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半导体学报(英文版)2005年第5期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 利用离子注入量子阱混杂技术,成功研制了三段取样光栅(SG)-DBR激光器.器件不连续调谐范围超过30nm,边模抑制比大于30dB.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 提出了一种用于提高硅基螺旋电感性能的局部介质增厚技术.这种技术通过淀积、光刻和湿法腐蚀工艺,局部增加电感下方的氧化层厚度,以降低衬底损耗和提高电感性能.所采用的结构及工艺简单、成本低廉,与C...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 为了提高SIMOX(separation-by-implanted-oxygen)SOI(silicon-on-insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 在0.35μm 2P4M标准CMOS工艺上,设计了一个精确的1.08GHz CMOS电感电容压控振荡器.提出了一种有效计算压控振荡器周期的新方法,采用该方法计算的频率-电压调谐曲线与实验结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 介绍了一种适用于Viterbi解码器的异步ACS(加法器-比较器-选择器)的设计.它采用异步握手信号取代了同步电路中的整体时钟.给出了一种异步实现结构的异步加法单元、异步比较单元和异步选择单...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 在分析隔离岛式FPGA结构的基础上,提出了基于LUT的面积和延迟模型,用于分析LUT尺寸对FPGA面积和性能的影响.结果表明利用计算模型得到的最佳LUT尺寸与实验结论一致:4-LUT获得最好...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 提出了一种解决SU-8去胶难题的方法.该方法首先将SU-8微结构用PDMS进行复制,然后利用复制的PDMS微结构进行下一步的电铸,电铸完成后只要简单地将PDMS揭下即可释放出金属模具.通过该...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 用多层模型和膜系传递矩阵计算了HgCdTe/CdZnTe外延薄膜的红外透射光谱,结果表明组分扩散区主要影响透射光谱的干涉条纹和透射率小于10%的区域,而组分梯度区则影响吸收边斜率.横向组分波...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2晶格中.室温条件下对样品进...
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10. 硅纳米晶的制备和电荷储存特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 在Si/SiO2/Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶,利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷,在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性.实验结果表明,硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10h以上,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5.3×103Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μ...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用HFCVD制备金刚石薄膜的方法,以乙醇为碳源,氢气为载气,在适当的衬底温度下,合成出具有(100)晶面取向均匀生长的金刚石薄膜.SEM,XRD和Raman分析表明,所合成的金刚石薄膜是高...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用VHF-PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上,研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点,采用AMPS软件结合相关试验参数对Ⅲ-Ⅴ族的AlxGa1-xAs类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 推导出描述铁电电容电气特性的新模型.铁电电容可以等效为开关电容(电畴电容)和非开关电容(普通线性电容)的并联,而电畴电容可以看作是由电偶极子组成的铁电材料、上电极和下电极组成.根据实验测试的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理.从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14.9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用一种新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs HBT器件进行建模.测量和模型仿真FV特性及其在多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC～9GHz频率范围内,简化后的模型可对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 对双极型晶体管△VBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 对三沟道BCCD(bulk charge-coupled device)在近红外光区的光电特性进行了研究.结果表明,锗制的三沟道BCCD不能在近红外光区实现多光谱成像.通过理论分析,找到了一...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 以Si基SiO2平面光波导为基础,设计并制备了50/100GHz AWG型光学梳状滤波器.制备得到的AWG型光学梳状滤波器可以覆盖1520～1585nm的波长范围,共有160个信道.功率输出...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究.实验证实该器件在80℃仍能正常工作,在20～80℃的温度区间内,器件的斜率效率由0.3mW/mA降到0.2mW/mA.根...
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25. 一种改进的旋转式微机械结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 给出了一种改进的旋转式微机械薄膜残余应变测试结构.与已有的普通微旋转结构相比,改进的微旋转结构执行梁的宽度都保持一致.改进的微旋转结构在旋转变形之后,整个执行梁都会发生弯曲变形,所以在变形之...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 利用0.35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器.其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2.452GHz,2.45G...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 介绍了一种用于频率综合器的2.4GHz CMOS注入锁频倍频器的设计和实现.从理论上重点分析了模拟倍频器的锁频范围和相位噪声特性.当电源电压为3.3V,输入信号为400mV时,电路输出幅度为...
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28. 考虑缺陷形状分布的IC成品率模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 实现了基于圆缺陷模型的蒙特矩形度之间的关系,提出了更具有一般性的两种集成电路成品率模型,它们分别对应于矩形度相同和不同的缺陷.仿真结果表明该模型为成品率的精确表征提供了新途径.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺,形成了较为优化的施镀流程,实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法,优...
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30. 厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响,更新Dill曝光参数的定义,建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型.光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系,为此,建立...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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