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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. 高阻CdZnTe晶体的退火处理
    作者： 刘冬华 史伟民 李万万 李冬梅 李道强 桑文斌 钱永彪 闵嘉华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  294-598
    摘要： 获得高电阻率的、完整性好的CdZnTe晶体是研制高性能的CdZnTe γ射线探测器的关键.运用热力学关系估算了Cd1-xZnx熔体平衡分压，尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源进行Cd0....
  • 2. Quantum Well Infrared Photodetectors:the Basic Design and New Research Directions
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  529-537
    摘要：
  • 3. 带门极双层Si-δ-掺杂GaAs中的奇特非线性耗尽
    作者： I.SHLIMAK M.LEVIN V.GINODMAN 卢铁城 林理彬
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  538-542
    摘要： 报道了带门极双层Si-δ-掺杂GaAs样品中的二维电子系统Hall效应的低温测量实验,观察到了电子耗尽过程中电子浓度与门电压的奇特、复杂的非线性关系.根据双电容器(由两个δ-掺杂二维电子层和...
  • 4. 采用TEOS和H2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜
    作者： 廖左升 杨基南 杨沁清 王启明 王红杰 胡雄伟 邓晓清 雷红兵
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  543-547
    摘要： 开展了使用TEOS和H2O混合物进行PECVD生长SiO2膜的研究工作.氧化硅折射率分布在1.453±0.001的范围，且随偏离中心距离基本不变.薄膜厚度是中央大，边沿薄，其厚度相对变化不超...
  • 5. 一种用于功率模块热分布特性研究的精确模型
    作者： J.Petzoldt R.Kruemmer T.Reimann 耿莉 陈治明
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  548-553
    摘要： 应用有限元法，对一个IGBT功率模块的三维热分布进行了仿真研究，提出了通过ANSYS仿真建立热模型的基本方法，进而探讨了功率模块上各芯片之间的热耦合关系，提出了考虑热耦合效应在内的功率模块热...
  • 6. 槽栅MOS控制的晶闸管
    作者： 张义门 张鹤鸣 戴显英 林大松
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  554-557
    摘要： 报道了一种新结构的功率栅控晶闸管，称其为槽栅MOS控制的晶闸管（TMCT）.在该器件结构中，采用UMOS控制晶闸管的开启和关闭.结构中不存在任何的寄生器件，因此，消除了在其它结构的栅控晶闸管...
  • 7. 一种用采用边界元方法的芯片级热分布分析算法
    作者： 唐璞山 崔铭栋 赵文庆
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  558-564
    摘要： 现代芯片技术在集成度和速度方面的进步带来一系列热相关的问题，非均匀分布热源引起的局部热点很可能会使整个芯片失效.提出一种计算芯片温度分布的算法，采用边界元方法将三维问题转化为二维问题，这样可...
  • 8. 新型亚50纳米硅栅制作技术
    作者： 关旭东 刘晓彦 张大成 张盛东 李婷 韩汝琦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  565-568
    摘要： 提出并演示了一新型的低成本亚50纳米多晶硅栅制作技术.该技术的特点是它与光刻分辨率无关,即不需要高分辨率光刻技术.纳米尺度的栅掩膜图案是由台阶侧壁图形的转移所形成.实验结果表明,该技术制成的...
  • 9. InGaN光致发光性质与温度的关系
    作者： 万寿科 刘祥林 樊志军 王占国
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  569-572
    摘要： 分析了用金属有机物气相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮(InGaN)的光致发光(PL)性质.发现在4.7K至300K范围内，随着温度升高，InGaN带边辐射向低能方向移动，峰...
  • 10. 刻划的富硅二氧化硅／p-Si结构的光致发光和电致发光
    作者： 孙永科 宗婉华 崔晓明 张伯蕊 秦国刚 马振昌
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  573-579
    摘要： 以磁控溅射方法于p-Si上淀积富硅二氧化硅，形成富硅二氧化硅／p-Si结构，用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在N2气氛中退火，其光致发光(PL)谱与未刻划的经同样条件退火的对比样品的PL谱有...
  • 11. 微重力条件下开口矩形容器的小Pr热毛细对流
    作者： 刘秋生 朱丽红 胡文瑞
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  580-586
    摘要： 采用数值方法研究了微重力条件下开口矩形容器内小Prandtl数镓（Ga）熔体生长过程中定常热毛细对流，讨论了Re数、几何纵横比A和侧壁外加温差的相对高度H对熔体内温度场和流场分布的影响.计算...
  • 12. 等离子体化学气相沉积非晶SiOx∶H（0≤x≤2.0）薄膜的红外光谱
    作者： 何乐年
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  587-593
    摘要： 以等离子体化学气相沉积法（PECVD）在300℃下用SiH4和O2混合气体制备了非晶SiOx∶H (a-SiOx∶H,0≤x≤2.0) 薄膜，并用傅里叶红外光谱（FT-IR）测试分析了薄膜中...
  • 13. 低碳含量a-Si1-xCx∶H薄膜的化学键结构
    作者： 刁宏伟 孔光临 岳瑞峰 廖显伯 王永谦 王燕 韩和相
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  599-603
    摘要： 利用两种不同激发波长进行Raman测量，研究了低碳含量a-Si1-xCx∶H(～＜20at.%)薄膜的结构特征.采用647.1nm激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具...
