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半导体学报(英文版)2004年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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151. 大规模混合模式初始详细布局算法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 以大规模混合模式布局问题为背景,提出了有效的初始详细布局算法.在大规模混合模式布局问题中,由于受到计算复杂性的限制,有效的初始布局算法显得非常重要.该算法采用网络流方法来满足行容量约束,采用...
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152. 磁场调制下的双电子量子点qubit刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 研究了磁场中二维有限深抛物形量子点中双电子在总自旋分别为S＝0或S＝1时的电子态,在有效质量近似下,利用精确的对角化方法计算了系统的能级结构.发现系统的基态总自旋S可以通过改变磁场的大小进行...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜.XRD测试和UV-Vis吸收谱测试证明在高于880℃的温度下热处理,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜.光致发光...
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154. 杂质对单晶硅材料硬度的作用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 室温下使用维氏硬度计研究了硅单晶表面的接触损伤及硅单晶中杂质对表面损伤的影响.实验发现,硅单晶的硬度不仅与晶体的本身特性--晶向有关,还与所掺入杂质的种类和浓度有关.损伤造成的裂纹倾向于沿着...
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155. ZnO纳米岛的MOCVD自组装生长刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 利用低压金属有机源气相沉积(LP-MOCVD)技术,在 (0001)蓝宝石衬底上生长ZnO纳米岛,发现在适当的生长条件下,可以生长出规则排列的纳米岛.实验发现随着生长时间的增加,在蓝宝石衬底...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 利用低压金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)技术,采用两步生长法,在(0001)蓝宝石衬底上获得了纤锌矿结构的Zn1-xMgxO合金单晶薄膜.实验发现随着Mg原子的增多,ZnMgO的晶格常...
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157. 具有复合埋层的新型SIMON材料的制备刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 采用氮氧共注入方法制备了新型的SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen)SOI材料.采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试...
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158. 硼离子选择注入制备多孔硅微阵列刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 根据p型硅和n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件,利用硼离子选择注入,在n型硅片上的局部微区域,形成易于腐蚀的p型硅,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列.省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个HBT并联时,常常出现电流坍塌的问题.研究了发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P/GaAs HBT直流及高频特性的影响,并对实验现象进行了理论分析.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 利用泊松方程以及异质结能带理论,通过费米能级-二维电子气浓度的线性近似,推导了基于双异质结双平面掺杂的HEMT器件的电荷控制模型.计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度,栅金属与顶部平面掺杂层...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 利用室温下反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了HfO2栅介质层,研究了HfO2高k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流(SILC)效应.对HfO2栅介质泄漏电流输运机制的分析...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 采用由多孔SiO2薄膜和过渡SiO2薄膜组成的复合薄膜结构实现了非制冷热释电薄膜红外探测器的热绝缘.利用溶胶凝胶方法制备了多孔SiO2薄膜以及过渡SiO2薄膜,通过优化制备工艺,使得多孔Si...
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164. 高精度带隙基准电压源的实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 提出了一种高精度带隙基准电压源电路,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源.设计得到了在-20～+80℃温度范围内温度系数为3×10-6/℃和-85dB的电源电压抑制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率SiON薄膜对Si基SiO2阵列波导光栅中波导应力双折射的影响.分析结果表明在芯区上或下表面沉积SiON薄膜可以明显减小Si基SiO2阵列波导...
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166. 硅基纳机电探针及其敏感和执行特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 阐述了集成纳机电探针实现超高密度存储的工作原理,并对所设计的结构进行了力学理论计算和有限元模拟.采用硅基微纳机械加工工艺,将压阻敏感器和电热纳米针尖一体集成到硅悬臂梁上,实现器件制作.对加热...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 提出了一种改进的遗传算法,应用于提取GaAs MESFET小信号等效电路参数.改进的算法采用浮点编码连续突变,多种遗传操作合作运行,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象...
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168. vf-BGA封装焊球热疲劳可靠性的研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 采用有限元分析方法对vf-BGA焊球的热疲劳特性进行了模拟 .通过扫描电镜(SEM)对温度循环试验后焊球金属间化合物(IMC)层和剪切强度试验后的断裂面进行了形貌、结构和组分的观察及分析.实...
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169. 深亚微米设计中天线效应的消除刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 分析了PAE效应(process antenna effect)的成因,并在此基础上提出了几种在深亚微米ASIC设计中消除PAE效应的方法.其方法应用于"龙芯-I CPU"的后端设计,保证了...
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170. 一种提高热氧化均匀度的方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 分析了在采用内燃结构进行氢氧合成氧化过程中,造成氧化层厚度不均匀的原因.根据流体力学和热传导理论,设计了解决这一问题的半封闭式炉管结构氧化方法和相关的匀流隔热散热装置.实验结果表明,此方法简...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 通过光致发光谱研究了在19～48K范围内掺氮浓度为0.12%时的GaPN的NN3束缚激子与声子的耦合.直接计算了NN3束缚激子的LO,TO和TA声子伴线的黄昆因子S,除了LO声子外,得到了T...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用量子阱混杂的方法制作了可集成的分布式Bragg反射激光器.通过同时控制相位区和光栅区的注入电流,该激光器的波长可以准连续地调谐4.6nm.在整个调谐范围内,除了少数几个模式跳变点以外,激...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 研制了一种张应变准体InGaAs半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80mA的注入电流下,器件的3dB光带宽大于85nm(1520～1609nm).该带宽几乎同时全部覆...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 给出了一种新型的低噪声放大器的变增益方案.与传统的噪声恶化很严重的低噪声放大器变增益方案相比,该方案以3dB为步长,可以得到25dB的变增益范围,并且在低增益时的噪声恶化只有0.3～0.5d...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 介绍L波段、低偏置电压下工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管的研制.在晶体管制作过程中采用了发射极-基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性.功率测试结果显示:当器...
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176. 有双包层结构的楔变脊型光斑转换器的设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 为了提高硅基上单模波导器件与单模光纤的耦合效率和工艺容差,设计了一种实用新型光斑转换器,它由水平和垂直双向楔变的波导芯区和双内包层构成.分析了内包层折射率与其厚度对耦合效率的影响,发现通过优...
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177. 采用三相电源的互补传输管绝热逻辑电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 提出了一种由三相电源驱动的新绝热逻辑电路--complementary pass-transistor adiabatic logic(CPAL).电路由CPL电路完成相应的逻辑运算,由互补...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 提出了一种有效的Data-Path布局算法DPP,该算法基于一个新的"不规则度"概念来评价电路单元之间连接关系的规则性信息,并根据这些规则性信息提取规则化的单元形成规则矩阵;然后算法把规则矩...
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179. 半导体量子点中强耦合磁极化子的性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用线形组合算符和么正变换研究了磁场对半导体量子点中强耦合磁极化子基态的影响.结果表明,磁极化子束缚能、磁极化子振动频率随有效束缚强度增大而减小,随电子-体纵光学声子耦合强度增大而增大,随磁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用φ100mm厚度400μm、电阻率为0.8～2Ω·cm的p(100)CZ硅片制作硅光单体电源,并对RTP和铝背场烧结工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对硅片少子寿命产生一定影响.铝...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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