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半导体学报(英文版)2008年第8期出版文献
出版文献量（篇）
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总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.9多层量子阱结构作为有源层,Na作为P型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 研究了基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备方法,不同于其他人采用的MBE或MOCVD生长的方法,用离子注入的方法进行材料制备,能够与现有的集成电路工艺相兼容,用这种方法所...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 介绍了一款应用于3GHz通信的基于改进增益平坦度的功率放大器设计,其由商用InGaP/GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺制作.为了以简单方式改善增益平坦度,除了耦合旁路电容以及射频扼流...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 报道了一种基于商用0.15um赝配高电子迁移率晶体管工艺的单片低噪声放大器,工作频率范围为23~36GHz.它采用自偏置结构.对晶体管栅宽进行了优化设计减小栅极电阻,以得到低的噪声系数.采用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 针对高耦合系数层叠结构的片上变压器提出了一个新型2-Ⅱ集总元件等效电路模型.主要基于解析公式提取了该模型的元件参数.由于该模型中伞部元件取值均与工作频率无关,因此该模型完全可以用于射频集成电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 在550℃下,通过Au-Ag合金助催热蒸发氧化亚锡,制备了25nm的Sn02纳米线.测试了Sn02纳米线的室温光致发光谱,其四个发光峰中,418nm的峰足新发现的峰,它是孪晶纳米线的面缺陷造...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 针对InGaP/AlGaAs/lnGaAs PHEMT器件,进行了Ti/Pt/Au和Pt/Ti/Pt/Au两种栅金属结构的退火实验,通过实验研究比较,得到了更适用于增强型器件的退火工艺,利用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 研究了npn型SiGe HBT集电结附近的异质结位置对器件性能的影响.采用Taurus-Medici 2D器件模拟软件,在渐变集电结SiGe HBT的杂质分布不变的情况下,模拟了各种异质结位...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 设计了基于绝缘层上硅(SOI)平坦化阵列波导光栅单纤三向器.三向器三个波长(1310,1490和1550nm)工作在阵列波导光栅的三个不同的衍射级数,并在阵列波导光栅的输入波导末端引入多模干...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出了一种面向片上系统、不依赖片外电容的CMOS低压差稳压器.通过采用片上极点分离技术和片上零极点抵消技术,保证了没有片外电容情况下低压差稳压器的稳定性.芯片通过华润上华0.5/μm CMO...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 用90nmCMOS数字工艺设计实现了一个低抖动的时钟锁相环.锁相环不需要"模拟"的电阻和电容,采用金属间的寄生电容作为环路滤波器的电容.测试结果显示,锁相环锁定在1.989GHz时的均方抖动...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出一种输出低于1V的、无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源(BGR).该电路适用于片上电源转换器.用HJTC0.18μm CMOS工艺设计并流片实现了该带隙基准源,芯片面积(不包括pad...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 介绍了一种基于亚阈区VGs和△Vos的CMOS基准电压源电路,电路不采用二极管和三极管.电路采用正负温度系数电流叠加的原理,可以产生多个基准电压值的输出,适用于同时需要多个基准的电路系统中....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 考虑到纤锌矿结构的氮化物半导体材料的单轴异性,采用变分法研究了两支异常光学声子LO-like和TO-like对杂质态结合能的影响,即极化子效应.计及电子有效质量,材料介电常数及晶格振动频率随...
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15. 铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 研究了In掺杂n型zno体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、x射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行r分析.掺In后容易获得浓度为1018...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 以玻璃为衬底,室温条件下采用直流磁控溅射技术制备了Glass/Al/a-Si样品.在H2,N2和空气3种不同气氛中进行了退火处理.分别采用XRD,Raman光谱和SEM研究了退火气氛对a-S...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非品硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的P层均采用微晶硅材料...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 为了揭示硅片自旋转磨削加工表面层损伤机理,采用透射电子显微镜对硅片磨削表面层损伤特性进行了分析.结果表明:粗磨Si片的损伤层中有大量微裂纹和高密度位错;半精磨和精磨si片的损伤层中除了微裂纹...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 研制出在蓝宅石衬底上制作的MOS AIGaN/GaN HEMT.器件栅长1um,源漏间距4um,采用电子束蒸发4nm的Si02做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET(HV double diffuse drain MOSFET)模拟过程中产牛的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MES...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 在新型空穴传输聚合物聚TPD(PTPD)中掺杂电子传输有机小分子荧光染料Rubrene制成薄膜器件.考察了影响聚合物掺杂小分子薄膜器件发光性能的因素.实验表明,通过在器件中掺杂,可以控制器件...
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22. 微热板阵列的热干扰刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 针对微热板阵列建立了热路模型,并对热干扰进行分析.结果表明,由于微热板悬窄结构的热阻比硅芯片的热阻高3个数量级.因此微热板阵列芯片的热干扰温度取决于封装对环境的热阻,而芯片上器件的间距对热干...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 在分析GaN中深能级中心与入射光子问相互作用的基础上,提出了一种基于PID(prortional-integral-deriva-tive)技术的深能级中心光离化截面的测试方法.在针对分子束...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作榆测梁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 实现了一个应用于RFID系统的低功耗、低噪声的锁相环频率综合器.该频率综合器采用UMC 0.18μm CMOS工艺实现,输入时钟为13MHz,经测试验证输出频率为718～915MHz,相位噪...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出了一种全片内集成的低噪声CMOS低压差线性稳压器(LDO).首先建立传统LDO的噪声模型,分析了关键噪声来源并提出采用低噪声参考电压源来降低LDO输出噪声的方法.其次,提出一种带数字校正...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 介绍了一种用于无线接收机的具有稳定工作状态的超再生振荡器.这一超再生振荡器的起振时间被由超再生振荡器、高效率包络检波器和高精度电荷泵等构成的类似于锁相环的环路锁定在某一固定状态上.文中建立了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出了一种输m电流可达750mA,脉宽调制(PwM)和变频调制(PFM)双模式控制的,高效率、高稳定性直流.直流降压转换器.该转换器在负载电流大于80mA时,采用开关频率为lMHz的PwM工...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 针对电流模降压型DC-DC变换器,提出了一种新颖的CMOS片上电流采样电路.该电路结构简单,易于集成,功率损耗小,且通过MOSFET的匹配使采样比例几乎不受温度、模型以及电源电压变化影响.并...
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30. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要：
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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