分布刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年5期页码:摘要： 与其他光电探测器相比,基于石墨烯的光电探测器具有响应度好、响应频率和探测灵敏度高等优点.在器件工作期间,温度对其性能的影响不可忽略.为了解决由于温度过高而带来的性能不稳定问题,针对光电探测器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年5期页码:摘要： 提出了一种新型GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管(GeSn/Ge-hetero JLTFET).该器件结合了直接窄带隙材料GeSn与传统JLTFET的优点,利用功函数工程诱导器件本征层...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年5期页码:摘要： 为了更好地表征Si基超薄InAlN/GaN HEMT开关器件的特性和开发更精确的开关电路模型,基于0.25 μm HEMT工艺制备了不同栅极电阻的开关器件,提出了附加10 kΩ栅极电阻的器件...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年5期页码:摘要： 采用物理气相沉积(PVD)技术在4英寸(1英寸=2.54 cm)图形化蓝宝石衬底(PSS)上沉积4种AlN或AlON薄膜样品,使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在样品上外延生长GaN.通...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年5期页码:摘要： 为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶.将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空...
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60. 不同直径InP晶锭混合加工技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年5期页码:摘要： 通过改进InP晶锭加工流程的设计,明显提高了直径不均匀或者含有多晶或孪晶晶锭的出片量.与传统半导体材料晶锭加工流程相比,采用本加工技术加工晶锭的最终出片面积至少能够提高20％,在某些情况下能...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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