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半导体学报(英文版)2008年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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391. 功率VDMOS器件的ESD瞬态模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 基于对功率VDMOS器件ESD保护及初始条件的分析,建立了VDMOS器件的ESD保护等效电路,分析了ESD响应过程,得到功率VDMOS器件的ESD瞬态模型.分析结果表明,该模型准确地描述了功...
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392. 多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 提出了一种新型多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试结构,给出了热机电耦合模型和测试方法,并利用Coventor软件和ANSYS软件进行模拟和验证.分析表明模拟结果和理论结果基本一致,从而验证了该模型...
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393. 焦耳热作用下共晶锡铋焊点电迁移特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 电迁移可以引发芯片内部互连金属引线(单一元素)中的原子或离子沿电子运动方向移动.但是,在共晶锡铋焊点中,组成的元素为锡和铋而非单一元素.由于铋原子和锡原子在高电流密度下具有不同的迁移速率,因...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 讨论了基于蒙特卡罗法模拟各向异性腐蚀加工的微观表面形态的仿真方法.应用台阶流动模犁,分析了(h,k,l),f)晶面中(h+2,h,h),(,h,1,1),(h+2,h十2,h)以及(h,h....
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395. 隔离度大于95dB的Ku波段微带型开关刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 研究了具备高隔离度性能的Ku波段基于PIN二极管的微带型开关电路,通过采用含有多个子单元电路的拓扑结构以及合理优化子单元电路参数,解决了微带型开关在微波频段难以实现高隔离度的难题.所研制的开...
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396. 纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 给出一种纳米多品硅薄膜压力传感器,采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜,基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通...
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397. 光谱式MEMS/CMOS兼容气敏传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 光谱技术是化学分析的终极手段.将光谱技术与MEMS(micro-electro-mechanical systems)和CMOS技术结合是解决当前气敏传感器灵敏度低、选择性差、体积大、功耗高...
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398. 一种高性能、低功耗音频ΣA调制器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 设计了一个应用于18位高端音频模数转换器(ADC)的三阶低功耗Σ△调制器.调制器采用2-1级联结构,通过优化调制器系数来提高其动态范围,并减小调制器输出频谱中的杂波.电路设计中采用栅源自举技...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性.与传统的设计方法相比,该补偿方法...
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400. 新型高速低功耗显式脉冲触发器电路设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 提出了两种新型脉冲触发器结构--EXPAND触发器和EXPAND-TG触发器.同传统结构相比,新结构一方面通过减小中间节点电容提高电路亢放电速度,另一方面通过消除信号竞争避免直流短路电流对电...
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401. 降压变换器片内集成软启动电路设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 针对电流模降压变换器的集成化趋势,提出了一种可片内集成的软启动电路.该结构利用芯片振荡器产牛的窄脉冲信号,控制微电流对片内电容间歇充电得到斜坡电压,并巧妙地利用复合比较器以较小的功耗实现了对...
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402. 投搞须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 本文报告了硅互补金属氧化层硅(CMOS)电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散.这电路用一只实际的、纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现.通过数字求解五个偏微分方程,可获得...
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404. 量子阱太阳能电池的外量子效率刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 通过实验比较了砷化镓量子阱太阳能电池与不含量子阱结构的普通砷化镓太阳能电池的外量子效率.结果表明,量子阱太阳能电池吸收光子的波长从870nm扩展到了1000nm.当波长小于680nm时,量子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型.通过Pao-Sah积分得到了漏电流的表达式.该模型由一组表面势...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 研制了面向X波段应用的InGaP/GaAs HBT混合集成功率合成放大器模块.电路采用一种新颖的具有片上RC稳定网络的InGaP/GaAs HBT功率管作为功率合成单元以提高电路的稳定性,并...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个2GHz功率放大器.该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 利用0.18μm CMOS工艺实现了一个全集成的工作于3GHz的低功耗、低相位噪声的压控振荡器,且带有自偏置电流源.通过对改进的电流源进行优化,在噪声与功耗之间达到了折中.该压控振荡器可工作...
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409. PDP驱动芯片中高压LDMOS建模刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMoS固有特性:准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等.与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提...
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410. 量子阱中Be受主的光致发光刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 报道了掺杂在GaAs体材料中和δ掺杂在一系列GaAs/AlAs多量子阱中的Be受主带间跃迁的光致发光.实验所用样品,GaAs体材料中均匀掺杂Be受主的外延单层和一系列量子阱宽度从3到20nm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 研究了InAs/GaAs量子点光致发光光谱中出现的多峰结构.观察到随着激发功率的增加光谱中发光峰的数目逐渐增多并且部分发光峰的峰位随激发功率的增加向高能量方向移动.解释了各发光峰的来源并结合...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备本征硅薄膜和n-i-P结构太阳电池,研究了氢稀释率对本征硅薄膜的电学特性和结构特性的影响.采用光发射谱(OES)和喇曼(Ram...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了硼掺杂微晶硅薄膜和微晶硅薄膜太阳电池.研究了乙硼烷含量、p型膜厚度及沉积温度对硼掺杂薄膜生长特性和高沉积速率的电池性能的影响.通过对p型微晶硅...
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414. 直接隧穿应力下超薄栅氧MOS器件退化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 研究了栅氧厚度为1.4nm MOS器件在恒压直接隧穿应力下器件参数退化和应力感应漏电流退化.实验结果表明,在不同直接隧穿应力过程中,应力感应漏电流(SILC)的退化和Vth的退化均存在线性关...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 介绍了利用MMT等离子体氮化工艺和炉管NO退火氮化工艺制备的超薄栅介质膜的电学特性和可靠性.结合两种氮化工艺在栅介质膜中形成了双峰和单峰的氮分布.通过漏极电流、沟道载流子和TDDB的测试,发...
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416. SOI LDMOSFET的背栅特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 在绝缘体上硅衬底上,制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管.详细研究了器件的背栅特性.背栅偏置电压对横向双扩散功率晶体管的前栅亚阈值特性、导通电阻和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 提出了具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS器件.漏至衬底寄生电容是影响射频功率LDMOS器件输出特性的重要因素之一,寄生电容越小,输出特性越好.分析表明n埋层pSOI三明治结构的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 研制了一种用于射频领域的叉指栅PDSOI LDMOS晶体管,并分析了总剂量辐照对其静态和小信号射频特性的影响.其静态工作模式下的辐照响应由前/背栅阈值、泄漏电流、跨导和输出特性表征,而其交流...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电...
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420. 基于SOI硅片的硅微电极制作与评估刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用微机电系统(MEMS)工艺方法制作了基于SOI衬底的七通道硅微电极,用于视神经视觉修复.通过噪声分析确定了硅微电极的金属暴露位点的几何尺寸.优化设计了硅微电极的几何结构,以便于减小植入损...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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