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半导体学报(英文版)2007年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2...
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213. 垂直腔面发射激光器的温度模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 针对垂直腔面发射激光器提出了一种改进的温度模型.该模型建立在半导体激光器Tucker模型的基础之上,通过令器件的寄生电阻和反向饱和电流受温度控制,来模拟激光器的输入特性(Ⅴ-Ⅰ特性),通过引...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 利用有机/无机杂化方法制备了光敏性溶胶-凝胶(sol-gel)SiO2材料,在硅基片上旋涂成膜.研究了薄膜折射率和厚度随紫外曝光时间、后烘温度及时间等外界工艺条件的变化关系.利用紫外光直写技...
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215. 用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯...
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217. 一种新型的在线式微波功率传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 提出了一种基于MEMS技术的在线式微波功率传感器结构,并对该结构进行了理论分析、设计、制作和测量.该结构通过测量由MEMS膜耦合出的一小部分微波功率实现功率的测量.该结构制作工艺与GaAs ...
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218. 大电流、高稳定性的LDO线形稳压器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 以设计输出电流为800mA的高稳定线性稳压器(low-dropout voltage regulator,LDO)为目标,利用工作在线性区的MOS管具有压控电阻特性,构造零点跟踪电路以抵消随...
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219. 新型静电泄放保护电路设计方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 提出了一种新的静电泄放(electrostatic discharge,ESD)保护电路设计方法.相比传统以经验为基础、采用电路设计和硅片验证之间反复实验的ESD设计方法,新方法降低了成本,...
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220. OLED有源驱动TFT阵列的一种测试方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 提出了一种检测有源驱动OLED TFT阵列的方法,这种电流检测方法是结合TFT的制作工艺进行的.在只增加一块光刻版的情况下,有效地解决了在含有2个TFT的单元像素电路中,检测驱动管困难的难题...
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221. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要：
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222. 基于不同测量手段的纳米晶器件的存储特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 对纳米晶器件,尤其是MOS电容进行了横截面TEM分析和不同条件下的电学特性(C-V特性)测量,包括+/-BT分析. 揭示了系统的纳米晶存储物理机制,例如电荷俘获、界面态填充和温度特性. 研究...
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223. 衬底温度和氮气分压对氮化锌薄膜的性能影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 采用射频磁控溅射法在不同衬底温度和不同氮气分压下在石英玻璃衬底上制备氮化锌薄膜. 利用XRD和喇曼散射仪分析了样品的晶体结构和组成. 结果表明当氮气分压为1/2时可以生成多晶单一相的氮化锌薄...
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224. 双栅肖特基源漏MOSFET的阈值电压模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 通过求解泊松方程得到了双栅肖特基势垒MOSFET的解析模型. 这个解析模型包括整个沟道的准二维电势分布和适用于短沟双栅肖特基势垒MOSFET的阈值电压模型.数值模拟器ISE DESSIS验证...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 在国内首次使得1.2μm部分耗尽SOI 64k静态随机存储器的抗总剂量能力达到了1×106 rad(Si),其使用了SIMOX晶圆. 在-55～125℃范围内,该存储器的数据读取时间几乎不变...
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226. 库仑场对量子点中极化子性质的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 采用基于逐次正则变换的变分方法,利用单模压缩态变换处理包含声子产生湮灭算符的双线性项,研究了抛物量子点中束缚极化子的性质. 得到了在电子-体纵光学声子强﹑弱耦合极限下抛物量子点束缚极化子的基...
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227. 静电感应晶体管大电流特性的改善刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法. 首次定义了从不同角度表征SIT电特性的重要因子,如单位沟道宽度跨导、栅效率、灵敏度因子和本征静电增益. 从理论和工艺实践上研究了这些因...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 设计了一种与标准CMOS工艺完全兼容的高速光电探测器和宽带光电集成接收机,并采用0.6μm标准CMOS工艺流片. 测试结果表明,该光电集成接收机的性能已接近实用要求. 探测器的频率响应带宽为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 介绍了一个16位精度Σ-Δ型模拟数字转换器.它由一个模拟的调制器和一个数字降采样滤波器组成.调制器采用了传统的单环两阶的结构,在第一阶调制器中采用了斩波稳零技术来消除电路的闪烁噪声.数字的降...
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230. 双势垒量子阱薄膜力电耦合特性实验刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 用分子束外延方法在(001)GaAs衬底上生长了AlAs/InGaAs双势垒量子阱薄膜结构.介绍了量子阱薄膜在(110)与(110)方向单轴压应力作用下的力电耦合实验,测试出量子阱薄膜在室温...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 利用结合了非平衡格林函数的第一性原理的局域密度泛函理论,研究了氮原子取代掺杂单壁碳纳米管的输运特性.计算结果表明,不同构形和不同数目的氮原子掺杂对(8,0)单壁碳管的输运性能有复杂的影响.研...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 报道了在Si衬底上微米尺寸的介质膜窗口中,采用分子束外延技术共度生长的Si0.8Ge0.2薄膜的应变及其退火特性. 实验表明,微区生长材料的这些特性,与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 制备了结构为indium-tin-oxide(ITO)/polystyrene(PS):N, N'-bis-(3-Naphthyl)-N, N'-biphenyl-(1,1'-bipheny...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 利用HW-MWECR CVD系统,用氢等离子体处理间隙生长堆积层表面技术,制备了一系列不同厚度的μc-Si:H薄膜.发现,当薄膜厚度在0.55μm以下时,样品具有较为典型的非晶硅特征,光电导...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 提出了适用于电路模拟的4H-SiC n-MOSFET高温沟道电子迁移率模型.在新模型中,引入了横向有效电场和表面粗糙散射的温度依赖性,电子饱和漂移速度与横向有效电场和温度的关系,以及改进的界...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 研究 LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响.结果表明:温度随正栅压升高而升高,随负栅压升高而降低,并分析了有源区内电场强度、电流密度和功率密度随栅压的变化规律.从而...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 分析了REBULF LDMOS的实验结果,由击穿电压的测试结果验证了模拟仿真中发现的漏电流增加源于n+浮空层的作用,但暴露于表面的n+p结的漏电流使击穿电压降低.为了解决这个问题,文中分析了...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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