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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
6983
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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目录
  • 211. 超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO2的性能
    作者： 宋志棠 林成鲁 沈勤我 章宁琳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1099-1102
    摘要： 采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2薄膜.X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示:ZrO2薄膜成分均一,为完全氧化的ZrO2,...
  • 212. 刻蚀衍射光栅像差特性分析
    作者： 何赛灵 宋军 文泓桥 梅维泉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1103-1108
    摘要： 对作为波分复用关键器件之一的刻蚀衍射光栅(EDG)的像差特性提出了一种简单方便的计算方法,分析了像差对刻蚀衍射光栅频谱响应的影响.理论推导了基于基尔霍夫衍射、角谱衍射以及快速傅里叶变换等方法...
  • 213. Al2O3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制
    作者： 任驰 刘晓彦 康晋锋 杨红 韩德栋 韩汝琦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1109-1114
    摘要： 利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P-Si(100)衬底上制备了Al2O3栅介质层,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2O3栅介质层物理特性的影响.结果表明:在较高温度下N2气氛中退...
  • 214. 半导体物理研究新进展
    作者： 何杰 孙连亮 张荣 李树深
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1115-1119
    摘要： 简要介绍了第26届国际半导体物理会议上一些受到广泛关注的课题,它们代表了半导体物理研究领域里的研究热点和前沿工作,希望能够为今后的研究工作提供一个参考方向.
  • 215. 深亚微米工艺下互连线串扰问题的研究与进展
    作者： 洪先龙 蔡懿慈 赵鑫
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1121-1129
    摘要： 集成电路工艺发展到深亚微米技术后,互连线串扰问题变得越来越严重,尤其在千兆赫兹的设计中,耦合电感的影响不能忽略.插入屏蔽的操作成为减小耦合电感噪声的有效方法.文中首先介绍共面、微带状线和带状...
  • 216. 不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性
    作者： 吴桐 唐广 孙长征 罗毅 胡卉 郝智彪 郭文平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1130-1134
    摘要： 利用金属有机化合物气相外延技术研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外延生长及器件制作,重点比较了具有不同AlGaN层厚度的HEMT器件的静态特性.实验发现具有较薄Al...
  • 217. 高性能六边形发射极InGaP/GaAs异质结双极型晶体管
    作者： 刘洪刚 吴德馨 和致经 袁志鹏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1135-1139
    摘要： 六边形发射极的自对准InGaP/GaAs异质结具有优异的直流和微波性能.采用发射极面积为2μm×10μm的异质结双极型晶体管,VCE偏移电压小于150mV,膝点电压为0.5V(IC=16mA...
  • 218. 具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器
    作者： 余金中 姜磊 左玉华 成步文 朱家廉 李传波 毛容伟 王启明 王良臣 白云霞 罗丽萍 蔡晓 马朝华 高俊华 黄昌俊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1140-1144
    摘要： 利用表面微机械技术,成功制作了1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器.原型器件在50V的调谐电压下,调谐范围为90nm.该技术可以用于制作1.3μm Si基可调谐光探测器.
  • 219. 窗口型极小孔激光器的研制
    作者： 叶晓军 宋国峰 康香宁 徐云 陈良惠
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1145-1148
    摘要： 报道了一种窗口型的用于高分辨率近场光学存储领域的极小孔激光器.这种窗口结构的引入解决了出射端面处由于金属膜的存在而导致的pn结短路问题,同时一定程度上抑制了激光器腔面处的COD效应.简化了极...
  • 220. 超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性
    作者： 张贺秋 许铭真 谭长华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1149-1153
    摘要： 研究了在软击穿后MOS晶体管特性的退化.在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数.在软击穿后,输出特性和转移特性只有小的改变.在软击穿发生时,漏端的电流和域值电压的退...
  • 221. 2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计
    作者： 张海清 章倩苓
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1154-1158
    摘要： 用0.35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2.5GHz LC VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/f噪声的影响.为了减...
  • 222. 对数跳跃加法器的静态CMOS实现
    作者： 刘凌 刘飞 吉利久 贾嵩 陈中建
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1159-1165
    摘要： 介绍了一种32位对数跳跃加法器结构.该结构采用ELM超前进位加法器代替进位跳跃结构中的组内串行加法器,同ELM相比节约了30%的硬件开销.面向该算法,重点对关键单元进行了晶体管级的电路设计....
  • 223. 晶体硅中的铁沉淀规律
    作者： H.J.Moeller 席珍强 杨德仁 汪雷 王晓泉 阙端麟 陈君
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1166-1170
    摘要： 研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经1100℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响.红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低,而且其尺寸较大...
  • 224. 额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响
    作者： 俞慧强 修向前 卢佃清 叶宇达 张荣 李杰 毕朝霞 郑有炓
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1171-1175
    摘要： 在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外HCl来改善GaN外延薄膜质量的方法,并且讨论了额外HCl和氮化对GaN形貌和质量的影响.两种方法都可以大幅...
  • 225. 晶片键合界面应力分布的理论分析
    作者： 任晓敏 周震 孔熹峻 黄永清
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1176-1179
    摘要： 根据双金属带的热应力分布理论,推导了晶片键合以及薄膜键合的界面应力分布公式.对影响晶片键合的剪切应力、正应力以及剥离应力的分布特性进行了讨论.
  • 226. Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应
    作者： Aceves M 于振瑞 张加友 李长安 杜金会
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1180-1184
    摘要： 利用Al/SRO/Si MOS,对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究.用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料,通过C-V测量研究其电荷俘获性质.发现对于...
