半导体学报(英文版)期刊
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

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影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
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  • 作者: 吴越颖 张文理 王青 胡跃辉 阴生毅 陈光华
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  613-619
    摘要: 为了定量地得到磁场梯度对a-Si∶H薄膜沉积速率的影响,对单磁场线圈分散场MWECR CVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究.通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁...
  • 作者: 丁颖 刘志宏 周帆 朱洪亮 王书荣 王圩 王鲁峰 赵玲娟
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  620-625
    摘要: 研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器.有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层.这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场...
  • 作者: 刘训春 白大夫 袁志鹏 钱永学
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  626-632
    摘要: 采用三指单胞的InGaP/GaAs HBT提取的大信号模型参数,设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器.通过对传统偏置网络的优化,消除了小信号下的增益压缩.在3.5V电压下,该放大器的...
  • 作者: 洪志良 黄煜梅
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  633-638
    摘要: 介绍了一种基于0.35μm CMOS数字工艺、集成于单片蓝牙收发器中的射频低噪声放大器.在考虑ESD保护和封装的情况下,从噪声优化、阻抗匹配及增益的角度讨论了电路的设计方法.经测试,在2.0...
  • 作者: 丁艳芳 朱自强 李琼 王伟明 郁可
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  639-644
    摘要: 用小电流、特殊配比溶液的电化学阳极腐蚀法在p型、〈100〉晶向、0.01Ω·cm电阻率的硅片制备了大面积纳米硅薄膜.通过SEM,TEM,XRD和Raman光谱技术分析薄膜颗粒的微细结构.实验...
  • 作者: 孙慧 李侠 章倩苓
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  645-650
    摘要: 提出了基于双比特算法的新型除法器及其VLSI实现结构.与MIPS微处理器中的除法器相比,它的平均执行周期减少了52.5%,而其最大延时几乎不变,仅晶体管数目增加了60%.仿真结果表明,在相同...
  • 作者: 邵军
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  651-656
    摘要: 通过测量GaAs基GaxIn1-xP/AlGaInP多量子阱的光学吸收谱,揭示出采用吸收谱研究该量子阱系统所遭遇的困难,并判明吸收谱中高频振荡干扰的来源为多光束干涉,从而指出消减振荡干扰的有...
  • 作者: 刘艳辉 孟亮 张秀娟
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  657-661
    摘要: 在单晶Si衬底上用磁控溅射Fe膜并硫化的方法,制备了不同厚度的FeS2薄膜,测定了晶体结构及光学性能.结果表明,薄膜晶体学位向分布随薄膜厚度的增大可发生一定程度的变化.随着薄膜厚度增加到33...
  • 作者: 李立本 杨德仁 沈益军 王飞尧 阙端麟 马向阳 黄笑容
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  662-667
    摘要: 研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响.实验结果表明:重掺p型(硼)硅片氧沉淀被促进,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷;重掺n型(磷、砷、锑)硅片氧沉淀...
  • 作者: 叶志镇 吕建国 曾昱嘉 朱丽萍 袁国栋 赵炳辉 钱庆 黄靖云
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  668-673
    摘要: 报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜.ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α-Al2O3(0001)衬底上,N来自NH3与O2的生长气氛,Al来自ZnxAl1-x(x...
  • 作者: 夏君磊 安俊明 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 郜定山
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  674-677
    摘要: 用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2(GeO2-SiO2)粉末,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃.用光学显微镜观察了样品表面形貌,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响.用X射线光...
  • 作者: 刘宏新 曾一平 李建平 李晋闽 王军喜 王晓亮 胡国新
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  678-681
    摘要: 使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层,其表面粗糙度为0.6nm.研...
  • 作者: 刘新福 孙以材 张艳辉 陈志永
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  682-686
    摘要: 介绍了一种应用斜置式方形探针测量单晶断面电阻率的测试方法,将Rymaszewski直线探针测试方法引入到方形探针测试,并对测试过程中产生的游移以及图像监控问题进行了讨论.应用此测试方法得到了...
  • 作者: 姜永睿 杨沁清 杨澜 王红杰 胡雄伟 谢二庆
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  687-690
    摘要: 采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶-凝胶,并应用四丙氧基锆作为调节折射率的材料.为了增加薄膜与硅片的粘附作用,先用干氧热氧化法在硅片上生长一层厚度约为150nm的SiO2,然后使用提拉法在硅...
  • 作者: 施卫 田立强
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  691-696
    摘要: 研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性.当触发光能量和偏置电场不同时,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型.通过...
  • 作者: 王立峰 黄庆安
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  697-701
    摘要: 提出了一种新型的微电子机械数模转换器(MEMDAC)--静电驱动悬臂梁数模转换器.与传统的静电驱动悬臂梁执行器相比,新的结构能更精确地控制梁的挠度.文中给出了此MEMDAC的设计、分析和模拟...
  • 作者: 张国艳 赵冬燕 黄如
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  702-706
    摘要: 比较了SOI RF电感与体硅电感的性能,并根据模拟结果分析了电感中空面积,电感形状结构,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感...
  • 作者: 戎华 李伟华 聂萌 黄庆安
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  707-710
    摘要: 在MEMS领域,微梁广泛应用于各种器件及材料参数的提取中,但是由表面微加工工艺制成的单层台阶型锚,往往不能使微梁满足理想固支的边界条件,从而给器件设计和材料参数的提取带来较大的误差.为了解决...
  • 作者: 伍墨 刘宗顺 张书明 朱建军 李娜 杨辉 段俐宏 王俊 赵德刚 金瑞琴
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  711-714
    摘要: 在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、...
  • 作者: 张波 方健 李泽宏 李肇基 杨舰
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  715-719
    摘要: 提出了DMOS器件的二维阈值电压模型,分析了耗尽层宽度的变化,并得到了模型的数学表达式.模型的解析解与实验结果和二维仿真器MEDICI的数值解相吻合.给出了沟道表面扩散浓度在2.0×1016...
  • 作者: 于云华 刘扬 李志刚 石寅
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  720-725
    摘要: 在0.6μm DPDM标准数字CMOS工艺条件下,实现10位折叠流水结构A/D转换器,使用动态匹配技术,消除折叠预放电路的失调效应;提出基于单向隔离模拟开关的分步预处理,有效压缩了电路规模,...
  • 作者: 凌燮亭 王晓峰 王正宏 胡波
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  726-730
    摘要: 在单级多比特Σ-Δ(增量-总和)调制电路中,内部的ADC和DAC的结构规模和精度都会对调制器的性能有很大的影响.文中探讨能够减小内部ADC量化器规模的调制器新结构,并与其他结构和算法的性能进...
  • 作者: 任迪远 余学锋 王明刚 胡浴红 赵文魁 郭旗 陆妩
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  731-734
    摘要: 介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同偏置及不同退火温度下,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因....
  • 作者: 海潮和 赵洪辰 钱鹤 韩郑生
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  735-740
    摘要: 研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响.这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著...
  • 作者: 严密 孙云 张加友 张辉 杨德仁 汤会香 薛玉明
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  741-744
    摘要: 采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2薄膜的工艺条件.调节四个较为重要的影响因素,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到16个CuInS...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
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ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
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半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
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