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半导体学报(英文版)2006年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六...
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452. 超长六角多型纳米SiC晶须的光学性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用改进的PECVD技术首次制备出六角多型SiC纳米晶须.高分辨率电镜观察其直径在18～50 nm之间,长度为0.3μm～6mm.Raman光谱表明它是六角多型(4H)纳米SiC晶须.紫外光...
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453. 并五苯场效应管的电学特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 介绍了用高真空中热蒸发镀膜的方法制备并五苯薄膜场效应晶体管.作为场效应管半导体层的并五苯薄膜沉积在p型Si(100)(14.0～20.0 Ω·cm)衬底上.场效应管中并五苯薄膜厚度为70nm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅...
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455. 热退火对 InGaN薄膜性质的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 对采用金属有机化学气相沉积方法生长的In组分为0.14的InGaN薄膜在不同温度下进行了热退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和变温霍尔等测试方法研究了In0.14Ga0.86...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 基于SMIC 0.18μm数字CMOS工艺,设计了一种基于增益增强技术的折叠式共源共栅运算放大器,并采用衬底校准技术增大了运放的输入摆幅,可用于13位30MHz采样频率的流水线模数转换器,分...
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457. 硅晶片双面超精密化学机械抛光刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度...
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458. 磁约束反应离子蚀刻装置的磁场优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 应用有限元分析方法建立了多磁极约束磁增强型反应离子蚀刻装置内部的磁场分布模型.通过研究磁极的配置及磁化方向的调整,对蚀刻装置内部磁场的强度及其分布的均匀性进行了优化研究,获得了在兼顾蚀刻速率...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483...
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460. 1OOV高压pMOS器件研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 对蓝宝石衬底上的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构和经激光剥离去除衬底的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构薄膜样品,进行了光致发光谱、高分辨XRD和喇...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器,在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流,严重影响器件的正常工作.本文通过测试AlGaInP大功率压应变量子阱...
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463. 基于ATE的IC测试原理、方法及故障分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 介绍了基于ATE的集成电路的测试原理和方法,包括电气特性测试原理和功能测试原理,详细地介绍了通用的测试方法以及一些当今流行的比较特殊的测试方法,并以一个功能较为全面而典型的具体电路为例进行了...
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464. 两种自主开发的图形外延SiGe工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质...
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465. 自组织SiGe量子环的生长与形貌维持刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 研究了640℃部分覆盖SiGe量子点时量子点向量子环的转变.从应变的角度解释了量子环的形成机制.研究发现在350℃以下覆盖量子环时可以使量子环形貌得到很好的维持.从动力学的角度解释了低温下覆...
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466. 自组织量子点的形成过程刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品.样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均匀.这种分布恰恰对应着量子点形成的不同时期,因此仅通...
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467. 低压条形栅功率场效应晶体管的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点.还对条形栅VDMOS的工艺做了介绍,其...
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468. 固相反应和离子注入制备硅化镍薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用固相反应和镍离子注入硅方法分别制备了硅化镍薄膜,利用卢瑟福背散射谱(RBS),X射线衍射(XRD)和喇曼光谱对它们的成分和结构进行了表征.结果表明固相反应方法中,硅化镍薄膜的相结构取决于...
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469. PECVD SiC材料刻蚀技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-...
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471. 8×8 MEMS光开关阵列的制作刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用MEMS技术制作了静电驱动的扭臂结构8×8光开关阵列,主要包括上下电极的制作.利用硅在KOH溶液中各向异性腐蚀特性及(110)硅的结晶学特点,在(110)硅片上制作出8×8光开关微反射镜...
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472. 用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了...
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473. 闭管扩散Zn对InP表面性质的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度...
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474. 磁存储器驱动电路界面平坦化研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究.原子力显微镜照片表明:磁控溅射沉积的金属铝膜的...
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475. 基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 随着器件沟道长度的不断缩小,多栅结构(包括FinFET)被普遍认为是有效改进Ion/Ioff的手段.量子力学效应对MOSFET中载流子分布和输运的影响已被认识和研究多年.在沟道截面被局限在数...
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476. 硅衬底超精密CMP中抛光液的研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进...
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477. 超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 利用电子速度饱和概念和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验...
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478. 低阻P型衬底上高阻厚层n型外延刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 介绍了高阻厚层反型外延片的一种实用生产技术,即在PE-2061S外延设备上,采取特殊的工艺控制在电阻率小于0.02Ω·cm的p型低阻衬底上实现了高阻厚层n型外延生长,外延层电阻率大于40Ω·...
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479. 抛物量子线中极化子的温度依赖性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 研究了抛物量子线中极化子的温度效应.采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,分别研究了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的有效质量...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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