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半导体学报(英文版)2006年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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61. 用于相干接收的锥形多模干涉合波器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 报道了一个新的基于锥形多模干涉的相干光波合波器.对锥形多模波导中的模式行为给出了完整的理论分析,并给出了该锥形合波器在不同结构下的输出特性.在一个绝缘体上硅的基板上实现了该器件.鉴于无后向反...
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62. 化学气相传输法生长ZnO单晶刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.通过控制源区和生长端的温度梯度,使用碳辅助增强质量传输效应,在无籽晶自发成核的条件下,得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石...
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63. InN薄膜的退火特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了纳米Si镶嵌SiO2薄膜,在室温下观察到光致发光现象,峰值分别位于360,430和835nm,结合吸收谱、光致发光激发谱和X射线衍射分析讨论了发光机理....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 通过电学测量方法得到了半导体功率发光二极管温升与热阻的加热响应曲线.曲线出现一个或多个台阶,反映了其内部的热阻构成与器件物理结构.同时采用遮光法对器件温升及热阻进行了修正.还应用瞬态加热响应...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜SOI RESURF结构击穿电压.数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约40%,并明显减少方程的求解时间.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 设计并制备了一个CMOS工艺兼容的集成湿度传感器,将湿度传感器与CMOS测量电路集成在同一芯片上.片上集成的湿度传感器为叉指电容式,感湿介质为聚酰亚胺,本文给出了相应的感湿模型.针对湿度传感...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 报道基于高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的InAs/GaAs量子点存储器,它既可以在室温下工作,又可以完全由栅极电压来控制其存储状态.在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 利用阵列波导光栅实现单纤三重波分复用器是一种具有很多优点的方法.ITU G.983标准规定了无源光网络的三个波长为1310,1490和1550nm,由于这三个波长的间距相差很大,光谱范围也大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试,测试结果表明射频nMOS管的特征频率f...
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71. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延的一些研究结果.75mm HgCdTe薄膜材料的组分均匀性良好,80K下截止波长偏差为0.1μm.对所观察到的HgCdTe表面缺...
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73. BSIM模型的研究和最近进展刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkeley加州大学的BSIM团队对国际工业标准芯片仿真物理模...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0.1%,0.22%,0.36%和0.62%的GaAsN合金的E0,E0+△0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 用自洽计算的方法研究了极化电场对AlxGa1-xN/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响.发现极化场会导致电压降的出现,从而使得结构对称的AlxGa1-xN/GaN双量子阱具...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 研究了暴露在空气中退火和表面覆盖蓝宝石基板退火对MOCVD生长的ZnO薄膜光学性质的影响.研究发现,暴露在空气中退火虽可以去除薄膜中的氢杂质,并在低温光致发光(PL)谱中观察到与氢相关的束缚...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响.实验结果表明:在快速热处理工艺下,间隙铜对氧沉淀几乎没有影响,铜沉淀却能显著地促进氧沉淀的形成;而间隙镍...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 采用侧向外延(ELOG)方法,在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN.AFM,化学湿法腐蚀及TEM分析表明:采用两步法ELOG生长的GaN中,掩膜下方的缺陷被掩膜所阻...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 使用纳米氧化硅光纤探针,利用倏逝波耦合方法,将紫外到红外的激光成功地耦合进单根ZnO纳米线,耦合效率可达25%.实验观测了单根纳米线的荧光特性,发现ZnO纳米线光传输损耗很低.研究证明:采用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C:F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 为了处理纳米MOSFET载流子分布的量子效应,提出了基于Levenberg-Marquardt BP神经网络的量子更正模型,通过载流子的经典密度计算其量子密度,并对拥有不同隐层数和隐层神经元...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 给出一种利用等效负电阻实现阻抗增加的方法.利用该方法,文中所提出的电流源可在不增加电源电压的前提下显著提高其输出阻抗.基于0.6μm的CMOS工艺模型,仿真所得电流源的输出阻抗可达109Ω,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 在国内首次将等效氧化层厚度为1.7nm的N/O叠层栅介质技术与W/TiN金属栅电极技术结合起来,用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的制备.为抑制短沟道效应并提高器件驱动能力,采用的关...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/SiGe量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制.模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优点.测试结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 基于0.18μm RF CMOS工艺,采用双端调谐结构实现了一种可应用于WLAN的二次变频收发机的压控振荡器.其输出频率范围可以覆盖收发机所需4.1～4.3GHz的频段,其最大调谐范围为50...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 介绍了一种0.18μm CMOS工艺基于GSM1900(PCS1900)标准低中频接收机中的混频器.该混频器采用了一种新型的折叠式吉尔伯特单元结构.在3.3V电源电压、中频频率为100kHz...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 推导出了一个适用于槽板结构压膜空气阻尼的微分方程.该方程与传统雷诺方程的区别是在雷诺方程的左边增加了一个用以表示气体从槽流出所引起的阻尼效应的修正项,并考虑了槽中有限气流通道长度的端头修正....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 报道了一种利用MEMS技术制作的微型直接甲醇燃料电池.其特点在于,利用KOH体硅腐蚀和双面光刻工艺制作了一种独特的三维自吸氧阴极结构.分析了MEMS制作工艺的改进.实验结果表明,该电池室温下...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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