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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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目录
  • 1. 碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展
    作者： 陈治明
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  673-680
    摘要： 评述了各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景,指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力,还在于能大幅度降低器件的功率损耗,...
  • 2. 选择外延技术研制1.5μm DFB激光器和自对准模斑转换器集成器件
    作者： 周帆 王圩 董杰 邱伟彬
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  681-684
    摘要： 利用选择外延技术研制了1.5μm DFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件.激光器的上限制层与垂直方向上楔型波导的模斑转换器同时选择性生长 ,这样的方法不仅可以分别优化有源区和模斑转换器的...
  • 3. 应变Si沟道异质结NMOS晶体管
    作者： 史进 陈培毅 黄文涛
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  685-689
    摘要： 通过参数调整和工艺简化,制备了应变Si沟道的SiGe NMOS晶体管.该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道,相比于体Si器件在1V栅压下电子迁移率最大可提高48.5%.
  • 4. 一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器
    作者： 刘志宏 曾莹 朱钧 潘立阳 鲁勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  690-694
    摘要： 提出一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器结构,在便携式低功耗的code闪存中有着广泛的应用前景.该结构采用带-带隧穿热电子注入 (BBHE)进行"写"编程,采用源极Fowler-...
  • 5. 小波图像编码的VLSI实现
    作者： 乔世杰 王国裕
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  695-700
    摘要： 设计了一种模块化的二维离散小波变换(2-D DWT)的VLSI结构.该结构可以实时完成小波变换,且很容易扩展.针对零树编码硬件实现方面的不足,利用一种简单的顺序扫描方式和两个标志阵列,设计了...
  • 6. 基于规则的光学邻近矫正中规则的相关处理
    作者： 吴为民 杨长旗 洪先龙 石蕊 蔡懿慈
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  701-706
    摘要： 讨论了如何选择适当的规则,如何建立简洁实用的规则库,如何应用规则库.提出了四种主要的光学邻近矫正规则,在实验结果中列举了规则库中的部分数据.利用规则矫正后的版图光刻得到的硅片图形有了明显的改...
  • 7. GaN/GaAs(001)外延薄膜的湿法腐蚀特性
    作者： 付羿 冯志宏 冯淦 孙元平 张宝顺 张泽洪 杨辉 沈晓明
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  707-712
    摘要： 对在GaAs (001) 衬底上用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究.所用腐蚀液包括HCl、H3PO4、KOH水溶液以及熔融KOH,腐蚀温度为90～...
  • 8. 杂质对硅单晶机械性能影响的电子理论研究
    作者： 刘贵立 张国英
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  713-716
    摘要： 根据位错理论建立了Si中纯净及掺杂60°位错模型,利用Recursion方法计算了Si中纯净及掺杂60°位错这种典型环境下的能量和电子结构,由此得出:N、O杂质在位错区比在非位错区更稳定,且...
  • 9. 掺碳氮化镓的光学性质
    作者： 叶建东 张荣 施毅 王立宗 郑有炓 顾书林
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  717-721
    摘要： 利用喇曼光谱和光致发光谱,对采用氢化气相外延淀积方法在MOCVD GaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究.结果发现C3H8流量的增加导致载流子浓度的升高,喇曼谱出现蓝移,E1(...
  • 10. 纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象
    作者： 周雪梅 张洪涛 徐重阳 曾祥兵 王长安 赵伯芳 邹雪城
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  722-724
    摘要： 对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米...
  • 11. 量子阱结构中的等效宽度分析
    作者： 周剑英 周小平 李锡华 杨爱龄 江晓清 王明华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  725-730
    摘要： 在有效质量近似下,分析了有限深势阱的电子基态能级,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系 ,首次得出经验公式,发现结果与前人的实验和理论结果吻合...
  • 12. 量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响
    作者： 周星飞 施斌 樊永良 胡冬枝 蒋最敏 龚大卫
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  731-734
    摘要： 在Si(100)衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层,高温退火形成量子点.我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散,通...
