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半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 采用RF-MBE技术,在蓝宝石衬底上生长了高Al组分势垒层AlGaN/GaN HEMT结构.用三晶X射线衍射分析得到AlGaN势垒层的Al组分约为43%,异质结构晶体质量较高,界面比较光滑....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 对微晶硅薄膜晶体管,尤其对底栅型晶体管,在衬底和晶化层间存在一层非晶相起始层,这将严重影响器件性能.文中采用降低硅烷浓度的方法简便有效地减薄了用超高频化学气相法直接沉积的微晶硅薄膜起始层的厚...
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213. 锯齿型源漏结构的新型InP基HEMT器件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础.从优化器件结构的角度,提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件.实验证明,采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的影响,改善源漏的图形...
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214. 12位300MHz电流驱动型DAC刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 在电路误差、电路占用芯片面积相互折中和妥协的前提下提出了一种8+4结构的电流驱动型数模转换器.采用Q2 random walk方法设计了一个新型的双中心对称的电流矩阵,确保数模转换器的线性度...
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215. 非对称耦合双量子点中激子的动力学行为刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 利用二能级近似理论分析了外场驱动下非对称耦合双量子点中激子的动力学行为,并给出了局域化的条件.分析发现:当外场振幅较小时,库仑相互作用扮演着重要角色,激子的动力学行为主要发生在低能级子空间,...
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216. 深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值...
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217. 多晶CdS/CdTe异质结界面的能带偏移刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe,并对其结构和光学性质进行了研究.原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS/CdTe异质结,研究了其结构、电子学性质.获得的CdS/CdTe半导体异...
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218. GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品,并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为.用Raman,DCX...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si:H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.In...
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223. 光电薄膜SnS的制备及其性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/5和电流密度J=3.0mA/cm2的条件下,用阴极恒电流沉积法在ITO导电玻璃基片上制备出了Sn0.995S1.005膜层,并用扫...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 使用GaAs(001)衬底模拟垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片表面,采用选择液相外延技术在其上面制备了用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术GaAs微探尖阵列,并用扫描电子显微镜对微探...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 提出了背向选区腐蚀生长多孔硅的集成电感衬底结构.ASITIC模拟证明,该新型衬底结构的集成电感在高频下仍具有较高的品质因子.采用此工艺,在固定腐蚀液配比的条件下,变化电流密度和阳极氧化时间,...
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226. 应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 利用低剂量、低能量的SIMOX(separation by implanted oxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备.在二氧化硅掩膜尺寸为172nm的情况下,可以得到间隔为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 提出在Ni中掺人夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻N...
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229. 退火过程中RP缺陷模型及数值模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 根据一维动力学方程,提出了RP缺陷的演化模型,用于描述离子注入后硼杂质分布在退火过程中出现异常变化的物理现象.通过分析发现缺陷随退火时间呈指数变化,根据变化的时间常数与RP缺陷对间隙原子束缚...
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230. 光电耦合器件g-r噪声模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生-复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 介绍了-种新型硅磁电负阻-振荡器件--S型负阻-振荡硅磁敏三极管.该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件,采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线...
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232. 电阻栅结构负阻异质结双极晶体管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管.研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 基于激光器速率方程和等效电路模型对激光器高频响应特性进行分析,提出了一种采用激光器频率响应扣除法提取有源区本征响应和预测激光器整体频率响应的仿真新方法.用该方法对实验样品的高频调制响应进行了...
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234. 表面粘连效应对接触式微开关接触电阻的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 建立了一个微开关接触电阻模型.模型将粗糙的触头表面理想化为多微丘结构,并考虑了表面粘连效应,给出了接触电阻与接触力之间的变化关系.结果显示,在低接触力下,粘连效应十分重要.粘连模型与Maju...
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235. 折叠内插模数转换器分析及实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 应用Matlab/Simulink工具对折叠内插模数转换器进行了建模,研究了具有8bit分辨率、200MHz采样频率的该模数转换器的芯片设计和实现.系统设计时采用Matlab/Simulin...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 运用光刻胶为注模的多次互不干扰金属电镀技术实现了惯性微型电学开关的低温制造与封装.电镀技术的低温过程可使微型开关直接成形于预先制作好的含有电子信号处理电路的基底上,加上同样借助于低温金属电镀...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 利用有限元模拟方法,对一种压阻式高量程MEMS加速度计进行了10万g峰值的半正弦加速度脉冲下的响应分析.灌封胶弹性模量的变化对高量程加速度计输出电压信号的影响可以忽略,且模拟输出电压的峰值与...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 讨论了适用于无线局域网零中频收信机的4阶切比雪夫有源RC滤波器,为消除工艺偏差和环境变化对截止频率的影响,提出片上数字控制频率调谐电路.采用TSMC-0.25μm 1P5M CMOS工艺进行...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 设计实现SOI基上带有D/A驱动的高压LDMOS功率开关电路,利用D/A变换的灵活性,运用数字电路与高压模拟电路混合设计方法,实现数字控制的耐压为300V的LDMOS功率开关电路.该功率集成...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 提出了一种新的集成电路参数成品率的全局优化算法--映射距离最小化算法.该算法采用了均匀设计与映射距离最小的耦合优化,每次迭代模拟次数很少,优化过程明显加速.另外,给出了一种粗略估计空间点集均...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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