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微电子学2018年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
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总被引数（次）
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91. 一种恒跨导高增益轨到轨运算放大器刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种新颖的恒跨导高增益轨到轨运算放大器.输入级仅由NMOS管差分对构成,采用电平移位及两路复用选择器控制技术,在轨到轨共模输入范围内实现了输入...
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92. 一种高线性度宽带射频放大器刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 采用InGaP HBT工艺,结合达林顿放大器技术,制作了一种高线性度宽带射频放大器.与传统结构相比,该射频放大器具有高线性度、宽带宽的优点.在10 MHz～1 GHz的频率范围内,该放大器的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 针对逐次逼近型模数转换器,提出了一种新型高能效的电容开关转换方案.在前3个比较周期内,该新型电容开关不消耗转换功耗.从第4个比较周期开始,采用了拆分电容技术、单边双电平转换技术,使得一侧的电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 基于华虹0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2 GS/s超高速采保放大器.分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了开关射极跟随结构.增加了前馈电容,以消除保持...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 在分析低密度奇偶校验码(LDPC)算法的基础上,根据可重构思想,提出了一种支持12种模式LDPC的可重构结构.调用不同配置参数,重新组合译码器结构,实现可重构译码.利用接收到的移位配置信息,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 为了实现流水线ADC的带隙基准电压低于1V和降低参考电压电路的功耗,提出了一种新的全差分参考电压电路.在传统带隙基准的基础上,该参考电压电路增加了MOS管基-射极电阻,可根据电阻的比例系数来...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 提出了一种千万门FPGA芯片中DSP硬核的设计.基于SMIC 65 nm CMOS工艺,以全定制技术设计实现了一个高性能的DSP硬核.DSP硬核主要包括输入输出逻辑、乘法器、XYZ选择器和模...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 设计了一种用于C-HomePlug AV (CHPAV) 2.0标准同轴以太网系统的低中频宽带射频收发器芯片.该芯片支持的射频频率范围为0.3～1.3 GHz,中频最高支持300 MHz带宽...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 研究了与CMOS兼容的SOI SiGe HBT结构.首先,分析了SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT在结构上的不同之处.然后,针对新结构的全部耗尽工作模式,建立了考虑电流效应的集电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 为改善数据保持干扰和编程干扰对NAND闪存可靠性的影响,提出了一种新的奇偶位线块编程补偿算法.该算法利用编程干扰效应来补偿由数据保持引起的阈值漂移,修复NAND闪存因数据保持产生的误码,提高...
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101. 智能传感器技术发展综述刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 从智能传感器的概念和架构出发,研究了MEMS、CMOS、光谱学等主流技术智能传感器的基本发展情况.探讨了智能传感器的实现途径.列举了军用智能传感器的重点应用领域和技术.结合国内实际情况,提出...
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102. SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺、SiGe BiCMOS工艺等.概述了SiGe工艺技术的应用情况以及国内外发展现状,并...
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103. N阱掺杂对PMOS管的SET效应影响研究刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65 nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺杂对单管PMOS单粒子瞬态脉冲(SET...
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104. 多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下60C0 γ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验.试验结果表明,辐射后,基极电流IB显著增大,而集电极电...
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105. 一种用于片上静电防护的新型闩锁免疫可控硅刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 可控硅(SCR)被广泛应用于片上静电放电(ESD)防护.由于SCR的低维持电压特性,闩锁问题一直是其应用于高压工艺ESD防护的主要问题.改进设计了一种新型SCR器件,即MOS High-ho...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 相比于P+衬底CMOS工艺,P-衬底0.35 μm BiCMOS工艺中CMOS管的抗闩锁性能更差.为了提高CMOS管的抗闩锁性能,利用光触发方式,基于Medici器件,仿真研究了BiCMOS...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块,对底栅结构的双有源层a-IGZO/IZO薄膜晶体管(TFT)进行了仿真与模拟,研究了双有源层厚度比对TFT特性的影响.结果表明,该TFT的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 基于溶液旋涂法、高压退火工艺,制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟锌氧化物(IZO)薄膜和双层IGZO/IZO薄膜,研究了这些薄膜的电学特性.结果表明,在相同制作工艺下,IGZO单层薄...
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109. 温度和利用率对CPU性能的影响研究刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 随着高性能计算机处理器(CPU)功率密度的增大,温度对CPU计算性能的影响愈发突出.为了解决温度与CPU计算性能之间缺乏定量分析的问题,研究了CPU利用率对温度的影响以及温度对CPU评测分值...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 建立了一种28 nm HPL硅工艺超大规模SRAM型FPGA的单粒子效应测试方法.采用静态测试与动态测试相结合的方式,通过ps级脉冲激光模拟辐照实验,对超大规模FPGA进行单粒子效应测试.对...
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111. 随机振动载荷下板级焊点失效模式分析刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 通过搭建振动加速失效实验平台,完成了芯片中板级焊点的失效实验.在此基础上,对焊点进行电镜观察分析,以确定焊点在振动载荷下的失效模式.结果表明,内部焊点基本没有裂纹扩展迹象,裂纹集中于最外侧角...
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112. 集成电路氧化层失效定位技术研究刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 介绍了一种针对集成电路氧化层失效的定位和分析技术.采用光发射显微镜、光致电阻变化技术,对比出电路中不同的发光机构或电阻变化点.结合电路故障假设法和版图分析,对氧化层失效位置进行定位.最终,采...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 针对时域稀疏信号中的心电信号(ECG)、脑电信号(EEG)在大部分时间内幅度变化缓慢且周期性变化的特性,提出了一种带信号区间预测窗口的功耗调制型逐次逼近模数转换算法.采用该算法,可大幅减少S...
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114. 一种多模式低噪声放大器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,采用可重构结构,设计了一种应用于北斗、GPS导航系统接收机的可切换双频段低噪声放大器.采用Cadence Spectre RF仿真器进行仿真和验证...
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115. 一种亚阈值MOS管低功耗基准电压源刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 设计了一种基于亚阈值区MOS管的低功耗基准电压源.利用MOS管差分对的栅源电压差对MOS管的栅源电压进行温度补偿,从而得到基准输出电压.采用0.18 μm混合信号CMOS工艺进行设计与仿真....
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116. 一种高增益三级运算放大器刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 提出了一种高增益三级运算放大器.采用五管全差分、套筒式共源共栅、典型共源级结构作为运算放大器的放大级,采用共模抑制电路、频率补偿电路、高摆幅偏置电路,提高了运算放大器的性能.结果表明,在3V...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种应用于能量收集的自启动DC-DC升压转换器.系统包括两级升压结构,第一级自启动模块实现亚阈值电压输入,将电压升至可供第二级主升压结构使用...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 提出了一种温度系数低于1×10-6/℃的曲率补偿带隙基准电压源.采用正温度系数电压对具有互补温度系数的BJT射-基极电压进行1阶补偿,向BJT射极注入互补温度系数电流,在输出电流中引入曲率正...
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119. 基于忆阻器的异或逻辑单元的两步操作实现刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 针对基于忆阻器构建的高效逻辑单元,利用忆阻器的特性,为异或逻辑提出了一种两步操作的实现方法.第一步,将异或逻辑操作使用的忆阻器数目减少为4个;第二步,改进电路结构,将操作步骤降低为两步.结果...
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120. 用于原边反馈式反激变换器的电压采样电路刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 提出了一种应用于原边反馈式反激变换器的电压采样电路.该电压采样电路通过三路依次采样,在不同模式下使用对应的算法,得到最接近真实值的采样值.仿真结果表明,在采样频率10 MHz的条件下,该电压...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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