纳米硅薄膜的发光特性研究

• 作者: 何宇亮 傅东锋 刘明 李国华 韩和相
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅 光致发光 量子限制-发光中心模型
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 57-62
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3065字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.010

摘要

研究了nc-Si：H薄膜的光致发光(PL)，分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品，晶粒尺寸有一上限，其值在4～5nm之间。在10～77K，nc-Si：H薄膜的发光强度几乎没有变化；当温度高于77K，发光强度指数式下降。随温度升高，发光峰位有少许红移。讨论了nc-Si：H光致发光机理，用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释。从载流子的激发、复合两方面讨论了发光过程，认为载流子在晶粒内部激发后，弛豫到晶粒界面的发光中心复合发光。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宇亮		11	181	5.0	11.0
2	傅东锋		2	12	1.0	2.0
3	刘明	中科院微电子中心	3	12	1.0	3.0
4	李国华	中科院半导体所	1	12	1.0	1.0
5	韩和相	中科院半导体所	1	12	1.0	1.0