  • 13. 新型SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性分析及优化设计
    作者： 杨媛 陈波涛 高勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  735-740
    摘要： 将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了新型Si Ge/Si异质结p-i-n开关功率二极管结构,在分析器件结构机理的基础上,用Medici模拟了该器件的特性并进行了优化设计.结果...
  • 14. 1×2全内反射型有机聚合物热光开关的研制
    作者： Ray T.Chen 杨建义 杨方辉 江晓清 王明华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  741-745
    摘要： 给出了完整的全内反射型有机聚合物热光开关的设计方案,并研制成功了1×2光开关.所研制的X结结构全内反射光开关,在交叉态,具有约25dB的消光比;在全反射状态下,消光比达22dB,相应的驱动功...
  • 15. 开管扩镓改善器件电参数性能的机理分析
    作者： 孙瑛
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  746-751
    摘要： 叙述了SiO2/Si系开管扩镓工艺和镓掺杂原理,研究了镓掺杂与器件电参数的关系,并分析了改善器件性能的机理.实验证明,采用SiO2/Si系开管扩镓工艺,扩镓硅片表面状况、均匀性和重复性良好,...
  • 16. 外部电光测量的空间分辨率
    作者： 张大明 张红波 杨罕 王国全 王瑞 衣茂斌 陈开鑫 马振昌
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  752-756
    摘要： 报道了用650nm的半导体激光二极管建立的一个正面入射式外部电光测量装置.用〈100〉面镀红光全反射膜的半绝缘GaP作为外部探头,提出以有效调制电压为测量对象,对外部电光测量装置进行了电场空...
  • 17. 一种用于DSCRL绝热电路的新型功率时钟
    作者： 仇玉林 李晓民 罗家俊 陈潮枢
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  757-761
    摘要： 提出了一种用于DSCRL(双摆幅电荷恢复逻辑)绝热电路的新型四相功率时钟,该功率时钟采用了非对称的方法来优化其时序,比已提出的采用对称技术来优化时序的六相功率时钟更简洁.这种新型的功率时钟用...
  • 18. 一种新的不受寄生电容影响的电容式传感器接口电路
    作者： 张兴 张大成 曹新平 王阳元 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  762-765
    摘要： 给出了一种新的用于微小电容检测的接口电路 .在电荷传送电路的基础上,引入了一个用于参考微变电容读出的电荷传送电路部分,将检测电路与参考电路的输出进行差分放大,从而大大提高了电路的稳定性和检测...
  • 19. 一种快速光刻模拟中二维成像轮廓提取的新方法
    作者： 严晓浪 付萍 史峥 王国雄 陈志锦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  766-771
    摘要： 在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上,提出了一种新的基于稀疏空间点光强计算的二维成像轮廓提取算法.该算法能够根据版图特点合理选择采样线的位置,有效地确定轮廓线存在的范围,并根据在采样线上光强...
  • 20. 半导体器件与工艺综合
    作者： 张文俊 杨之廉 谢晓峰 鲁勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  772-776
    摘要： 利用器件与工艺综合的思想,开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法,实现了该设计方法的MOSPAD软件,并利用MOSPAD系统做出了一定的综合结果. 做出了关于器件与工艺综合的两个实例,即对F...
  • 21. 新型半导体清洗剂的清洗工艺
    作者： 于新好 曹宝成 马洪磊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  777-781
    摘要： 报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果.采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时,首先需用HF稀溶液浸泡硅片,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去...
  • 22. GaN1-xPx三元合金的MOCVD生长
    作者： 万寿科 孙学浩 张开骁 张荣 施毅 毕朝霞 沈波 王占国 胡立群 郑有炓 陈敦军 顾书林
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年7期
    页码:  782-784
    摘要： 用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P 组分的GaN1-xPx三元合金.俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1 -xPx中P的掺入量最高达到20%且分布均匀;X射线光电子能谱...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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