  • 227. 两端固支多层梁吸合电压的解析模型
    作者： 戎华 李伟华 聂萌 黄庆安
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1185-1189
    摘要： 运用能量法分析了两端固支多层梁在静电作用下的弯曲情况及发生吸合现象时,梁中央的归一化位移β和对应的吸合电压VPI,得到了β和VPI的解析表达式.用Coventor软件中的CoSolveEM模...
  • 228. 悬臂式RF MEMS开关的设计与研制
    作者： 初建朋 戈肖鸿 朱自强 朱荣锦 杨根庆 范忠 贾铭 赖宗声 郭方敏 陆卫
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1190-1195
    摘要： 介绍了一种制作在低阻硅(3～8Ω*cm)上的悬臂式RF MEMS开关.在Cr/Au CPW共面波导上,金/SiOxNy/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂,静电受激作为开关机理.当开关处于"...
  • 229. 具有倾斜下电极的扭臂驱动结构的设计与制作
    作者： 刘彩霞 孙东明 张歆东 张龙 潘建旋 纪平 董玮 贾翠萍 阮圣平 陈维友
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1196-1199
    摘要： 分析了扭臂驱动结构的上电极端部位移与外加电压之间的关系,提出了一种具有倾斜下电极的驱动结构,并通过倾斜一定角度的(111)硅片的各向异性腐蚀制作了倾斜下电极.理论分析和实验结果表明,倾斜下电...
  • 230. 用于调制频率合成器的5bit 4阶误差反馈ΔΣ调制器设计
    作者： 张海清 曾晓洋 李文宏 林蔚然 章倩苓
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1200-1205
    摘要： 针对频率合成器的高速数据调制应用,采用误差反馈结构,设计了一个用于直接ΔΣ调制频率合成器的5bit 4阶ΔΣ调制器.该结构能简化多bit量化器的设计,不会对调制输入信号产生采样延迟.通过在传...
  • 231. GaAlAs/GaAs量子阱行波Mach-Zehnder光调制器电极传输线的微波响应
    作者： 周剑英 周小平 李锡华 王明华 赵旭 陈克坚
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1206-1210
    摘要： 研制了利用直线法设计的基于GaAs衬底上的Mach-Zehnder行波光调制器.波导层使用了场诱折射率改变量较大的非对称多量子阱结构,采用脊型波导,并湿法刻蚀出台面以消除波导区以外的载流子引...
  • 232. 基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC
    作者： 于雪峰 石寅
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1211-1216
    摘要： 基于CMOS器件的离散性机理及误差消除对策,研究了高速、高精度嵌入式CMOS数/模转换器(DAC)IP核的设计与实现.采用行、列独立译码的二次中心对称电流源矩阵结构,优化了电流源开关电路结构...
  • 233. 基于斜极化法的电光聚合物光波导偏振转换器
    作者： Ray T.Chen Zhou Qingjun 杨建义 江晓清 王明华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1217-1221
    摘要： 采用斜极化法研制了电光聚合物光波导偏振转换器,分析并设计了器件的45°斜角电极化结构,并基于DR1/PMMA电光聚合物材料,对器件进行了制作.所研制的偏振转换器,由TE模到TM模和由TM模到...
  • 234. 适用于阵列波导光栅制作的厚SiO2陡直刻蚀技术
    作者： 刘训春 曹振亚 牛立华 王润梅 罗明雄 魏珂
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1222-1225
    摘要： 采用ICP-98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚SiO2陡直刻蚀技术的研究,利用双层掩膜技术解决了"微掩膜现象"问题,刻蚀获得12.4μm的陡直SiO2光波导剖面,并将这一刻蚀技术用于阵列波导...
  • 235. 用于综合PWM芯片的并行遗传算法
    作者： 杨华中 汪蕙 陈黎
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年11期
    页码:  1226-1231
    摘要： 提出了基于遗传算法的脉冲宽度调制(PWM)芯片的自动综合方法.为保证综合结果准确实用,对电路性能的评价基于HSPICE的仿真结果,提出的并行遗传算法采用了电路划分和参数关联技术,并运用互联网...
  • 236. 介电常数对比和填充率对光子晶体中光子禁带和局域态的调节
    作者： 于丽娟 国伟华 陈沁 黄永箴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1233-1238
    摘要： 用有限时域差分法(FDTD)和Padé近似分析了二维光子晶体的能带结构和缺陷引起的局域态.针对介电常数对比和填充率对完整光子晶体中光子禁带以及缺陷态的影响作了研究.计算了不同缺陷的光子晶体模...
  • 237. 用CMOS工艺改善集成开关电容DC-DC变换器的特性
    作者： 余宁梅 王立志 赵敏玲 陈治明 隋晓红
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1239-1243
    摘要： 介绍了一种具有改进电路结构和改进工艺的单片集成3.3V/1.2V开关电容DC-DC变换器,其控制脉冲频率和固定导通比分别为10MHz和0.5.为了提高变换器的输出电流,采用CMOS工艺来制造...
  • 238. 900MHz CMOS锁相环/频率综合器
    作者： 任俊彦 章倩苓 赵晖
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1244-1249
    摘要： 给出了一个900MHz CMOS锁相环/频率综合器的设计,设计中采用了电流可变电荷泵及具有初始化电路的环路滤波器.电荷泵电流对温度与电源电压变化的影响不敏感,同时电流的大小可通过外部控制信号...
  • 239. 5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器
    作者： 冯军 熊明珍 王志功 胡艳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1250-1254
    摘要： 采用TSMC 0.25μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采...
  • 240. Vg=Vd/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响
    作者： 胡靖 许铭真 谭长华 赵要
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1255-1260
    摘要： 讨论了最差应力模式下(Vg=Vd/2)宽沟和窄沟器件的退化特性.随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化.不同沟道宽度pMOSFETs的主要退化机制是界面态产生.沟道增强的器件退化是...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

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