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微电子学2018年第4期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 提出一种特殊数字滤波器的结构优化方案,可以简化滤波器结构、节省电路面积.将该方案应用于解调ISO/IEC 14443协议规定的PICC到PCD的副载波调制信号.在此基础上,改变子滤波器的位置...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 基于SMIC 0.18 μm 1P4M CMOS工艺,实现了一种2阶复数滤波器.该滤波器的中心频率为-1 MHz,带宽为1 MHz,可以实现10 dB的镜像抑制比.采用Tow-Thomas结...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 提出了一种应用于图像传感器的10位160 kS/s的循环型模数转换器(ADC).采用1.5位的流水线ADC结构,经过10次循环后,得到10位数字码输出.采用输入端自级联结构的两级运算放大器,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 设计并实现了一种双路12位电压输出型数模转换器(DAC).采用“10+2”分段式结构,高10位采用开关树电阻串DAC架构,保证了DAC良好的单调性.低2位采用电流舵DAC架构,从整体上减小了...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 基于65 nm CMOS工艺,提出了一种能将差分时钟信号驱动到传输线上并且能将全摆幅差分时钟信号转换为低摆幅差分时钟信号的驱动电路.该时钟驱动电路改善了传统驱动电路无法补偿传输线的高频衰减且...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 采用SMIC 180 nm工艺,设计了一种地端关断差分驱动CMOS射频整流器.通过切断能量传输路径,解决了传统可关断差分驱动CMOS射频整流器因短路电流较高导致关断功耗(POFF)较大的问题...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种新颖的恒跨导高增益轨到轨运算放大器.输入级仅由NMOS管差分对构成,采用电平移位及两路复用选择器控制技术,在轨到轨共模输入范围内实现了输入...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 采用InGaP HBT工艺,结合达林顿放大器技术,制作了一种高线性度宽带射频放大器.与传统结构相比,该射频放大器具有高线性度、宽带宽的优点.在10 MHz～1 GHz的频率范围内,该放大器的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 针对逐次逼近型模数转换器,提出了一种新型高能效的电容开关转换方案.在前3个比较周期内,该新型电容开关不消耗转换功耗.从第4个比较周期开始,采用了拆分电容技术、单边双电平转换技术,使得一侧的电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 基于华虹0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2 GS/s超高速采保放大器.分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了开关射极跟随结构.增加了前馈电容,以消除保持...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 在分析低密度奇偶校验码(LDPC)算法的基础上,根据可重构思想,提出了一种支持12种模式LDPC的可重构结构.调用不同配置参数,重新组合译码器结构,实现可重构译码.利用接收到的移位配置信息,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 为了实现流水线ADC的带隙基准电压低于1V和降低参考电压电路的功耗,提出了一种新的全差分参考电压电路.在传统带隙基准的基础上,该参考电压电路增加了MOS管基-射极电阻,可根据电阻的比例系数来...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 提出了一种千万门FPGA芯片中DSP硬核的设计.基于SMIC 65 nm CMOS工艺,以全定制技术设计实现了一个高性能的DSP硬核.DSP硬核主要包括输入输出逻辑、乘法器、XYZ选择器和模...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 设计了一种用于C-HomePlug AV (CHPAV) 2.0标准同轴以太网系统的低中频宽带射频收发器芯片.该芯片支持的射频频率范围为0.3～1.3 GHz,中频最高支持300 MHz带宽...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 研究了与CMOS兼容的SOI SiGe HBT结构.首先,分析了SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT在结构上的不同之处.然后,针对新结构的全部耗尽工作模式,建立了考虑电流效应的集电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 为改善数据保持干扰和编程干扰对NAND闪存可靠性的影响,提出了一种新的奇偶位线块编程补偿算法.该算法利用编程干扰效应来补偿由数据保持引起的阈值漂移,修复NAND闪存因数据保持产生的误码,提高...
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17. 智能传感器技术发展综述刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 从智能传感器的概念和架构出发,研究了MEMS、CMOS、光谱学等主流技术智能传感器的基本发展情况.探讨了智能传感器的实现途径.列举了军用智能传感器的重点应用领域和技术.结合国内实际情况,提出...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺、SiGe BiCMOS工艺等.概述了SiGe工艺技术的应用情况以及国内外发展现状,并...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65 nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺杂对单管PMOS单粒子瞬态脉冲(SET...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下60C0 γ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验.试验结果表明,辐射后,基极电流IB显著增大,而集电极电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 可控硅(SCR)被广泛应用于片上静电放电(ESD)防护.由于SCR的低维持电压特性,闩锁问题一直是其应用于高压工艺ESD防护的主要问题.改进设计了一种新型SCR器件,即MOS High-ho...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 相比于P+衬底CMOS工艺,P-衬底0.35 μm BiCMOS工艺中CMOS管的抗闩锁性能更差.为了提高CMOS管的抗闩锁性能,利用光触发方式,基于Medici器件,仿真研究了BiCMOS...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块,对底栅结构的双有源层a-IGZO/IZO薄膜晶体管(TFT)进行了仿真与模拟,研究了双有源层厚度比对TFT特性的影响.结果表明,该TFT的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 基于溶液旋涂法、高压退火工艺,制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟锌氧化物(IZO)薄膜和双层IGZO/IZO薄膜,研究了这些薄膜的电学特性.结果表明,在相同制作工艺下,IGZO单层薄...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 随着高性能计算机处理器(CPU)功率密度的增大,温度对CPU计算性能的影响愈发突出.为了解决温度与CPU计算性能之间缺乏定量分析的问题,研究了CPU利用率对温度的影响以及温度对CPU评测分值...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 建立了一种28 nm HPL硅工艺超大规模SRAM型FPGA的单粒子效应测试方法.采用静态测试与动态测试相结合的方式,通过ps级脉冲激光模拟辐照实验,对超大规模FPGA进行单粒子效应测试.对...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 通过搭建振动加速失效实验平台,完成了芯片中板级焊点的失效实验.在此基础上,对焊点进行电镜观察分析,以确定焊点在振动载荷下的失效模式.结果表明,内部焊点基本没有裂纹扩展迹象,裂纹集中于最外侧角...
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28. 集成电路氧化层失效定位技术研究刊名： 微电子学发表期刊： 2018年4期页码:摘要： 介绍了一种针对集成电路氧化层失效的定位和分析技术.采用光发射显微镜、光致电阻变化技术,对比出电路中不同的发光机构或电阻变化点.结合电路故障假设法和版图分析,对氧化层失效位置进行定位.最终,采...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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