  • 14. MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光
    作者： 彭学新 李述体 李鹏 江风益 熊传兵 王立 莫春兰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  604-608
    摘要： 采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InGaN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道（RBS/Channeling）技术和光致发光（PL）技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样...
  • 15. 选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料
    作者： 刘国利 叶小玲 张佰君 张静媛 朱洪亮 汪孝杰 王圩 许国阳 陈娓兮
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  609-612
    摘要： 采用LP-MOVPE在SiO2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱(MQW)的选择区域生长(SAG).通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围由C波段扩展至L波段，即M...
  • 16. 碲镉汞的液相外延生长
    作者： 何景福 陈建才 雷春红 黄仕华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  613-617
    摘要： 设计了一种使用良好的石墨舟，建立了一套能进行开管液相外延的系统，并利用此系统在CdZnTe衬底上和在富Te的生长条件下生长了不同x值的HgCdTe外延薄膜.通过对外延生长工艺的控制，外延薄膜...
  • 17. 注F短沟MOSFET的沟道热载流子效应
    作者： 任迪远 余学峰 张国强 韩德栋
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  618-621
    摘要： 通过对短沟NMOSFET的沟道热载流子效应研究，发现在短沟NMOSFET栅介质中引入F离子能明显抑制因沟道热载流子注入引起的阈电压正向漂移和跨导下降以及输出特性曲线的下移.分析讨论了F抑制沟...
  • 18. 凹槽深度与槽栅PMOSFET特性
    作者： 任红霞 郝跃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  622-628
    摘要： 基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅PMOSFET性能的影响进行了分析，对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论，最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性...
  • 19. 施主型界面态引起槽栅PMOSFET性能退化的特征
    作者： 任红霞 郝跃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  629-6535
    摘要： 基于流体动力学能量输运模型，对沟道杂质浓度不同的深亚微米槽栅和平面PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究.研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移...
  • 20. 低波长漂移的电吸收调制DFB激光器
    作者： 刘国利 张佰君 张静媛 朱洪亮 汪孝杰 王圩 陈娓兮
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  636-640
    摘要： 采用端面有效反射率法，从理论上计算了单片集成电吸收调制DFB激光器（Electroabsorption Modulated DFB Laser,EML）的腔面反射率、耦合强度（κL）对其波长...
  • 21. Au／PZT／p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能
    作者： 于军 周文利 王华 王耘波 董晓敏 谢基凡
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  641-645
    摘要： 采用准分子脉冲激光沉积(PLD)工艺，制备了Au／PZT／p-Si结构铁电存储二极管.在氧气氛350℃低温沉积、原位530℃快速退火工艺条件下，获得了多晶纯钙钛矿结构的Pb（Zr0.52Ti...
  • 22. 精确预计Si BJT微波功率器件峰值结温的方法
    作者： 张鸿欣
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  646-651
    摘要： 三维全热程热电一体地模拟了Si BJT微波功率器件.热场计算包括从芯片的有源区经芯片-粘接层-基片-粘接层-底座直到固定于70℃的安装台面的整个散热过程.在处理热电正反馈时把有源区的60个基...
  • 23. 基于半导体光放大器临界激射状态的同相波长转换
    作者： 刘德明 孙军强 张新亮 易河清 黄德修
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  652-655
    摘要： 基于半导体光放大器处于放大和激射之间的临界状态，实现了同相波长转换，转换后光信号与泵浦光信号有相同的比特系列.运用放大器中存在的自发辐射光子诱发的受激辐射和入射信号光子诱发的受激辐射之间的竞...
  • 24. 栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响
    作者： 严荣良 任迪远 余学锋 张国强 王明刚 胡浴红 赵文魁 郭旗 陆妩
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  656-659
    摘要： 介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征.并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较，探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因.结果显示，氢氧合成...
  • 25. 0.5μm SOI CMOS器件和电路
    作者： 刘新宇 吴德馨 孙海峰 海朝和
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  660-663
    摘要： 研究了0.5μm SOI CMOS器件和电路，开发出成套的0.5μm SOI CMOS工艺.经过工艺投片，获得了性能良好的器件和电路，其中当工作电压为3V时，0.5μm 101级环振单级延迟...
  • 26. 采用遗传算法的一种可重构ANN的电路设计
    作者： 卢纯 石秉学
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  664-669
    摘要： 提出了一种新型的sigmoid函数发生器.它不仅简单、快速，与理想sigmoid函数的拟合程度好，而且可实现阈值和增益因子的编程，因而有很大的应用范围和良好的应用前景.设计了神经元以及Gil...
  • 27. 基于望远镜搜索的块匹配运动估值的低功耗VLSI结构
    作者： Ishitani Tsunehachi Kondo Toshio Nakashima Takayoshi 周润德 张武健 邱晓海 陈弘毅
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  670-676
    摘要： 在一种基于望远镜搜索的块匹配运动估值的VLSI实现中，对用于加速搜索的传统心动阵列引擎进行了结构上的改进，从而能够显著地降低功耗.方法是使用一种新的块匹配误差计算的提早跳出技术，并通过在阵列...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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