fT为15GHz的SiGe/SiHBT

• 作者: 徐晨 杜金玉 沈光地 邓军 邹德恕 陈建新 高国 魏欢
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si HBT 特征频率
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 设计与开发
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2273字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.05.010

摘要

介绍了用分子束外延生长的特征频率fT为15GHz的SiGe/Si HBT,还给出了器件的制造方法及测量结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晨	北京工业大学电子工程系	63	295	9.0	13.0
2	沈光地	北京工业大学电子工程系	192	1444	18.0	29.0
3	邓军	北京工业大学电子工程系	57	219	7.0	10.0
4	陈建新	北京工业大学电子工程系	65	441	11.0	17.0
5	邹德恕	北京工业大学电子工程系	58	270	10.0	12.0
6	高国	北京工业大学电子工程系	22	459	8.0	21.0
7	杜金玉	北京工业大学电子工程系	8	40	4.0	6.0
8	魏欢	北京工业大学电子工程系	1	3	1.0	1.0