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半导体学报(英文版)2006年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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481. 无线传感网络中低功耗处理器的设计和优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用90nm工艺设计实现了应用于无线传感网络中的低功耗处理器.为了减小功耗,采用了以下两种方法:(1)采用门控时钟技术来降低动态功耗;(2)采用多阈值电压单元库来减小漏电功耗.通过比较给出了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 报道了自组装Si量子点(Si-QDs)阵列在室温下的共振隧穿及其微分负阻特性.在等离子增强化学气相沉淀系统中,采用layer-by-layer的淀积技术和原位等离子体氧化方法制备了Al/Si...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250...
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485. 集成CMOS四象限模拟乘法器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 给出了一种CMOS型四象限模拟乘法器,该乘法器采用有源衰减器结合吉尔伯特单元结构.利用基于CSMC的0.6μm n阱2p2m工艺SPICE BSIM3V3 MOS模型(level=49)进行...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET.该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明,输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应,关态的击穿电压达13V,在VG=4...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 用Vogl提出的sp3s*紧束缚模型来研究碳化硅/纳米硅(SiC/nc-Si)多层薄膜的能带结构与其光致发光谱的关系,并设计出SiC/nc-Si多层薄膜最佳结构为{Si}1{SiC}8,即碳...
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488. 提高SOI器件和电路性能的研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子...
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489. 稀土金属硅化物的场发射刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15～20V/μm之间.用电子束对其进行退火处理后,开启电场降到10V/μm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 用平面波展开法计算二维正方晶格光子晶体的带隙结构,对二维光子晶体的电磁波理论及周期介质中的Bloch波解进行了详细的推导,得出TE模和TM模下无缺陷时光子晶体的色散曲线,并设计了低频区域内具...
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492. 有限元分析法在MCM三维热模拟中的应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 多芯片组件(MCM)的可靠性特别是其热可靠性已经成为国内外电子产品可靠性研究的焦点之一.热有限元分析法是多芯片组件热分析的重要方法.本文运用ANSYS工具建立了MCM的三维热模型,得到了温场...
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493. n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+ SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/n+ SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在高纯氮气保护下对样品进行快速热退火,...
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496. 小面积低功耗RFID射频前端电路设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 提出了一个适用于EPC Gen2协议的小面积低功耗RFID射频前端电路的设计方案.射频前端电路包括整流器、ASK解调器、ASK和BPSK调制器和传感器模块,射频的工作频率为860～960 M...
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497. 侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高光刻分辨率.采用PROLITH光学光刻模拟软件,参考ArF...
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498. 纳米电子器件及其集成刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞...
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499. 一种用扫描电镜制作表面纳米结构的方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 提出了一种用扫描电镜制作表面量子点、纳米孔和纳米线阵列的方法,该方法是在数字式扫描电镜的阴极自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器,其内阻远小于自偏压电阻;用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为...
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500. 快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对...
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501. 高速12位D/A转换器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 介绍了高速12位D/A转换器的电路设计,采用2μm等平面高速双极工艺,研制出数据更新率≥80MHz,线性误差≤3LSB,微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.
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502. 石英衬底上溅射制备纳米SiCN薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 利用射频溅射方法在石英玻璃上沉积了纳米结构硅碳氮(SiCN)薄膜.SiCN薄膜表面由平均直径约50nm的SiCN纳米颗粒组成,这些纳米颗粒的紧密分布构造了薄膜的致密表面.纳米SiCN薄膜呈现...
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503. 离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的...
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504. SiC MESFET微波功率测试技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术,建立了SiC MESFET的微波测试系统...
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505. 电子器件的失效分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 为了研究材料晶体形态与器件性能的关系及其形成机理,寻求提高器件质量的依据,利用显微设备、电子探针等对电子器件引脚可焊接性极差的失效现象进行了分析.
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506. LC振荡器的设计要点刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 主要介绍了LC振荡器的设计要点.从LC振荡器的模型出发,研究了VCO的电路结构、谐振回路对于输出幅度的影响、VCO的噪声源、VCO的相位噪声以及谐振回路的Q值对于VCO的影响.给出了LC振荡...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 基于GaN HEMT器件物理和实验分析测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应的新物理模型.研究表明,在大漏极电压条件下,沟道电子易于注入到GaN缓冲层中,并被缓冲层中的陷阱所俘获,耗尽二维电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下...
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509. 电声子耦合对量子点非平衡输运的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 电子-声子耦合显著影响半导体量子点和单分子晶体管的非平衡输运.在非平衡格林函数运动方程方法的框架内,通过改进电声子解耦,发现低温下量子点谱函数中声子伴带明显依赖于两边电极费米能级与重整后局域...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下N...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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