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半导体学报(英文版)2001年第3期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 采用新近研制的高真空／快速热处理／化学气相淀积（HV／RTP／CVD）系统生长了应变SiGe材料．通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料．Ge组分可以变化至0.25，可以得到控制良好的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 基于等价掺杂转换理论的应用，得到了解析计算扩散-外延穿通P-N结击穿电压和击穿峰值电场强度的一系列结果．介绍了等价掺杂转换方法的基本理论，然后运用该理论得到了用于低压功率器件优化设计的系列击...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 报道了一种包含一薄层单晶硅和隐埋Si／SiO2布拉格反射器的SOR衬底．这种可用于光电子器件的衬底是由硅基乳胶粘接和智能剥离技术研制而成的．在垂直光照条件下，这种SOR衬底在1.3μm处的反...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 报道了4H-SiC混合PN/Schottky二极管的设计、制备和特性．该器件用镍作为肖特基接触金属，使用了结终端扩展（JTE）技术．在肖特基接触下的n型漂移区采用多能量注入的方法形成P区而组...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 采用给PECVD SiO2中注入氮的方法，形成一薄层氮氧化硅，以此作为一种新型的扩散阻挡层．不同热偏压条件下的C-V测试结果和XPS分析结果表明，该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用．
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 描述了一种新的基于单元扩大的拥挤度驱动的布局算法．这个方法用概率估计模型和星型模型来评价线网的走线．使用全局优化和划分交替的算法来进行总体布局．提出了单元的虚拟面积的概念，单元的虚拟面积不仅...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 对有限长Y型量子线中的电子弹道输运性质进行了量子力学计算．该有限长的量子结构分与两半无限长的量子通道相连，当施加一偏压时，量子通道分别可作为电子的发射极和收集极．采用了转移矩阵方法和截断近似...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 通过实验确定了一种与GexSi1-x合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层GexSi1-x/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布．实验结果表明：采用这种电解液...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用直排四探针方法测试硅抛光片的电阻率时，减少表面复合和增大测试电流故意引进注入使电阻率减少，根据电导率与少数载流子寿命成正指数增加的关系，求得少子寿命．
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 将覆盖层引入生长停顿的量子点结构作为激光器有源区来研究量子点激光器受激发射机制．由于强烈的能带填充效应, 光致发光谱和电致发光谱中观察到对应于量子点激发态跃迁的谱峰，大激发时其强度超过基态跃...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量C60薄膜，用原子力显微镜观察了样品的表面形貌．测量并分析了不同厚度C60薄膜的紫外-可见吸收光谱．由测量的透射及反射光谱，经计算得到了吸收系数与入...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 通过三点弯方法研究普通和微氮硅单晶在室温下的机械强度，以及它们的高温抗弯强度．实验发现，由于氮的掺入，硅片室温下的机械强度有明显的改善，同时证实了高温下氮对位错的钉扎作用；研究还指出，硅片表...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 设计了一种永磁（钕铁硼）环形磁场装置代替常规电磁场用于直拉炉生长单晶硅和掺锗单晶硅（PMCZ法）．磁力线呈水平辐射状均匀分布．只要磁场强度足够强，即可有效地抑制熔体中热对流和晶体旋转产生的离...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 立方GaAs（100）衬底上制备的GaN薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相，采用水平常压MOCVD方法在立方GaAs（100）衬底上制备出了GaN薄膜．XRD测试表明，薄膜具有单一的相．结合对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 研究了硼烷（B2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系．B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系；生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构，...
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16. 全电流模型的比例差分特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用比例差分算符(PDO)方法研究了长沟MOSFET在各个工作区域(亚阈区和饱和区)的比例差分特性．利用PDO方法研究全电流Pao-Sah双积分模型，结果发现源漏电流的比例差分特性在所有的工作...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 从数值解源端和饱和点的表面电势出发，考虑模拟电路对SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变，构建...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 从光学传输矩阵方法出发,研究了分布布拉格反射器(DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响;同时指出了DBR对于λ0/2和λ0腔不同情况的最佳生长模式...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 利用比例差值方法给出了MOS器件的一种新特性——比例差值输出特性，该特性具有谱峰特征，其峰位、峰高与器件的特征参数相关．采用了一个分析模型来表征谱峰与器件特性参数关系，可以直接提取MOS器件...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究．这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进，主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的L...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 采用标准的湿法刻蚀工艺研制出了S波段工作的非自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管．对于总面积为8×2μm×10μm的HBT器件，测得其直流电流增益大于10，电流增益截止频率fT大于2...
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22. 平面工艺辐射探测器的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 使用高阻Si材料,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器——PIN二极管．采取HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小PIN二极管的暗电流(反向电流)，这对于提高器件性能起到了关键作用．...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 首次报道了辐照所引起的SOI/MOS器件PD(部分耗尽) 与FD(全耗尽) 过渡区的漂移．基于含总剂量辐照效应的SOI MOSFET统一模型，模拟了FD与PD过渡区随辐照剂量的漂移．讨论了辐...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 分析了目前几种高性能连续时间CMOS电流比较器的优缺点，提出了一种新型CMOS电流比较器电路．它包含一组具有负反馈电阻的CMOS互补放大器、两组电阻负载放大器和两组CMOS反相器．由于CMO...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 分析了PAL及PAL-1电路中输出悬空对电路性能的影响，强调在绝热电路设计中消除悬空输出的重要性．提出了两种新的结构互补且无悬空输出的绝热电路．PSPICE模拟证明它们能有效实现能量恢复，并...
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26. 行波半导体激光放大器电路模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 采用激光器多模速率方程，经过适当的数学处理，得到行波半导体激光放大器电路模型．利用这个模型并借助通用电路模拟器，如PSPICE，不仅可以模拟单个放大器的性能，而且可以模拟含有行波放大器的单片...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 根据Hamming神经网络的工作原理提出了一种可用于手写体数字识别的电流型可编程局部结构特征提取电路．该特征提取器的模板不仅是可编程的，它可根据不同的需要来随时更改模板的内容以适应不同的情况...
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28. 300mm硅单晶的生长技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 讨论了300mm硅单晶的工艺控制，分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提，热屏和磁场的应用有效地控制了晶体的氧含量和微缺陷。
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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